9kHz～1.4GHz高精度快速随机跳频DDS频率合成器

为适应微波系统对频率合成器在高频率精度、频率捷变、随机跳频等方面的要求,文中设计了一种基于DDS芯片AD9914的频率合成器。论文阐述了优化频率控制字的计算方法,结合线性反馈移位寄存器LFSR产生随机跳频点,并利用FPGA对AD9914进行软硬件控制,使该频率合成器能够达到10 ^-5 Hz的频率精度以及百纳秒内的随机扫频。测试结果表明在输出9 kHz1.4 GHz频率时,该频率源频点准确,全频带扫频且跳频切换时间为90 ns,达到了高精度捷变频的目标,应用前景广阔。     

硅基金字塔结构光控太赫兹调制器

提出一种硅基金字塔结构光控太赫兹波调制器。通过化学刻蚀方法在高阻硅基底形成微米级的金字塔结构,研究该结构与高阻硅片对激光的反射率及对太赫兹的调制情况。实验表明,金字塔结构可有效降低激光反射率,提升激光利用率,并且通过增加太赫兹波调制面积,达到显著增强太赫兹波的调制效果,其调制深度达到90%以上。该硅基金字塔结构光控调制器可在极低的激光功率下工作,具有宽带、大幅度调制的特点,在太赫兹成像领域具有重要应用价值。     

多层旋磁介质材料中的耦合法拉第效应

基于磁介质听传输短的边界矩阵处理方法,建立了多层旋磁介质材料耦合法拉第角计算模型,分析了ＢｉＤｙＩＧ多层石榴石旋磁薄法拉第角频谱、结果表明分层「Ｂｉ：ＤｙＩＧ／Ａｌ」材料在３００－５８０ｎｍ波长范围具有中的法拉第效应,这有有利于短波高密度磁光记录和微波法拉第器件性能改善。     

同轴线型低通滤波器的设计

该文介绍了同轴线型低通滤波器的设计原理与方法,并以结构二,即同轴线内导体外直径统一,外导体内直径呈阶梯变换实现了截止频率为4GHz的同轴线型低通滤波器。结构二相比于结构一,即外导体内直径统一,内导体外直径呈阶梯变化的优势是其设计简单,体积较小且性能更好。测试结果表明,所制作的同轴低通滤波器有良好的性能指标,在整个通带内插入损耗小于0.4dB,回波损耗大于15dB,在通带外6GHz处的抑制约为36dB,整体满足了设计要求。     

掺杂Bi_2O_3-Al_2O_3对NiZn铁氧体耐热冲击性能的影响

研究了在NiZn铁氧体中复合添加Bi_2O_3-Al_2O_3对NiZn铁氧体机械强度和耐热冲击性能的影响,并利用X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)等对NiZn铁氧体样品的显微结构和电磁性能进行表征分析。实验结果表明,采用传统陶瓷制备工艺,复合添加0.6%Bi_2O_3+1.2%Al2O3(质量分数)能够明显地改善NiZn铁氧体的显微结构,机械强度达到150 MPa,热冲击完好率达到95%,同时还具备了较良好的电磁性能。     

退火工艺对射频磁控溅射Bi:YIG薄膜磁性能的影响

对于用射频磁控溅射技术在Si基片上制备的Bi:YIG系薄膜,用快速循环退火方法对其进行晶化处理,研究了退火温度对Bi:YIG薄膜结晶状态和形貌的影响,以及退火气氛和循环周期对薄膜性能的影响.结果表明,用快速循环退火可以在si单晶基片上得到磁性能优良的薄膜(饱和磁化强度139 kA/m,矫顽力6.37 kA/m)并使薄膜形貌有较大改善,在石英基片上制备的薄膜法拉第角比常规退火的薄膜增大了约一倍.     

Application of high-temperature permanent magnets Sm（Co,Fe, Cu,Zr）z in PPM focusing system

Rare earth permanent magnets Sm（Co, Fe, Cu, Zr）z with outstanding performance and high-temperature thermal stability were fabricated. Optimized by Fe content and process, Sm（Co0.72Fe0.15Cu0.1Zr0.03）7.5 magnet with B1〉0.75 T and Hci〉1300 kA/m at 300 ℃ can be obtained. According to the performance data of Sm（Co0.72Fe0.15Cu0.1Zr0.03）7.5, the magnetic field along central axis Bz in periodic permanent magnet （PPM） focusing system was simulated using electromagnetic field analysis software Maxwell 2D/3D. The Bz exhibited typical cosine curve along central axis, and the peak value of Bz was high enough to meet the demand of PPM focusing system at room temperature even at 200±20 ℃. Additionally, a kind of simple cooling structure for PPM focusing system was designed by setting cooling pipe between polepieces. Simulated results showed that smooth cosine curve of Bz was successfully achieved with good control of the thickness of cooling pipe.     

线性自旋阀读磁头的材料性能及结构参数优化（二）

优化材料性能参数和自旋阀巨磁电阻磁头的结构参数是磁器件实用化的关键。基于建立的物理计算模型,首先将自旋阀巨磁电阻磁头传感单元作为有源磁电阻放入前端放大电路,对输出电压,二次谐波及线性区间进行态模拟发现在宽ｇ１＋ｇ２≤０．７μｍ,线性偏电流１０－５０ｍＡ范围内,自旋阀磁头相对记录介质有线性信号输出。     

烧结温度对镍锌功率铁氧体磁性能的影响

为得到Zn含量不同时NiZn铁氧体材料的最佳烧结温度,用氧化物法制备了NiZn铁氧体材料,研究了烧结温度对材料起始磁导率、功耗、饱和磁感应强度和微结构的影响.结果表明,适宜的烧结温度对制备功耗低、饱和磁感应强度高和较优起始磁导率的NiZn铁氧体材料至关重要,而Zn含量不同时对应材料的最佳烧结温度也各不相同.     

复合添加对锂铁氧体烧结特性和电磁性能的影响

用传统的陶瓷工艺制备Li铁氧体材料.研究了复合添加Bi2O3等多种添加剂的作用.结果表明,添加适量超细球状Bi2O3粉可有效抑制Li的挥发,同时引入Zn2 、Ti4 、Mg2 、Mn2 等金属离子可将锂铁氧体的烧结温度降低至900℃以下,从而实现与银内电极的低温共烧.测试分析表明复合添加上述金属离子的锂铁氧体材料性能显著提高.起始磁导率μi =35～250,温度系数αμ(10kHz)5～7×10-6/℃,截止频率fc=12～86MHz,电阻率ρ>109Ω·m,居里温度TC>100℃.