排序方式: 共有74条查询结果,搜索用时 250 毫秒
31.
InGaAs/InP材料的Zn扩散技术 总被引:1,自引:0,他引:1
使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究.通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件.试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩散现象可以用填隙-替位模型解释.样品经过快速退火过程,获得了极高的空穴浓度.InP的空穴浓度达到7.7×1018/cm3,而InGaAs材料达到7×1019/cm3.在优化的扩散条件下,Zn扩散的深度和浓度精确可控,材料的均匀性好,工艺重复性好,能够应用于光电探测器或其他器件. 相似文献
32.
33.
34.
指出了国产10kV真空断路器及开关相发展中存在的问题,提出了要严格控制产品的质量,为用户提供名优产品,同时亦建议用户在选用新产品时,优先选用质量过硬厂家的产品,并对运行中应注意的问题提出了建议。 相似文献
35.
36.
GIS故障检测新技术 总被引:6,自引:1,他引:5
根据GIS局部放电特点和信号传播特性,研制了一种GIS故障检测装置,经过试验验证和现场实际应用,证明该装置是成功能,它能有效地检出GIS内部故障,定位准确。 相似文献
37.
38.
InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了InGaAs/InP材料的MOCVD生长技术和材料的性能特征。InP衬底的晶向偏角能够明显影响外延生长模型以及外延层的表面形貌,用原子力显微镜(AFM)观察到了外延层表面原子台阶的聚集现象(step-bunching现象),通过晶体表面的原子台阶密度和二维生长模型解释了台阶聚集现象的形成。对外延材料进行化学腐蚀,通过双晶X射线衍射(DCXRD)分析发现异质结界面存在应力,用异质结界面岛状InAs富集解释了应力的产生。通过严格控制InGaAs材料的晶格匹配,并优化MOCVD外延生长工艺,制备出厚层InGaAs外延材料,获得了低于1×1015cm-3的背景载流子浓度和良好的晶体质量。 相似文献
39.
40.