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71.
微腔激光器数码调制及其光纤传输的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
从微腔半导体激光器速率方程出发,分析讨论了微腔激光器的脉码调制特性,发现微腔具有较规则的脉冲响应,可以减少误码率;自发发射因子为0.1的微腔,具有脉码率高达50Gbit/s良好的调制眼图,微腔激光器在光互联中将有广泛的应用前景。模拟了以微腔激光器为光源的光纤通信系统,给出脉码率为10Gbit/s传输不同距离的接收眼图,证明能够实现60km的传输。  相似文献   
72.
近期.甘肃省质监局对甘肃省计量院计量检定员增项和新增取证进行了现场考核。考核组深入计量院各实验室.并随考核检定项目到省食品质量监督检验研究中心实验室和甘肃省肿瘤医院等工作现场进行了实际操作考核工作。考核全部通过。其中2人新取  相似文献   
73.
传统GNSS前端接收机系统中,可变增益放大器(VGA)不具备滤波功能,大多数选用片外滤波,这样系统增益和集成度降低,而系统集成的波器选频性能有限。为此,设计一种具有滤波功能的可变增益放大器,采用0.5μmSiGe HBT工艺,可控增益单元与Gm-C滤波单元集成一体,并运用4晶体管回转器结构实现滤波。电路驱动电压为3.3V,电流为11.7mA。线性增益控制范围为-26~62dB,且电压控制范围为0.1.8V,最小增益下输入1dB压缩点为-4dBm。可变增益放大器电路不仅具备大的增益控制范围,而且中频46MHz处滤波性能良好,提高芯片的集成度.降低系统功耗。  相似文献   
74.
传统GNSS前端接收机系统中,可变增益放大器(VGA)不具备滤波功能,大多数选用片外滤波,这样系统增益和集成度降低,而系统集成的波器选频性能有限.为此,设计一种具有滤波功能的可变增益放大器,采用0.5 μm SiGe HBT工艺,可控增益单元与Gm-C滤波单元集成一体,并运用4晶体管回转器结构实现滤波.电路驱动电压为3.3 V,电流为11.7 mA,线性增益控制范围为-26~62 dB,且电压控制范围为0~1.8 V,最小增益下输入1 dB压缩点为-4 dBm.可变增益放大器电路不仅具备大的增益控制范围,而且中频46 MHz处滤波性能良好,提高芯片的集成度,降低系统功耗.  相似文献   
75.
设计了一个应用于超宽带(UWB)系统的3~5 GHz超宽带低噪声放大器.电路由二阶切比雪夫滤波器,电阻并联反馈,两级共源共栅结构,源级跟随器组成.低噪声放大器采用0.18 mCMOS工艺进行设计,利用ADS 2006 A进行仿真.结果表明,低噪声放大器在3~5 GHz带宽范围内噪声系数(NF)小于2dB,功率增益在23.9~24.8 dB之间,输入端口反射系数小于-10dB,输出端口反射系数小于-15dB,IIP3为-11dBm在1.8 V的电源电压下,核心电路功耗为10 mW.  相似文献   
76.
利用有限差分光束传播法(FD-BPM)模拟出在不同折射率下的均匀光纤、锥形光纤及光纤对接中的光场分布,着重分析光纤的不同折射率分布对光纤传输能量以及光纤传输中造成能量损耗的影响,为研究不同折射率下光纤的能量传输特性奠定了理论基础.  相似文献   
77.
通过速率方程分析微腔激光器稳态、瞬态特性,发现在增强自发发射因子的微腔激光器,加速了载流子的积累,促进了激光输出,随着注入电流的增加.光增益作用增强,激光器由自发发射向振荡放大机制转化;在阶跃电流调制下,增大自发发射因子可以减弱或消除张弛振荡,提高响应速率,在脉码调制下,眼图张开面积随自发发射因子增大而变大,有利于高速光互联;最后模拟了微腔激光器作为光源的光纤通信系统,给出10Gbit/s传输60km的接受眼图。  相似文献   
78.
提出了一种角域四阶累积量切片谱方法,应用于提取连杆轴承微弱故障特征。首先,对升速过程振动信号进行阶比重采样得到角域平稳信号,再计算其四阶累积量对角切片谱,构成角域四阶累积量切片谱,用于分析不同转速区间、不同测试位置下的非稳态信号,提取连杆轴承微弱故障特征。试验结果表明:角域重采样与四阶累积量对角切片谱相结合,既能分析非稳态信号,又能抑制噪声干扰;特定阶比带内的角域四阶累积量对角切片谱的能量和峰值,能有效识别连杆轴承各种技术状态,可以作为连杆轴承磨损故障的特征参数;并得出了敏感测试位置、敏感转速区间和特征阶比带。  相似文献   
79.
薄膜生长的Monte Carlo模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
用MonteCalro方法通过matlab对薄膜外延生长进行了计算机模拟.模型中引入Morse势描述粒子间的相互作用,考虑粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发3个过程.研究了粒子间相互作用范围和允许粒子行走的最大步数对薄膜生长形貌的影响.结果表明:在不同的值下,随粒子行走步数的增加,薄膜的生长都经历了从分散、分形、混合到团聚的过程;在同一最大步数下,值越大,薄膜越易趋向于分散生长.  相似文献   
80.
金属平面半导体量子阱微腔自发发射   总被引:2,自引:0,他引:2  
应用微腔腔量子电动力学和半导体量子阱物理,讨论了平面半导体量子阱微腔的自发发射,得到了腔结构、量子阱参量和注入载流子下的微腔自发发射谱和载流子寿命.计算发现由于微腔和量子阱分别对光子和载流子的限制,平面微腔可以增进自发发射,具有很强单方向性.  相似文献   
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