圆形口径静电问题的边缘一致解析解

本文从环坐标系出发，严格分析了在均匀外电场激励下的圆形口径的边缘问题，得到了一系列重要的积分公式。并对所得结果进行推广，在特殊情况下，验证了它们的合理性。     

无线传感器网络中的网内信息处理技术

无线传感器网络（WSN）的传输技术发展迅速,但单纯的传输原始感知数据并不能满足传感器网络应用日益发展的智能化需求。传感器网络的网内信息处理技术在原始采集数据的基础上,将大量的信息处理和计算移植到传感网内部进行,从海量的、杂乱无章的、难以理解的原始数据中抽取并推导出对于某些特定的用户来说具有特定意义和判决参考价值的数据。网内信息处理技术能够降低网络数据传输量、节约能量资源、提高数据精度、减小传输延迟,以达到提高网络性能,高度契合用户信息需求的目标,是未来传感器网络技术发展的重要方向。     

信息通信网络解聚融合与下一代有线广播网

支撑有线电视网络向多业务发展的下一代广播网（NGB）是目前研究的重点,其中承载网络IP化、综合业务平台、端到端网络构架以及综合运营支撑系统等是目前研究的重点课题。从信息通信网络解聚融合的发展历程分析入手,给出了一种有线NGB体系参考模型,该模型通过去耦合组成多业务系统的各种网络资源和IT资源,实现资源重用和系统的可扩展性,除了网络功能组件以外,该模型同样适用于基于地面广播和卫星的NGB系统。     

Ad hoc网络中的路由算法

Ad hoc网络近年来的快速发展可望成为下一代网络的核心.在此背景下,对于相关路由算法进行全面的概括和总结对于Ad hoc网络的研究具有很重要的意义.本文介绍和分析了当前Ad hoc网络中的各种主要路由算法,包括表驱动路由协议和源发起按需路由,特别是源发起按需路由.对于源发起按需路由的时间复杂性、通信复杂性等作了较为详细的分析和性能比较,给出了各自的缺点和优点分析.同时进一步研究了Ad hoc网络中的不同算法的QoS问题,不仅考虑到时延、带宽,也考虑到链路或路由的稳定性、功率消耗等.在文章的后面部分,介绍了作者在QoS路由算法方面的一些研究思路以及多路由算法最新的发展趋势.     

连接器外壳电磁屏蔽性能的FDTD分析

本文利用时域有限差分法对连接器技术腔体的电磁屏蔽性能进行了模拟,经分析模拟结果发现,虽然连接器两端有进线孔,但金属腔与封闭的腔体类似,进入腔内的电磁波仍能发生强烈的电磁振荡,这使腔体的电磁屏蔽性能被降低,可见,腔内介质的存在降低了腔体对低频的抑制能力,研究还发现金属腔对不同方向入射的电磁脉冲的屏蔽能力各不相同.     

64DAPSK-OFDM与64QAM-OFDM系统性能比较

针对OFDM系统中的MQAM和MDAPSK两种子载波高阶调制技术,介绍了64QAM和64DAPSK信号的比特软输出解调方法,比较了64DAPSK-OFDM和64QAM-OFDM系统的误码性能。仿真结果表明,在频率选择性和时间选择性衰落信道下,若信道相邻子载波或相邻OFDM符号的相关性能得到保证,采用64DAPSK调制可以用较少的信噪比损失换取OFDM系统复杂度的大大降低。     

基于矩量法的印刷电路板的辐射分析

利用结合二级离散复镜像的矩量法,分析印刷电路板上微带线的电磁辐射问题.应用复镜像理论,详细地推导了微带线结构的闭式空域格林函数和计算公式.针对不同长度和不同端接负载的两平行微带线,进行了辐射研究.仿真结果表明,谐振长度的开路耦合线,产生的辐射功率大;端接匹配负载的耦合线,产生的辐射功率小.为此在高频数字电路设计中,必须确保线长不与谐振长度接近,终端均阻抗匹配.     

无线个域网mesh网络标准——IEEE 802.15.5*

为了进一步理解IEEE 802.15.5标准,对802.15.5的结构模型、关键技术及应用进行了介绍。讨论了IEEE 802.15.5对mesh网络的完全支持能力,并对高速个域网(HR-WPAN)和低速个域网(LR-WPAN)两种情况进行了比较,最后给出了WPAN存在的问题及展望。     

本地移动域内嵌套移动网络的路由优化

针对网络移动性基本协议所产生的次优路由问题,提出了一种新的路由优化解决方案,通过修改本地化管理框架、扩展路由器通告消息中的前缀信息选项以及采取相应的地址配置和移动性检测策略,区别对待移动子网在本地管理域内及域外的切换,同时解决了路由优化与信令开销问题,有效减少了数据传输的隧道长度、封装次数及传输延迟,尤其适用于移动子网在一定区域内频繁移动时的情况.     

本地化电磁危害

从本地化有源电磁辐射和电路结构边缘对于外场扰动的角度出发,提出一种本地化电磁危害(Localized Electromagnetic Hazards—LEH)的新概念。基于相关模型的分析可知,LEH不仅存在,而且对于电子系统、微电子系统中的板级和超大规模集成电路(VLSI)等有显著的相关和非相关电路效应。