光网络与光子集成的发展(下)

光网络体系中的有源光子集成 高速响应、低啁啾、单稳频集成光子源 半导体分布反馈（ＤＦＢ）激光器作为光通信的光子源器件已占据不可替代的重要地位,然而ＤＷＤＭ光网络对光子源却提出更高的要求。直接调制ＤＦＢ激光器受到固有张弛振荡效应的限制,响应速率难以越过５Ｇｂ／ｓ,同时在高速率下,频移啁啾效应已比较严重,因此必须采用外调制技术,从光网络体系考虑,调制器宜结构简单并能与ＤＦＢ激光器实现单片集成。现在的激光器均已采用量子阱（ＭＱＷ）结构,因此人们致力于发展基于ＭＱＷ中量子限制Ｓｔａｒｋ效应（ＱＣＳＥ）的电…     

热光Si共振腔型可调谐滤波器

报道了利用Si基键合技术和化学机械抛光工艺制作的垂直结构的Fabry- Perot可调谐滤波器,调谐机理为pn结正向注入电流引起的热光效应.调谐范围可达2 3nm,响应时间约为30 0 μs,并给出了获得更快响应和更低能耗的热光和电注入可调谐滤波器件结构改进方案.     

河南榴辉岩的绿辉石结构电镜研究

河南榴辉岩的绿辉石结构电镜研究王启明（北京大学电镜室，北京１００８７１）绿辉石是具有复杂结构和复杂成份的辉石矿物，为榴辉岩的主要矿物，其成分大至由５０％透辉石分子和５０％硬玉分子组成（Ｄｉ＿（５０）Ｊｄ＿（５０）），有时还含有少量锥辉石分子（Ａｃ）。...     

UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

利用SiH4和GeH4作为源气体,对UHV/CVD生长Si1-xGex/Si外延层的表面反应机理进行了研究,通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH4的饱和吸附、热脱附过程,得出SiH4的分解应该是每个SiH4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面,SiH4的吸附率正比于表面空位的4次方,并分析了GeH4的表面吸附机制.在此基础上建立了UHV/CVD生长Si1-xGex/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟,二者符合得很好.     

DCXRD分析Ge/Si(001)多层纳米岛材料

结合透射电镜与原子力显微镜实验,用双晶X射线衍射方法分析了Ge/Si多层纳米岛材料.衍射的卫星峰可以被分解为两个洛仑兹峰,它们分别源于材料的浸润层区和纳米岛区.利用透射电镜得到Si和SiGe层的厚度比,估算出浸润层区与岛区的Ge组分分别为0.51和0.67.这是一种简单估算Ge/Si多层纳米岛材料中Ge组分的方法.     

安林煤矿煤与瓦斯突出区域危险性分布的探讨

通过分析安林煤矿煤与瓦斯突出特点及瓦斯赋存状况,研究和探讨了地质构造和岩浆岩侵入对煤质和瓦斯赋存的影响,测定了突出预测指标在煤层中的变化及其分布规律,对开采煤层进行了突出危险性区划.     

基于分区逐时气象信息的全网负荷预测研究

负荷与气象是密切相关的,尤其在夏冬两季。以省网负荷预报为例,在传统的电力负荷预测中,所采用的气象信息一般是全省、全天的气象信息,比如全省最高温度、最低温度等等。当前,气象预报技术已经可以做到分区、逐时预报。该文总体思路是将分区逐时气象预测数据应用于负荷预报,以进一步提高负荷预测精度。指出了按照行政区域和气候区域相结合来分区,定义了基于负荷的综合气象因素,提出了根据网供电与综合气象因素进行预测的策略,给出了将相似日方法与支持向量机相结合的负荷预测方法。最后给出在河南电网应用的实际结果,对比表明采用逐时气象信     

硅基光子材料和器件的进展

评述硅基光子材料和器件的进展，包括硅二极管的受激发射、具有量子结构的RCE(谐振腔增进型)光电二极管、MOS高频光调制器、SOI光开关阵列和可调谐波长滤波器，重点介绍低插入损耗、快响应的SOI基热光波导开关阵列的最新结果.以SOI为基片，成功地研制出带有全内反射(TIR)镜的重排无阻塞型光开关阵列，并首次研制出16×16阻塞型光开关阵列.在1.55pm波段，插入损耗和偏振相关性随着器件长度的增加而略微增大.如果器件的末端镀上抗反射膜，插入损耗会降低2～3dB，这些器件的上升和下降时间分别为2.1和2.3μs.     

基于类的移动应用设计研究

在移动应用设计开发过程中,基于类的设计成为应用开发的主流方法,类的设计方法及运用直接影响应用开发过程及结果。在Android移动应用平台上,采用面向对象的移动应用开发,以雷电游戏为例,着重探讨类的设计,开发一个射击类游戏。在应用设计过程中,分析了系统接口类的特点。通过系统分析,设计和分析类、类间关系和类的组织。为了便于团队开发,提高类的复用性,提出了类的优化建议。最后实现并发布游戏。为移动应用平台,尤其是Android平台应用开发提供参考。     

硅基1.55μm共振腔增强型探测器

报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术.高反射率的SiO2/Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上,然后键合到InGaAs有源区上,键合温度为350℃,无需特殊表面处理,反射镜的反射率可以高达99.9%以上,制作工艺简单,价格便宜.并获得硅基峰值响应波长为1.54μm,量子效率达22.6%的窄带响应,峰值半高宽为27nm.本方法有望用于工业生产.