锂钡掺杂氧化碳酸盐在二氧化碳电化学传感器中的应用

借助于XRD、扫描电镜、二氧化碳响应测试、电化学阻抗谱等方法,对锂钡掺杂氧化碳酸盐的烧制及其在YSZ二氧化碳电化学传感器中的应用进行了研究。结果表明,锂钡掺杂氧化碳酸盐烧制温度对传感器响应性能具有影响,传感器电动势响应比例随着烧制温度的升高先增大后减小,而其在二氧化碳浓度降低和升高阶段之间的差异随烧制温度的升高呈先减小后增大的变化趋势。当锂钡掺杂氧化碳酸盐烧制温度为800℃时,传感器电动势响应比例和电动势变化率较大,电子转移数接近理论电子转移数2,符合能斯特响应规律。该传感器响应性能与二氧化碳初始浓度无明显关系,并能抵抗一定程度的水蒸汽累积影响,表现出较好的稳定性。     

四旋翼无人机的高度控制

为实现对四旋翼无人机飞行高度的控制,采用气压高度计对高度信息进行反馈,同时使用竖直加速度数据进行补偿.为了减少由建模误差对控制效果产生的影响,并使系统具有较强的鲁棒性,设计了模型参考滑模控制器(MRSMC,model reference sliding mode controller),同时对于无法直接测量的状态量使用卡尔曼滤波器来进行推测.实验结果表明所设计的控制器具有良好的稳定性和鲁棒性.     

金属／YSZ电极对氧传感器性能的影响

借助交流阻抗谱测试技术和扫描电镜,对Pt,Au,Ag,Ag—Pt,Ag—Pd电极浆料所制金属／YSZ电极的界面电阻、激活能进行了研究,并计算了由其构成的氧传感器达到90％响应量所需时间。研究表明：400-600℃时,02在Ag／YSZ电极上反应速率最快,激活能最低,为91kJ·mol^-1;Pt／YSZ电极激活能最高,为183kJ·mol^-1,电极反应速率控制步骤为吸附氧原子在电极表面的扩散过程;Ag—Pt,Ag—Pd／YSZ电极激活能均较Ag／vsz电极高,Pd含量增大时,Ag—Pd／YSZ电极激活能亦增大;400-450℃时,Ag／YSZ氧传感器响应时间最短,450-600℃时,Ag-1％Pd／YSZ氧传感器响应最快。     

优化光源设置的自适应增强绘制

增强绘制能够更好地凸显模型的内容,便于人们的观察和理解。已有工作主要通过法向调整或依据曲率进行色彩变化,以加强明暗对比从而突出模型特征。但这样会扭曲特征的表达,或者由于细小特征的增强处理导致显示噪音,因而影响观察效果。提出了一种光源优化设计的增强绘制方法,不改变模型的任何几何特征,并结合模型的层次化组织,以便根据观察的需求自适应地凸显相应的特征,且消除细小特征的绘制噪音,由此能够清晰而准确地显示模型特征,提高观察效率。     

设计模式在军用软件开发中的应用

分析军用软件开发存在的问题,介绍设计模式的特点和优势,详细阐述单例模式、组合模式和观察者模式在军用软件开发中的运用.经过实际软件研发测试,设计模式的合理使用能够提高软件开发效率、增强软件可扩展性.     

30CrMnSiA电渣锭表面裂纹问题的探讨

通过对30CrMnSiA电渣锭凝固过程中组织转变的研究，确定了表面裂纹产生的原因，并提出解决问题的方法。     

外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响

综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理.研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等.结果表明,相对于无电场时,适当3强度的电场可显著加快金属诱导横向结晶的速率,场强超过某一临界值则降低该速率,并基于电迁移效应作了较好的解释.对Cu诱导a-Si薄膜横向结晶,在同样条件下,直交流混合电场比单纯的直流电场能引发更高的结晶速率.     

2600 m3高炉大修后快速达产实践

对鞍钢集团朝阳钢铁有限公司2600 m3高炉大修开炉达产实践进行了总结,通过在开炉前制定科学的开炉方案,在开炉过程中,注重选择合适的开炉料配比、确定合理的送风制度、优化高炉操作,确保炉况稳定顺行,一周内利用系数达到2.00 t/(m3·d)。     

盾构始发洞门预装环形膜袋密封施工技术研究

洞门密封施工是确保盾构安全始发、正常掘进的关键环节.本文提出了一种新型膜袋注浆辅助封堵洞门施工技术,在洞门钢环内壁与帘布橡胶交界处预装环形膜袋注浆密封装置,待盾体全部进入隧道,盾尾刷通过帘布橡胶后,在盾体外壁与围岩之间形成可注浆的封闭空间,达到洞门封堵止水的效果,然后盾构继续推进.本技术在青岛市地铁6号线应用,解决了下穿回填块石层、淤泥质粉质粘土层及强风化、"上软下硬"地层,临海、富水等复杂地质情况盾构始发安全难题,为今后类似工程提供借鉴.     

溅射SiGe薄膜及其等时等温退火效应

分别在n-Si(100)和SiO2衬底上用离子束溅射法淀积SiGe薄膜.用俄歇电子谱测定薄膜Ge含量为15%～16%.对样品进行常规炉退火以考察退火温度和时间对薄膜结晶度的影响.采用X射线衍射确定薄膜物相.发现在同样退火条件下,SiGe在n-Si衬底上比SiO2上有更高的结晶度.通过曲线拟合,得到平均晶粒尺寸与退火温度和时间的依赖关系分别是自然指数和近线性的抛物线函数.推断出溅射SiGe薄膜的热退火结晶可能是晶粒生长控制过程.