PEALD制备的Al2O3薄膜在n-TOPCon太阳电池上的钝化性能

对采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)法制备的Al2O3薄膜在n型单晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池正表面的钝化性能进行了研究.采用少数载流子寿命、X射线电子能谱(XPS)及J-V特性的测试分析,重点研究了 Al2O3沉积温度、薄膜厚度及薄膜形成后不同退火条件对钝化性能的影响,实现了低表面复合速率、良好钝化效果的产业化制备的Al2O3薄膜工艺.研究结果表明,在沉积温度为150℃、膜厚为5 nm、退火温度为450℃时,测试计算得出薄膜中O和Al的原子数之比为2.08,电池发射极正表面复合速率较低,达到了Al2O3钝化的最优效果,并且分析了 Al2O3薄膜的化学态和形成机理.利用其Al2O3薄膜工艺制备的n型单晶硅TOPCon太阳电池开路电压提升了 8 mV,电池的平均光电转换效率达到了 23.30％.     

Ce70Al10Cu20金属塑料晶化过程的微结构研究

非晶合金（俗称金属玻璃）是一种重要的功能材料，具有一般晶态材料所不具备的许多物理、化学和力学特性。新型铈基金属玻璃的玻璃化温度（68℃）大大低于常规金属材料，是集聚合物塑料与金属特点于一身的新型功能材料，称为金属塑料。本文主要利用透射电子显微镜对Ce70Al10Cu20金属塑料晶化过程中的微结构变化进行了系统研究。     

300mm硅片精密化学机械抛光机几何参数优化(英文)

对于评价用于极大规模集成电路(ULSI)生产的300 mm硅抛光片的表面质量,需要关注两个关键参数即:SFQR和GBIR。在中国电子科技集团第四十五研究所研发的中国第一台最终化学精密抛光机的验证过程中,我们发现为了提高硅片表面的几何参数,必须监控抛光前硅片的形貌,并根据不同的硅片表面形貌来改变抛光头的区域压力。通过深入分析抛光前硅片的表面形貌,我们发现当硅片形貌为凹陷形状时,抛光后的硅片表面将严重恶化。由此,根据每个硅片不同的形貌,我们用特殊设计的抛光头来调整背压的区域分布,然后再进行抛光。最终,经过抛光头区域压力调整后的硅片几何参数比调整前得到了大幅提升,并已经能够满足我们的产品指标并可以用于生产。     

接触热阻对薄板零件表面激光淬火温度场形成影响研究

激光淬火工艺具有节能环保、质量高的优点。研究薄板零件激光淬火时所形成的温度场对将激光淬火应用于薄板零件表面强化的实际工作中具有重要的作用。本文通过对45钢和铸铁HT250之间接触面的接触热阻进行实验测试,通过数据分析得出了相应的接触热阻经验关系式。利用Abaqus软件模拟薄板表面激光淬火,其中将实验所得的接触热阻经验关系式代入,得到了相应薄板表面淬火温度场。通过与不考虑接触热阻的零件表面淬火温度场仿真结果进行对比,得出了接触热阻对薄板零件表面激光淬火所形成的温度场的影响。研究成果可对薄板表面激光淬火工艺应用于实践提供指导。     

关于实施有线电视建设工程监理的探讨

本文论述了在有线电视建设实施专业工程监理的意义。详细介绍了有线电视工程监理的工作内容、目标任务、实施步骤,以及需要注意的事项,据此提出了自己的建议。     

In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制

基于对锡掺杂三氧化铟(Sn-doped In2O3,简称ITO)和铝掺杂氧化锌(Al-doped ZnO,简称ZAO)薄膜退火前后XRD数据的分析,研究了薄膜晶格常数畸变的原因,同时讨论了ITO和ZAO薄膜的导电机制.结果表明,低温沉积ITO薄膜的晶格膨胀来源于Sn2+对In3-的替换,导电电子则由氧缺位提供;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于Sn4+对In3+的替换,导电电子则主要由Sn4+取代In3+后提供.低温ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力,导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致,即由Al3+对Zn2+的替换和氧缺位两者共同提供     

WDM全光网OXC节点串扰效应分析(续完)

4 OXC串扰参数变化的数值分析 下面将通过数值计算的方法对几种拓扑结构和器件参数进行分析评价.首先以串扰作为评价标准.     

OBS网中的数据丢失恢复机制研究

着重探讨了解决光突发交换网中突发数据包之间争夺链路资源引起数据丢失的丢失恢复机制,主要包括突发克隆、前向冗余、重传等机制,对这些技术的优缺点进行了比较分析,并提出了一种改进方案.     

基于机器视觉的PCB缺陷检测系统设计与研究

针对工业领域高速高精度的要求,设计了基于机器视觉的PCB缺陷检测系统的总体结构,着重阐述了视觉检测系统的原理,讨论了相关的图像处理、检测及识别算法,重点运用数学形态学及模式识别方法完成检测识别.仿真实验均在Matlab下编程实现,仿真结果证明了该方法的可行性,采用该方法能够有效的检测、定位并识别出PCB光板上的短路和断路缺陷.