激光复合诱变黑曲霉S—1原生质体选育生淀粉糖化菌的研究

本研究以黑曲霉S-1原生质体为对象,采用激光、紫外线和亚硝基胍等理化诱变剂进行不同顺序单因子和多因子复合诱变,最后选育出高产生淀粉糖化菌突变株523的试验过程。     

智能变电站IEEE1588时钟同步冗余技术研究

针对智能变电站时钟同步系统现状,提出了基于IEEE1588的时钟同步系统冗余方案。在分析IEEE1588的实现原理及其特点的基础上,提出了单钟方案、双钟互备方案和双钟双扩展方案。重点对双钟互备方案进行了阐述,并详细分析了时钟冗余切换原理和过程。同时,进一步对双钟互备方案在变电站单网和双网模式下,不同网络方案对时钟冗余造成的影响进行了研究。     

平面模型铬交联聚合物调剖物理模拟

按纵向非均质、正韵律、渗透率变异系数为０．７２的地质条件设计制作了平面非均质物理模型，以３３３０Ｓ型部分水解聚丙烯酰胺与三价铬形成的凝胶为调剖剂，用五点法井网布井，调剖深度为１／３井距，开展交联聚合物调剖实验，分析调剖剂的纵向调整及平面控制效果，为现场应用提供了较详实可靠的实验依据。     

PLC可编程控制器在电梯控制系统中的应用

电梯的控制系统影响电梯各方面的性能,对PLC可编程控制器应用于电梯中的优越性展开讨论,并对未来电梯的发展趋势进行了阐述。PLC可编程控制器在电梯控制系统中的运用会对今后电梯的发展具有深远的意义。     

Mg-7Li合金微弧氧化过程放电规律及涂层耐蚀性分析

文中采用高速摄影机、原子力显微镜和电化学工作站研究了Mg-7Li合金表面微弧氧化过程的放电规律以及涂层的耐蚀性.结果表明,在硅酸钠溶液中,微弧氧化电源一个脉冲周期内同一位置的放电击穿持续到脉冲结束;不同脉冲周期内,放电击穿反复在同一位置进行,其断续时间达到160 ms以上.表面制备微弧氧化涂层合金的电极电位比基体提高了78.1 mV,腐蚀电流密度降低2个数量级,显著提高了镁锂合金的耐蚀性.     

SG440t/h循环流化床锅炉脱硫情况分析

运河发电有限公司一期续建工程两台440t/h循环流化床锅炉,自投产以来锅炉脱硫效果较差,致使排烟中的含硫量超标严重,根本无法满足国家环保要求.经过我们认真分析、研究,对系统进行了优化改造,并且通过优化运行调整、合理控制石灰石粒度,减少了石灰石耗量,提高了脱硫效率,降低了SO2的排放,满足了国家环保要求.本文针对影响循环流化床锅炉脱硫存在的问题、石灰石系统改造情况、运行调整情况进行了认真分析.     

TiC／Ti复合材料动态拉伸的裂纹形成及扩展机制

采用熔铸法制备的原位自生TiC／Ti复合材料，在SEM中静载动态拉伸，原位观察和研究了裂纹的萌生及扩展机制。结果表明，TiC颗粒表面及应力集中处最容易萌生微裂纹；在不同位置萌生的微裂纹中，处于有利位向的微裂纹不断扩展，并与周围的裂纹连接形成主裂纹；主裂纹扩展主要是通过自身扩展与周围的裂纹连接相结合的方式进行，当裂纹扩展受阻时，裂纹前方颗粒处形成新的裂纹或基体中形成塑性坑，并通过扩展相互连接；裂纹扩展到一定程度后，试样全面失稳而迅速断裂。根据试验观察与分析建立了裂纹萌生与扩展模型。     

焊接质量检测与评价课程教学改革研究

焊接质量检测与评价课程是焊接专业学生必修的一门主要专业课,具有较强的跨学科性和实践性.通过调整和优化课程结构、灵活运用多种教学方法、理论与实践教学相结合、采用多元化考核等途径可以调动学生学习的主动性,培养学生分析问题和解决问题的能力,显著提高该课程的教学质量.     

铸造纯钛表面微弧氧化工艺研究

微弧氧化技术可以有效地改善钛合金的表面性能.实验以Na3PO4.12H2O为电解质对铸造纯钛进行微弧氧化.结果表明,不同电压的微弧氧化效果不同,铸造纯钛的微弧氧化的最佳工艺参数为电压275V,电解质浓度15g/L,时间15min.纯钛微弧氧化后表面为一层为致密和一层带有微孔的双层TiO2氧化膜,氧化膜是由于火花放电和排出气体形成的.     

铸造Ti60氧化形貌的研究

为了研究铸造Ti60的高温氧化形貌,采用熔铸法制备了Ti60合金铸锭,并利用金相显微镜、电子天平、SEM研究了铸态Ti60的金相组织,在不同加热温度保温5 h的氧化增重和表面形貌.结果表明,铸态Ti60的金相组织为针状(α+β)+少量富钕颗粒;在700℃-1 100℃,随着加热温度的升高,铸造Ti60氧化加重,形成氧化钛膜;700℃-900℃,试样增重只有0.110%-0.609%;1 100℃氧化增重严重,达到9.137%;钛的氧化增重为吸氧.铸态Ti60试样表面形貌,700℃氧化钛膜很薄较致密;900℃试样表面有较多的白色颗粒和少量腐蚀坑,表面不致密;1 000℃形成片状和块状TiO2;1 100℃氧化层为厚大块状的TiO2.氧化过程为高温时,氧化膜粗大变得疏松多孔,氧通过氧化膜扩散进基体.