0-3/1-3混合连通型铁电陶瓷-铁电聚合物的热释电性

推导出了0-3/1-3混合连通型铁电陶瓷-铁电聚合物的热释电系数表达式, 并详细讨论了陶瓷体积分数 v₂和陶瓷颗粒粒径与膜厚比(G/t)分别对复合材料的热释电系数p_c及p_c/ε_c(ε_c为复合材料的介电常数)的影响。结果表明: 当G/t≥0.5时, 不同陶瓷体积分数复合材料的热释电系数p_c均趋向于某个定值, 说明此时G/t对热释电系数的影响可忽略不计; 另外当陶瓷体积分数为0.1时, 随着G/t的增大, p_c /ε_c出现一个极大值, 且当G/t=0.9时, p_c /ε_c比纯PZT陶瓷的大8倍, 表明此条件为最佳工艺条件。而且, 在低陶瓷体积分数和低G/t比时, 理论曲线与实验数据符合较好。      

挠曲电效应及其应用研究进展

挠曲电效应是一种应变梯度与电极化(正挠曲电效应)或电场强度梯度与应变(逆挠曲电效应)之间的力电耦合效应。与压电效应不同,挠曲电效应不受材料对称性、Curie温度所限制,且随着材料尺寸减小而不断增强,因而具有广阔的研究与应用前景。本文主要总结了挠曲电效应的发展历史、挠曲电系数测量、挠曲电效应增强机制以及当前研究进展,重点介绍了挠曲电效应在传感器、致动器、机械存储器、挠曲电压电复合材料、俘能器以及新型电子器件等领域应用的最新研究进展,最后对挠曲电效应的发展前景进行了展望。     

氧化气氛热处理对BaTiO3热敏电阻电性能的影响

对常阻值小于标移阻值ＰＴＣＲ热敏电阻在氧化气氛中（氧分压１ｇＰＯ２＝－０．３３５７￣－０．４９１４）于６００℃、８００℃、９００℃分别处理２ｈ、４ｈ、６ｈ,对处理的热敏电阻电性能及老化特性进行了研究。结果表明,在满足产品电性能要求的前提下,氧化气氛热处理在一定程度上可以调整ＰＴＣＲ热敏电阻的常温阻值,提高产品的合格度。     

拉伸工艺对PVDF薄膜形貌与结构的影响

聚偏二氟乙烯(PVDF)薄膜中,β相的相对含量对其压电、铁电性能起决定性作用。利用单轴拉伸工艺制备了高β相的相对含量的PVDF薄膜,运用XRD、SEM和FT-IR等测试手段,分析了拉伸过程中PVDF薄膜形貌与结构的变化,重点讨论了不同拉伸比R对薄膜微观结构及β相的相对含量的影响。结果表明:PVDF薄膜中的α晶相受均匀外力作用转变成β晶相,在80℃下拉伸5倍时,薄膜中β相的相对含量可高达77%。     

护士睡眠自适应能力与睡眠质量的关系

钛酸锶钡(BST)组分梯度多层厚膜具有较好的综合介电性能,包括适中的介电常数、高的介电温度系数、低的介质损耗等,日益成为红外探测器、微波调制器件的重要候选厚膜材料.采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Mn掺杂6层不同组分梯度BST厚膜.厚约5 μm.研究了梯度BST厚膜的微观结构及其介电性能.X-射线衍射(XRD)分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的厚膜材料.扫描电镜(SEM)电镜显示,厚膜表面晶粒大小均匀,排列紧密,致密性好,梯度BST厚膜的介电峰温区覆盖常温,介电常数峰值为920,介电损耗约为1.8×10-2.     

MnO对改性钛酸铅陶瓷压电性能的影响

ＭｎＯ对Ｐｂ_（１－ｘ）Ｓｒ_ｘ［（Ｓｂ_（１／２）Ｎｂ_（１／２））_ｙＴｉ_（１－ｙ）］Ｏ_３改性钛酸铅压电陶瓷兼有“软性”和“硬性”改性作用。实验表明,添加适当的ＭｎＯ可以得到介电常数εｒ＝２４０,机电耦合系数是ｋｔ＝２４８．５％,机械品质因数Ｑｍ＝１５００,居里温度Ｔｃ＝４３５℃的高稳定性压电陶瓷材料。该材料在高温及高频器件的应用方面有重要的应用价值。     

热释电非制冷红外焦平面现状及发展趋势

一维和二维阵列的热释电非制冷红外焦平面非常适合应用于热成像.混合式的BST铁电探测器降低了成本,市场潜力巨大.分析了热释电非制冷红外焦平面阵列探测技术的优势,介绍了热释电非制冷红外探测器工作原理及热释电非制冷红外焦平面阵列对探测材料的要求,指出了混合式及单片式热释电非制冷红外焦平面阵列发展趋势.制备高一致性和高性能的大阵列的探测元是发展非制冷红外焦平面的关键,针对我国在热释电非制冷红外焦平面阵列研究方面存在的问题,提出了下一步研究的方向及重点.     

BST陶瓷场致热释电性能的研究

采用改进的电子陶瓷工艺,制备了高密度Ba0.6Sr0.4TiO3热释电陶瓷样品.研究发现,在1 340 ℃下烧结的样品,其密度可达到理论密度的98.3%.室温下测得样品的介电损耗为0.2%.外加直流偏场对材料的介电和热释电性能影响显著.样品的场致热释电系数为3.4×10-8 C/cm2·℃,探测率优值为10.0×10-5 Pa-1/2.     

铁电厚膜焦平面探测器微桥湿法刻蚀工艺研究

为了制备高性能铁电厚膜红外探测器,对硅材料的各向异性腐蚀机理及特性进行了探讨,开展了(100)硅片湿法各向异性腐蚀工艺研究.研究KOH摩尔比、腐蚀温度对si基片腐蚀特性的影响.在KOH与IPA混合腐蚀液腐蚀系统中,氢气泡可以快速的脱离硅表面,使得硅表面的形貌得到改善.结果表明:Si(100)面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和温度的升高而增大,选用KOH质量分数为34%、11%的IPA,在80℃、1.5h的腐蚀条件下能得到平整的腐蚀面,可以制备质量较好的微桥结构.     

施主掺杂对TiO2氧敏材料缺陷化学的影响

对施主V2O5掺杂TIO2材料的高温电导进行了详细的测试：XRD分析表明少量施主掺杂并未改变材料的金红石结构；施主掺杂样品在较高温度测试时，在高氧分压一侧，发生电导类型转变，从而使测氧范围变窄。运用缺陷化学分析法，解释了不同氧分压下的电导机制。