溶胶-凝胶法制备纳米晶γ-Al2O3：Tb^3＋粉末及其发光性能

以异丙醇铝为原料,聚乙二醇(PEG1000)为络合剂,采用溶胶-凝胶法制备了纳米晶γ-Al2O3:Tb3+发光粉;并采用DTA/TG、XRD、TEM及荧光光谱对其进行了一系列表征.研究结果表明:采用溶胶-凝胶制备工艺,经800℃煅烧4 h,可以得到发光强度高的纳米晶γ-Al2O3:Tb3+发光粉;发光粉的最佳激发波长为251 nm,对应于Tb3+4f-5d跃迁;最佳掺杂浓度为5%(物质的量浓度,下同),在251 nm光激发下,最强的发射峰位于544 nm,可以用作绿色发光材料.     

塑料企业开展质量成本管理的方法和途径

日前我国许多企业在近几年来纷纷完成了ISO9000质量管理体系认证工作,在完善了质量管理的基础上,进一步开展质量成本管理,在提升竞争力的过程中充分发挥质量体系应有的作用。本文介绍了质量成本的概念、组成和意义,并对获证企业如何开展好质量成本管理方法提出了几点建议。[编者按]     

黑曲霉液态发酵生产果胶酶的工艺条件初探

选用鲜苹果渣作为碳源,通过试验探索了黑曲霉液态发酵生产果胶酶的工艺条件。确定最适发酵培基的组成为:麸皮2.5g,鲜苹果渣1.5g,硫酸铵1.0g,K2HPO40.05g,KCl0.025g,MgSO4·7H2O0.025g,Na2SO40.025g,FeSO4·7H20微量,蒸馏水50mL;最佳发酵条件为:发酵时间5d,发酵温度30℃,起始pH2.0,接种量2.0%,装瓶量50mL,在250mL三角瓶中进行摇床振荡培养,最终果胶酶平均酶比活力达到37.91单位/mL。     

ZrO2溶胶对刚玉-莫来石复相陶瓷性能的影响

研究了ZrO2溶胶对刚玉-莫来石复相陶瓷性能和微观结构的影响.结果表明在已有刚玉-莫来石质材料技术的基础上,采用溶胶-凝胶法引入ZrO2,可使ZrO2在主体材料中形成亚微米包裹薄膜,可控制ZrO2的分布,使ZrO2在主体材料中均匀分布,达到定量均匀掺入的目的,从而可获得微观结构可控、晶粒尺寸大小均匀,使ZrO2的作用得以充分发挥,不仅可提高材料的抗热震性,而且可提高材料的高温强度及蠕变性.另外,对于加入氧化锆溶胶的试样,氧化锆粒子的应力诱导相变增韧和微裂纹增韧是刚玉-莫来石质材料热震稳定性提高的主要原因.     

电触点感应钎焊及控制

本文求解了适用于电触点感应钎焊的电磁场及热场耦合方程,获得了二维电触点感应钎焊的理论解,并建立了电触点感应钎焊的有限元模型,二者对比分析,验证了有限元方法分析电触点感应钎焊的可行性。数值结果表明：焊接区域的温度在靠近电触点边界的位置最高,越靠近电触点中心位置的温度越低。线圈增加铁氧体后,电触点中心位置与电触点边界位置的焊膏熔化情况更为接近,一定程度上改善了焊接面温度的不均匀分布。另外,线圈改进前后,焊接时间均随着焊接电流的增大而减少。相同焊接电流参数下,使用了缠绕有铁氧体的感应线圈只需花费更少的时间就可达到所需温升,这大大提高了电触点组件的焊接效率。因此,我们可通过在感应线圈中间增加铁氧体来改善感应钎焊温度不均匀分布,以及缩短焊接时间,从而提高电触头感应钎焊的焊接质量和焊接效率,这对电触点材料的焊接有一定的指导意义。     

网孔结构La2Sn2O7粉体的制备及其在Ag-电接触材料的制备及性能研究

以五水四氯化锡和硝酸镧为原料,采用化学共沉淀法在烧结温度920℃条件下合成了锡酸镧粉体。通过高能球磨法+成型烧结工艺制得Ag-La₂Sn₂O₇电接触复合材料。重点考察了胶凝剂浓度、烧结工艺对La₂Sn₂O₇粉体形貌及物相的影响,并对Ag- La₂Sn₂O₇电接触材料的物理性能进行了分析。研究结果表明：以碳酸氢铵为胶凝剂,于烧结温度920℃,2h条件下获得具有网孔结构的La₂Sn₂O₇粉体;于成型压力1200MPa,烧结温度900℃,6h条件下制得的Ag-La₂Sn₂O₇电接触材料表现出较佳的电阻率和硬度值。经过热挤压工艺,Ag-La₂Sn₂O₇电接触材料发生了大塑性变形,颗粒在热挤压过程中发生流动变形,形成类纤维状结构的排列分布状态,表现出更低的电阻率。     

Fe3O4/SiO2/Bi2WO6磁性复合光催化剂的制备及其光催化性能

钨酸铋(Bi₂WO₆),结构最简单的Aurivillius相化合物,是近期受到研究者关注的新型光催化材料。然而,光催化剂粉末在反应介质中难被回收,工业化应用成本较高。本文用三步方法合成了可回收的Fe₃O₄/SiO₂/Bi₂WO₆磁性复合光催化剂,通过溶剂热法合成具有磁性的Fe₃O₄,用溶胶凝胶法在Fe₃O₄表面覆盖SiO₂层,后将磁性颗粒与Bi₂WO₆纳米片相结合。光催化剂的形貌结构及性能通过XRD、SEM、PL、UV-vis进行表征测试。结果表明,直径约500 nm的Fe₃O₄微球附着在边长约500 nm的Bi₂WO₆纳米片的表面,SiO₂在两者之间起到了粘连作用。光催化剂Fe₃O₄/SiO₂/Bi₂WO₆对于罗丹明B的光降解活性较好,且有一定磁性,可以通过外加磁场将其从溶液中分离,有较大的应用潜力。     

高效氯氟氰菊酯在不同有机溶剂中的光化学降解研究

研究了以氙灯为光源,高效氯氟氰菊酯在不同有机溶剂中的光化学降解情况。结果表明:高效氯氟氰菊酯在正己烷、甲醇、乙腈、丙酮4种有机溶剂中,当浓度为10mg/L时,光解半衰期分别为2.95、3.88、5.27、50.6h;当浓度为20mg/L时,光解半衰期分别为2.77、4.32、4.67、36.9h。有机溶剂中光解速率顺序是:正己烷﹥甲醇﹥乙腈﹥丙酮。     

常压CVD法制备氮氧化硅薄膜沉积特性的研究

采用常压化学气相沉积方法(atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD)制备了氮氧化硅(Si—O—N)薄膜,研究了影响其沉积速率和生长模式的因素。在φ(NH_3):φ(SiH_4)=20:1,基板温度为650℃的条件下,当混合气体流量小于720ml/min时,薄膜的形成主要受气体扩散过程控制;当混合气体流量大于720 ml/min时,则主要受表面气相反应过程控制;混合气体流量为720 ml/min的条件下,氮氧化硅薄膜的沉积过程主要受基板表面的气相反应过程控制,薄膜沉积厚度与沉积时间成线性关系,反应速率为常数1640 nm/min,表面活化能为283 kJ/mol。通过SEM分析发现:氮氧化硅薄膜的形成方式符合三维成核模型,即反应初期Si,N,O等原子在基板表面相遇结合在一起形成原子团,一定数量的原子团构成临界核;反应中期临界核长大为岛状结构,岛不断长大,岛与岛之间相互接合形成通道网络结构;反应后期,原子不断填补网络空洞,最后成为连续薄膜。     

多孔类石墨相氮化碳的制备及光催化性能研究

通过简单的氨水水热法制备得到了多孔g-C3N4光催化材料。利用 X 射线衍射（XRD）、红外光谱（FT-IR）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）研究了氨水对多孔g-C3N4结构的影响。并以亚甲基蓝为目标分解物考察了样品的可见光催化活性。研究结果表明：制备得到多孔g-C3N4具有由2D 纳米片和相互连通的孔道组成的多孔纳米结构。多孔g-C3N4的可见光催化活性得到了提升,原因在于相较于普通g-C3N4,多孔g-C3N4能够提供更多的光催化反应活性位点,并且具有更高的光生载流子分离及迁移效率。