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采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列,其单元外形均具有高度的一致性,且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6nm;利用AFM研究了SST存储单元的I-V特性,阈值电压为1.56V,高、低电阻态阻值变化超过两个数量级。实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值。 相似文献
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采用Mg粉的无压熔渗法制备Mg/NiTi复合材料以提高多孔NiTi合金的强度和阻尼性能。通过OM、SEM、EDS和XRD分析Mg/NiTi复合材料的显微组织结构,采用压缩实验分析其抗压强度、吸能能力,采用热机械分析仪分析其内耗和存储模量。结果表明:经Mg粉无压熔渗后,多孔NiTi合金的孔隙被Mg填充,其孔隙率由原来的50.38%下降至5.6%,且Mg与NiTi合金的界面结合良好。多孔NiTi合金主要由B2奥氏体相和B19'马氏体相及少量Ni3Ti相和NiTi2相组成;Mg/NiTi复合材料除增加了熔渗的Mg相外,还新生成了Mg2Ni相。Mg的渗入未改变多孔NiTi合金相变行为,但提高了相变温度。Mg/NiTi复合材料的抗压强度可达554 MPa,较多孔NiTi合金提高了61%,压缩断裂方式也由多孔NiTi合金的孔壁崩塌断裂转变为Mg/NiTi复合材料的剪切断裂。Mg/NiTi复合材料的吸能较多孔NiTi合金有大幅提高。同时,Mg/NiTi复合材料的内耗值有所增加,而存储模量大幅提高,整体呈现出更佳的阻尼性能。 相似文献
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本文通过对二十几个散热器厂家多种散热器散热量的测试结果。利用数学方法对其进行归纳总结,得出各种散热器在常见进出口水温情况下散热量的温度修正因数,此修正因数为在工程设计中配置各种散热器的数量提供依据。 相似文献
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纳米级水性炭黑分散液的制备研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对比实验对工艺参数进行了优化,在分散剂添加量5%(炭黑分散液质量分数)、分散液添加量100g、锆珠型号0.2mm、锆珠体积填充率50%、砂磨时间40min、砂磨机转速3500r/min,可以得到细化炭黑分散液.通过粒度测试、Zeta电位测试、TEM,表明炭黑颗粒粒度为20~40nm,颗粒表面Zeta电位为-45~-50mY,所制备色浆静置3个月,所拍TEM照片表明该分散液具有优良的储藏稳定性,并且红外光谱测试表明,炭黑颗粒表面包覆了超分散剂聚合物分子链. 相似文献
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