WNN模型在预测声发射信号方面的应用

小波神经网络具有预测精度高、结构简单以及收敛快等众多优点,因此,试图将这一优势模型用于声发射的预测方面,进而为矿业领域完善一种新的预测方法,并根据实验室岩石加载实验过程中采集的大量声发射数据,建立了一种与之相适应的预测模型。首先,针对实验室实验过程中监测得到的声发射数据建立了小波神经网络模型（WNN模型）,然后对声发射监测得到的声发射事件率进行网络自主学习,得到预测结果,最后与实际值相比并计算其误差。结果表明：WNN模型预测精度较高,与实际监测得到的结果基本吻合,证明WNN可以用于声发射信号方面的预测。     

基于RTS-500岩石流变仪三轴强度和变形特性

采用英国GDS公司生产的RTS-500型岩石三轴流变仪试验机,进行不同围岩条件下的三轴压缩实验,并对试验结果进行分析. 确定三轴围压下的峰值应力以及其应变的变化规律,以及根据Mohr-Coulomb强度理论确定岩石的c、φ值的变化规律,研究绿泥石英片岩的强度和变形特性.结果表明:在低围压时,岩样内部非均匀化,岩石表现为脆性特性;在高围压时,岩样内部由低到高逐渐屈服,内部趋于均匀化,此时岩石出现由脆性向塑形特性转变的趋势.岩石的峰值应变与围压呈显著的线性关系,岩石残余强度对围压的敏感性明显高于峰值强度. RTS-500型岩石三轴流变仪系统实验精度较高,实验数据可靠.      

某北方建材化工园区工业污水处理厂设计实例与探讨

某北方建材化工园区工业污水处理厂近期设计规模为2 000 m³/d,远期设计规模为4 000 m³/d。合理选用污水处理流程,采用预处理(格栅、提升+沉砂+均质调节、事故调节+石灰软化设施)+过滤器+自清洗过滤器+UF装置+RO装置,污泥处理采用污泥浓缩、调理+板框压滤脱水。处理后的出水同时满足《城镇污水处理厂污染物排放标准》一级A标准、《城市污水再生利用城市杂用水水质》及《城市污水再生利用工业用水水质》,可为国内其他类似建材化工园区工业污水处理厂提供设计参考。     

自然冷却换热技术在电信行业通信机房空调系统中的应用研究

以北京市某既有电信行业通信机房为研究对象,针对北京地区的气候条件以及通信机房的空调负荷特性,基于自然冷却换热技术的基本理论与原理,对该通信机房原有的空调方式进行节能改造,在原有的单一空调系统基础上新增自然冷却换热系统。2009年秋季供冷工况运行结果表明,所提出的应用方案不但可以满足通信机房气流组织以及使用功能要求,而且节能效果显著。     

Ku波段60W AlGaN/GaN功率管

针对Ku波段60W氮化镓内匹配功率管,开展了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试等研究工作,实现了GaN功率HEMT在Ku波段60W输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。该功率管采用南京电子器件研究所研制的两个10.8mm栅宽管芯进行合成,最终研制的GaN Ku波段内匹配功率管在28V漏电压、1ms周期、10%占空比及14.0~14.5GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出66W,带内功率增益大于6dB,最大功率附加效率33.1%,充分显示了GaN功率器件在Ku波段应用的性能优势。     

基于直边衍射的高斯激光驻波场仿真

为了研究原子光刻实验中基片对汇聚激光场的影响,基于标量光学理论,采用数值计算对直边衍射情况下高斯激光驻波场特性进行了仿真。结果表明,高斯激光的直边衍射效应会呈现与平面光波相似的强度振荡现象,两者直边衍射后的第1个强度突变分别为中轴线强度的1.18倍和1.37倍;随着束腰的增大,高斯激光的衍射越接近平面波;中轴线和基片表面距离会影响高斯激光截面进入直边几何阴影之外的大小;直边衍射后入射波和其经过反射镜作用的反射波相遇叠加在光轴方向上会形成稳定的驻波;这种驻波的强度在垂直光轴截面上呈现一定的衍射特性。该研究有利于理解直边衍射时高斯驻波场形成的实质;并可通过适当的激光参量来调整实验激光驻波场结构。     

8bit 1.4GS/s模数转换器

超高速模数转换器(ADC)是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关键组成部分.附带校准技术的折叠内插ADC具有等同快闪(FLASH)ADC的高转换速度,是设计超高速ADC的最佳选择,但仍需综合考虑各项指标来时行校准方法设计及芯片架构优化.     

7.5～9.5 GHz AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管

报道了研制的1mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管,在32V漏偏压下在7.5～9.5GHz频率范围内输出功率大于5W,功率附加效率典型值为30%,功率增益大于6dB,带内增益平坦度为±0.4dB,带内最大输出功率为6W。     

f_(max)=325GHz的多指共基极InGaAs/InP DHBT

<正>数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InP DHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低的1/f噪声等优点,因而在超高速数模混合电路、毫米波/亚毫米波单片集成电路方面具有广阔应用前景。南京电子器件研究所基于76.2 mm圆片工艺,研制出fmax达325 GHz的四指共基极InP DHBT器件,击穿电压大于10 V。     

SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的ICP通孔刻蚀

利用ICP对研制的SiC衬底上AlGaN/GaN HEMT刻蚀获得了深度为50μm的接地通孔.器件通孔制作前首先用机械研磨的方法将衬底减薄至50μm,在背面蒸发Ti/Ni并电镀Ni至3μm作为刻蚀阻挡层;之后利用SF6/O2混合气体的电感耦合等离子体对SiC衬底进行了刻蚀;最后将Cl2和BCl3混合气体的ICP刻蚀技术运用于AlGaN/GaN外延材料的刻蚀,完成了深度为50μm的AlGaN/GaN HEMT通孔制作,通孔侧壁具有一定的斜率,适合良好的金属覆盖以形成器件正面和背面的连接.这一技术非常适合AlGaN/GaN HEMT及其单片集成电路的研制.