针孔缺陷对集成电路功能成品率影响分析与仿真

对集成电路针孔缺陷引起功能成品率下降的模型进行了研究 ,给出了分析和仿真针孔功能成品率的两种计算方法—— Monte- Carlo方法和关键面积提取方法 ,这对集成电路成品率设计和分析是非常重要的     

深亚微米MOS器件的热载流子效应

对深亚微米器件中热载流子效应(HCE)进行了研究.还研究了沟道热载流子的产生和注入以及与器件工作在高栅压、中栅压和低栅压三种典型的偏置条件的关系.在分析热载流子失效机理的基础上,讨论了热载流子效应对电路性能的影响.提出影响晶体管热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率及晶体管在电路中的位置.通过对这些失效因素的研究并通过一定的再设计手段,可以减少热载流子效应导致的器件退化.     

深亚微米MOS器件的热载流子效应

对深亚微米器件中热载流子效应(HCE)进行了研究.还研究了沟道热载流子的产生和注入以及与器件工作在高栅压、中栅压和低栅压三种典型的偏置条件的关系.在分析热载流子失效机理的基础上,讨论了热载流子效应对电路性能的影响.提出影响晶体管热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率及晶体管在电路中的位置.通过对这些失效因素的研究并通过一定的再设计手段,可以减少热载流子效应导致的器件退化.     

衬底热空穴注入下的薄栅氧化层击穿特性

利用衬底热空穴(SHH)注入技术,分别定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化.阈值电压的漂移表明是正电荷陷入氧化层中,而热电子的存在是氧化层击穿的必要条件.把阳极空穴注入模型和电子陷阱产生模型统一起来,提出了薄栅氧化层的击穿是与电子导致的空穴陷阱相关的.研究结果表明薄栅氧化层击穿的限制因素依赖于注入热电子量和空穴量的平衡.认为栅氧化层的击穿是一个两步过程.第一步是注入的热电子打断Si一O键,产生悬挂键充当空穴陷阱中心,第二步是空穴被陷阱俘获,在氧化层中产生导电通路,薄栅氧化层的击穿是在注入的热电子和空穴的共同作用下发生的.     

衬底热空穴耦合的薄栅TDDB效应

通过衬底热空穴(SHH,Substrate Hot Hoel)注入技术,对SHH增强的薄SiO2层击穿特性进行了研究.与通常的F-N应力实验相比,SHH导致的薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性.其击穿电荷要比F-N隧穿的击穿电荷大得多,栅氧化层的击穿电荷量与注入的空穴流密度和注人时空穴具有的能量以及栅电压有关.这些新的实验结果表明F-N应力导致的薄栅氧化层的击穿不仅由注入的空穴数量决定.提出了一个全新的衬底热空穴耦合的TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)模型.     

实践创新机制促进黄河治理开发与管理水平的提高

为认真贯彻落实水利部治水新思路．水利部黄河水利委员会（以下简称“黄委”）2003年提出“创新思维，艰苦奋斗”的精神，研究出台了《黄河水利委员会关于激励创新的实施办法》（以下简称《办法》），并在此基础上制定了《黄河水利委员会关于激励创新办法的实施细则（试行）》（以下简称《细则》），形成了黄委第一个以界定创新成果评审标准、申报程序、奖励办法为主要内容的尊重创新、激励创新、促进创新、规范创新的激励机制。     

90nm CMOS工艺下3×VDD容限静电检测电路

提出一种90nm 1.2VCMOS工艺下只用低压器件的新型3×VDD容限的静电检测电路.该电路利用纳米工艺MOSFET的栅极泄漏特性和反馈技术来控制触发晶体管并进而开启箝位器件(可控硅整流器),同时采用多级叠加结构以承受高电压应力.在静电放电时,该电路能产生38mA的触发电流.在3×VDD电压下工作时,每个器件都处于安全电压范围,在25℃时漏电流仅为52nA.仿真结果表明,该检测电路可成功用于3×VDD容限的接口缓冲器.     

深亚微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制

研究了深亚微米pMOS器件的热载流子注入(hot-carrier injection,HCI)和负偏压温度不稳定效应(negative bias temperature instability,NBTI)的耦合效应和物理机制. 器件在室温下的损伤特性由HCI效应来控制. 高温条件下，器件受到HCI和NBTI效应的共同作用，二者的混合效应表现为NBTI不断增强的HCI效应. 在HCI条件下器件的阈值电压漂移依赖沟道长度，而NBTI效应中器件的阈值电压漂移与沟道长度无关，给出了分解HCI和NBTI耦合效应的方法.     

可变长数据全并行FFT地址生成方法

本文通过对混合基4/2 FFT算法的分析,在优化采样数据、旋转因子存储及读取方法的基础上,提出了将N=2m点,m为奇、偶两种情况的地址产生统一于同一函数的算法,并设计了简单的插入值产生及快速插入位置控制电路,从而用一个计数器、同一套地址产生硬件,通过简单的开关模式控制,可实现任意长度FFT变换的地址产生单元,该地址产生单元在一个时钟周期内产生读取所需旋转因子及并行访存4个操作数的地址.本文设计的FFT处理器每周期完成一个基4或2个基2蝶式运算,在吞吐率高、资源少的基础上实现了处理长度可编程的灵活性,同时避免了旋转因子重复读取,降低功耗.     

EEPROM单元的电荷保持特性

利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.