片式叠层压敏电阻器的发展和应用

本文论述了国外开发的几种片叠层压敏电阻的结构,特性及当前的发展方向,介绍了这类压敏电阻器在集成电路保护,汽车电路保护和ＣＭＯＳ器件保护等方面的应用。     

双施主掺杂BaTiO3半导体陶瓷材料的研究

以 Sb2 O3单施主和 Y2 O3 Nb2 O5 双施主作为半导化元素 ,对低阻 Ba Ti O3半导体陶瓷的 PTCR特性进行了研究 ,通过不同的掺杂方式及工艺得到了低电阻率 PTC陶瓷材料 ,室温电阻率ρ2 5 =4· 49Ω· cm ,温度系数 αT=6 .0 4× 10 - 2 °C- 1 ,升阻比 β=1.0× 10 3,对低阻 PTC材料进行了探讨。     

冰箱马达启动器用PTCR综合参数测试系统的研制

针对冰箱马达启动器用PTCR工作时独特的电流 -时间特性 ,选用 80 98准 16位单片机为核心 ,组成测试系统 ,对系统的软硬件进行了分析。该测试系统能准确检测冰箱马达启动器用PTCR的常温电阻、动作时间、恢复时间和耗散功率。     

TiO_2高温电导及缺陷化学分析

对 Ti O2 高温电导机制和缺陷化学进行了详细的理论分析和推导 ,计算了未掺杂样品的电导激活能。电导激活能不仅与温度有关 ,而且与载流子的特性有关。在低温高氧分压下 ,电导激活能大 ,氧缺位浓度较小 ,缺陷以一价氧缺位为主 ;而在高温低氧分压下 ,电导激活能小 ,氧缺位浓度较大 ,缺陷以二价氧缺位为主     

TiO2高温电导及缺陷化学分析

对TiO2高温电导机制和缺陷化学进行了详细的理论分析和推导，计算了未掺杂样品的电导激活能。电导激活能不仅与温度有关，而且与载流子的特征有关。在低温高氧分压下，电导激活能大，氧缺位浓度较小，缺陷以一价氧缺位为主；而在高温低氧分压下，电导激活能小，氧缺位浓度较大，缺陷以二价氧缺位为主。     

改进sol-gel技术BST薄膜的制备及性能研究

为了制备高性能BST薄膜,采用改进的溶胶 凝胶(sol gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同结构、不同组成的BST薄膜;研究了BST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能。XRD分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的薄膜材料。SEM电镜显示,含种子层的Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ3种不同类型的BST薄膜的结晶状况有很大改善。得到的BST20薄膜的介电峰温区覆盖常温段,介电常数为405,介电损耗为0.011,剩余极化强度为Pr=2.3μC·cm-2,矫顽场为Ec=45kV/cm。     

表面研磨对PTCR陶瓷性能的影响

研究了平面研磨对PTCR陶瓷性能的影响,经研磨后样品的耐电力感应能力有了明显的提高,但是耐电压能力也发生了比较显著的下降。并初步探讨了影响的原因。     

Bi2O3及MnO2掺杂对[(Pb,Ca) La](Fe,Nb)O3介质陶瓷结构及微波性能的影响

研究了Bi2O3及MnO2掺杂量对[(Pb0.5Ca0.5)0.92La0.08](Fe0.5Nb0.5)O3陶瓷结构及介电性能的影响.结果表明Bi2O3及MnO2均是良好的烧结助剂,可降低体系的烧结温度60～100 ℃,同时提高陶瓷的密度.XRD图谱证明当MnO2的质量分数≤2%时,陶瓷为钙钛矿相及焦绿石相,表明Mn4+进入主相晶格,而Bi2O3的掺杂会使体系中出现未知第三相.随MnO2的增加,陶瓷的介电常数先增加后减小,同时使品质因数及谐振频率温度系数的单调下降.Bi2O3的掺杂则会使陶瓷介电常数及谐振频率温度系数升高,而品质因数下降.Bi2O3及MnO2的联合掺杂比单一掺杂更有效地降低了陶瓷的烧结温度,达100～140 ℃,且在低温烧结条件下有比单一掺杂时更好的微波介电性能.其中当Bi2O3和MnO2的质量比k=1,2种添加物总质量分数w=1%,烧结条件为1 050 ℃,保温4 h,陶瓷的相对介电常数εr,品质因数(Q)与谐振频率(f)的乘积Qf以及谐振频率温度系数分别为91.1, 4 870 GHz和18.5×10-6/℃.     

Bi_2O_3和Sb_2O_3的预复合对ZnO压敏电阻性能的影响

采用固相法对Bi2O3和Sb2O3进行了预复合,并研究了不同比例的Bi2O3与Sb2O3预复合对ZnO压敏电阻致密度,晶粒结构和电学性能的影响。结果表明:当Bi2O3与Sb2O3的摩尔比为0.7:1.0时,ZnO压敏电阻的综合性能最优,其晶粒生长得最为均匀致密,电位梯度达到361V/mm,非线性系数为86,漏电流密度为7×10–8A/cm2;另外,在耐受5kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,其残压比和压敏电压变化率分别为2.6和2.5%。     

新型PST铁电薄膜的制备及其电性能研究

PST铁电薄膜是一种具有优良铁电、热释电和介电等性能的铁电材料.该材料在红外探测器、红外焦平面阵列、热成像器件、非易失性铁电存储器和大容量电容器等方面具有广泛的应用.PST铁电薄膜的制备方法多种多样,各具优缺点,不同的制备工艺对薄膜的性能有影响.叙述了PST铁电薄膜的制备技术、电性能和在热释电红外探测器方面的应用.