27.12 MHz基片偏压在调控磁控溅射离子能量中的作用研究北大核心CSCD

在基片上施加射频偏压,调控入射离子能量特性,可以有效地控制薄膜生长与性能。常用的13.56 MHz射频基片偏压具有入射离子能量呈展宽发散分布、较强的高能离子轰击作用问题。为解决这些问题,本文通过提高射频偏压频率的方法,采用拒斥场能量分析技术,研究了27.12 MHz射频基片偏压对磁控溅射基片表面离子能量分布特性和离子通量密度性能的影响。结果表明,27.12 MHz射频基片偏压可以有效降低高能离子密度,提高低能离子密度,使离子能量更集中分布,从而降低高能离子对基片的轰击作用。离子能量分布特性的变化与基片偏压频率提高导致的离子渡越鞘层时间τi延长、离子与中性基团碰撞几率增大有关。碰撞几率增大使高能离子比例降低、低能离子比例增大,离子能量分布变窄,离子能量的发散降低。因此,提高基片射频偏压频率,可以降低离子能量的发散和高能离子对基片产生的不利作用。     

HfO2在CHF3,Ar和H2的感应耦合等离子体中的刻蚀行为

通过改变偏压功率和气体气压的宏观条件,利用CHF3,Ar和H2的感应耦合等离子体(ICP)对HfO2和RZJ-306光刻胶进行了刻蚀选择性实验研究.结果表明,HfO2与等离子体化学相互作用的刻蚀产物属于非挥发性的,容易造成边墙的堆积而形成"驼峰"形,因而需要借助于Ar 的辅助轰击来消除边墙堆积,典型的HfO2/光刻胶的刻蚀选择比在0.2～0.5之间.在射频源功率400 W、气压0.5 Pa、射频偏压-400 V、流量比为Ar∶CHF3∶H2=40 sccm∶18 sccm∶2 sccm的优化条件下,利用感应耦合等离子体刻蚀特性,对光刻胶作为掩膜的HfO2/BK7玻璃进行刻蚀,扫描电镜的测试结果表明,光栅的图形转移效果较好.红外激光波长为1064 nm时,所测得的光栅二级衍射效率在71%以上.     

基于USB接口的高密度数据采集系统

随着客户对系统数据采集速度要求的不断提高，USB作为一种新型的接口技术，以其简单易用、速度快而被广大用户所接受．本文简要的介绍PHILIPS公司的USB接口芯片PDIUSBD12以及在数据采集系统中的应用，并详细介绍了USB驱动程序开发的一般流程．     

波形弹簧的失效分析与改进设计

针对波形弹簧的失效现象,通过断口形貌分析、硬度分析与微观结构分析,确认由于刚度设计不足,导致在洗衣机工作过程中波形弹簧产生相对转动,造成材料磨损,厚度减小,最终在动态载荷作用下疲劳断裂.针对以上失效原因,应用MATLAB软件分析波形弹簧刚度的关键因子,提出具有可行性的改进设计方案.     

浅谈陶瓷艺术装饰

正自从有了陶瓷并与人们生活当中的使用,随之而来的就是陶瓷艺术的装饰,陶瓷艺术装饰随之就出现了多种装饰手法。装饰表现手法有:①坯的装饰。未烧之前在坯上刻划、堆雕、捏塑,可以形成与造型融为一体的装饰。②釉的装饰。利用釉的色釉和光泽变化,选择不同的施釉部位和方法,可以形成一定的装饰效果。③彩的装饰。在未烧成的素坯上用釉下彩,在已烧成的胎体上用釉上彩,作各种纹饰的描绘,是最多见的装饰方法。现代印刷技术的发展,把设计     

电力电子并网变换器中锁相环的参数设计

电力电子并网变换器对电网电压的频率和相位检测有很高的精度和实时性要求,锁相环是实现并网同步运行所需的有效检测方法。通过分别对单相和三相锁相环的线性化近似处理,可以得到简洁的锁相环近似等效结构图,为其中的PI控制器参数整定提供了良好的设计平台。通过仿真和基于DSP的实验平台测试数据表明,根据这样的近似等效结构图设计的PI控制器参数,可以获得很好的锁相环控制效果。     

微波ECR—CVD低温SiNx薄膜的氢含量分析

利用红外光谱技术研究了微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）法在低温条件下制备的ＳｉＮ。膜的键的结构和氢含量，分析了微波 功率和后处理条件对膜含量的影响及其成因，提出适当提高微波功率是降低微波ＥＣＲ－ＣＶＤ低温ＳｉＮｘ膜中氢含量的可能途径。     

准分子激光泵浦的可调谐染料激光的研究

用KrF准分子激光泵浦PTP染料,在甲醇、乙醇、环已烷和二(口恶)烷四种溶剂中得到了紫外激光,调谐范围为335.8～345.9毫微米,激光线宽约8埃。用乙醇作溶剂时激光转换效率为21％。     

高气压XeBr激光器

我们采用HBr作为卤素施主,在紫外光预电离横向放电器件中获得了相当强的XeBr激光振荡.摄得的荧光光谱不同于文献的结果.     

基于铁谱技术的车轴齿轮箱监测与研究

齿轮副的运行状态直接影响整个机械系统,对齿轮箱的检测可以掌握设备状态,具有重大经济和社会效益。运用铁谱技术对车轴齿轮箱监测,分析其运行状态,预测其故障及出现位置,并提出了相关建议。