计算机辅助教学专家系统的研究

为了解决计算机辅助教学系统在实际应用中的不足之处,结合人工智能的专家系统,对智能化计算机辅助教学系统中的提问环节研究,采用模式识别、正向规则推理和案例推理方法,提出辅计算机辅助教学系统中专家系统的设计模型。     

采用TEOS和H2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜

开展了使用TEOS和H2O混合物进行PECVD生长SiO2膜的研究工作.氧化硅折射率分布在1.453±0.001的范围,且随偏离中心距离基本不变.薄膜厚度是中央大,边沿薄,其厚度相对变化不超过±1.5％（51mm衬底).利用TEOS源PECVD,并结合退火技术,摸索出厚膜氧化硅生长工艺,已成功地在硅衬底上生长出厚度超过15μm氧化硅厚膜,可用于制备氧化硅平面波导器件.     

硅基二氧化硅阵列波导光栅的研究进展

阵列波导光栅（ Ａ Ｗ Ｇ） 是（ 密集） 波分复用技术的关键器件之一。提高 Ａ Ｗ Ｇ 器件的性能和拓展 Ａ Ｗ Ｇ 器件的功能是 Ａ Ｗ Ｇ 器件发展的两大方向。综述了 Ａ Ｗ Ｇ 的串扰、波长响应展宽和偏振特性的优化措施,以及以 Ａ Ｗ Ｇ 为基本器件构成的多种功能模块,如１６ 路上路／ 下路复用器、多波长环形激光器等     

微腔调制常温Ge量子点光致发光特性

报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光致发光才能透出腔体并被探测器搜集.模拟结果与实验结果吻合得很好,变功率实验也进一步证实了该结论.     

金属/绝缘层/硅(MIS)隧道二极管的发光机理

金属／绝缘层／硅（ＭＩＳ）隧道发光二极管的发光机理可以归结为表面等离极化激元（ＳＰＰ）与界面粗糙度的耦合．电流－电压特性曲线中６．５Ｖ附近的一个负阻和发射光谱中４７５ｎｍ的峰显示,在硅／二氧化硅界面激发起了与之相应的等离子体振荡．     

超轻导湿快干双面功能性运动面料开发

采用5.56 tex/48 f的细旦轻网络结构聚酯长丝和细旦弹性聚酯长丝交织,以及3.33 tex/24 f的Cooldry~吸湿排汗聚酯长丝和4.44 tex/12 f的半消光聚酯长丝交织,设计开发出克质量分别为95 g/m~2的罗纹型和73 g/m~2的双罗纹型超轻导湿快干双面功能性运动面料。详细介绍面料的编织工艺和后整理工艺,并对面料的吸湿速干性能及物理机械性能进行测试。结果表明,两种面料的克质量均较小,且均具有良好的导湿速干性能和热湿舒适性能,其抗起毛起球性能和抗钩丝性能均符合标准要求。     

GaAs/AlGaAs多量子阱激光器

用国产的分子束外延设备生长出多量子阱激光器结构,在室温下,其宽接触阈电流密度为3000A/cm~2,质子轰击条形器件单管最佳阈值电流为128mA,单面连续输出功率可大于22mw,在一定注入范围内可单纵模工作,最高单面微分量子效率达34％,激射波长在8590～8640埃之间,远场光强分布呈单峰,在室温附近的特征温度T_o为202K.对外延材料和器件的初步研究表明,AlGaAs材料特别是掺杂的AlGaAs材料质量不理想是导致激光器阈电流密度不够低的可能原因.     

应变补偿InGaAsP/InP量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成

本文在国内首先报道采用ＭＯＶＰＥ技术研制成功了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变补偿型量子阱ＤＦＢ激光器与“扇形”光放大器的集成器件，实现了３０ｍＷ单纵模工作．采用调制光放大器、静态偏置ＤＦＢ激光器的方法，产生了低啁啾、高功率的单纵模高频光脉冲．集成器件的研制成功，为其它含介质光栅反射器的光子集成器件的研制开辟了一条广阔的道路．     

快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响(英文)

利用光电流谱 ,结合 X射线双晶衍射研究了快速退火对 Si1 - x Gex/ Si多量子阱 p- i- n光电二极管的影响 .由于应变 Si Ge的部分弛豫和 Si- Ge互扩散 ,退火后的二极管的截止波长有显著的减小 .但是 ,在 75 0— 85 0℃范围内 ,波长蓝移量随着退火温度的增加而变化缓慢 ,而样品的光电流强度却随温度是先减弱而后又增强 ,这可能主要是由于在不同温度退火过程中失配位错的产生和点缺陷的减小造成的 .     

nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析

阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge/Si纳米岛发光效率的机理.通过3D FDTD方法计算出在平板厚度为300nm时,谐振波长随a和r/a变化的规律,即当给定r/a,h时,波长随晶格常数成次线性增加;当给定a,h时,波长随r/a的增加而减小.并从理论上给予分析.