水利工程混凝土结构裂缝成因及控制措施

混凝土作为水利工程建设中主要建筑材料,优点是强度高、刚度大、耐久性好、耐火好,有较高的防水性和抗腐蚀性,原材料丰富、成本低、可塑性好等.但其缺点也较突出,主要是自重大、抗拉强度低、易出现裂缝.混凝土裂缝成因复杂,一般由温度、外荷载、二次应力、膨胀、收缩、沉降、变形等综合因素引起.如在设计和施工过程中对混凝土裂缝没有足够...     

烟梗废弃物固态发酵生产白僵菌的适宜条件筛选

为探索废弃烟梗资源化利用途径,以烟梗废料为培养基的主要原料,以杀虫微生物白僵菌(Beauveria bassiana)为目标产物,采用固态发酵法研究了烟梗粒度和含水率对白僵菌产孢量的影响,并通过Plackett-Burman(PB)试验对废弃烟梗发酵产白僵菌的条件进行了初步优化。结果表明:烟梗适宜作为白僵菌的主要发酵培养基质,粒度以原梗较好,且当烟梗与水质量比为1 3.5时,白僵菌生长和孢子萌发状况最好,孢子产量较高;通过PB试验与分析,在选择的9个相关因素中,培养时间、蛋白胨和酵母粉添加量是影响白僵菌孢子产量的3个关键因素;在PB试验条件下,白僵菌孢子最大产量可达8.59×109个/g。研究证实了以烟梗废料发酵生产杀虫微生物白僵菌的可行性,为烟梗废料的综合利用开辟了新途径。     

自然冷却换热技术在电信行业通信机房空调系统中的应用研究

以北京市某既有电信行业通信机房为研究对象,针对北京地区的气候条件以及通信机房的空调负荷特性,基于自然冷却换热技术的基本理论与原理,对该通信机房原有的空调方式进行节能改造,在原有的单一空调系统基础上新增自然冷却换热系统。2009年秋季供冷工况运行结果表明,所提出的应用方案不但可以满足通信机房气流组织以及使用功能要求,而且节能效果显著。     

宽带直接接触式RF MEMS开关

本文提出一种静电驱动直接接触式宽带MEMS开关,包含CPW传输线、双U型金属悬臂梁、触点和锚区,兼顾了开关接触可靠、克服微结构粘连和低驱动电压三大结构可靠性设计因素。本开关为三端口开关,使用低温表面微机械工艺,制作在400μm厚的高阻硅衬底上,芯片尺寸0.8mm×0.9mm。样品在片测试结果表明,在6GHz频点,开关本征损耗0.1dB,隔离度24.8dB,等效开关接触电阻0.6Ω,关态电容6.4fF,开关时间47μs,开关驱动电压为20-60V。     

浅谈提高办公自动化系统管理质量的方法

办公自动化系统是管理信息系统在实际应用中重要的组成部分,虽然管理信息系统的发展有了新的进展,但是办公自动化这一块还是处于比较薄弱的状态,制约了办公信息化的程度,所以如何提高自动化办公系统的管理质量成为亟需解决的问题。本文主要分析了办公自动化系统在日常应用中存在的问题,并提出了提高办公自动化系统管理质量的办法。     

四腿液压弹跳机器人的单腿起跳优化设计

针对提高关节型液压驱动弹跳机器人的环境适应性,提出了除高度、稳定性外,弹跳机器人的另一重要控制参数——地面支持力。通过增加腿部力量推动机身做功位移,同时保持推动力恒定,消除足端对地面的作用力的波动,以减小弹跳所需支持力的峰值,降低对地面硬度的要求。另一方面通过合理的运动规划,使得机器人在保持弹跳高度、负载不变的前提下,对液压系统流量及压力的要求降低。     

GaAs pHEMT外延层转移技术研究

<正>随着化合物半导体技术日益成熟,利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现Si CMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路/系统性能,既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。南京电子器件研究所开展了基于外延层转移技术的晶体管级异构集成方面的研究,在国内首次将1.5|im厚的76.2 mm(3英寸)GaAs pHEMT外延层薄膜完整地剥离并转移到Si衬底上(如图1所示),     

AlInN三明治势垒GaN HFET

介绍了国际上AlInN势垒HFET的最新发展.从器件性能分析中发现这种新势垒显著提高了沟道电子气密度,增大了强场漂移速度,消除应变提高了器件可靠性和热稳定性,能在高温下有效工作,使GaN HFET研究走上新的台阶.但是薄势垒引起的大栅流和电流崩塌是阻碍器件性能提高和实际应用的主要瓶颈.利用AlInN/AlGaN异质界面...     

14W X波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC

报道了研制的SiC衬底AIGaN/GaN HEMT微带结构微波功率MMIC,芯片工艺采用凹槽栅场板结构提高AlGaN/GaNHEMTs的微波功率特性.S参数测试结果表明AlGaN/GaN HEMTs的频率特性随器件的工作电压变化显著.研制的该2级功率MMIC在9～11GHz带内30V工作,输出功率大于10W,功率增益大于12dB,带内峰值输出功率达到14.7W,功率增益为13.7dB,功率附加效率为23%,该芯片尺寸仅为2.0mm×1.1mm.与已发表的X波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC研制结果相比,本项工作在单位毫米栅宽输出功率和芯片单位面积输出功率方面具有优势.     

Mg掺杂Al_(0.5)Ga_(0.5)N薄膜的发光性质研究

利用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上采用AlN缓冲层制备了Mg掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜。采用CL测试方法研究了Mg掺杂对Al0.5Ga0.5N薄膜光学特性的影响。测量表明,Mg掺杂导致在Al0.5Ga0.5N薄膜的发光谱中出现了3.9eV的发光带,其发光机理为束缚的施主-受主对(DAP)间的辐射复合跃迁。