《木家具通用技术条件》（2008版）解读

对新旧版《木家具通用技术条件》标准的差异进行了详细解读,并提出了一些建议,希望能对木家具的生产、检测提供一些帮助。     

钛金属熔融Na_2B_4O_7硼化:热力学和动力学过程

以无水硼砂为硼化剂在金属钛表面进行硼化,通过XRD分析样品表面的物相组成。结果表明,当温度为900℃时,钛金属表面主要生成Na0.23TiO,基本没有硼化物生成;当温度升高到950℃时,钛金属表面只生成少量的硼化物;而当温度高于950℃时,钛金属表面有明显的硼化物生成。随着温度的升高,硼化物种TiB2的量增多,而TiB量减少。热力学分析表明,随着温度的升高,生成TiB2和TiB的趋势应该降低,这与实验结果相矛盾。根据Sar-ma的B原子在金属钛中的扩散动力学,由于低温时B原子在TiB中的扩散速度大于其在TiB2和Ti中的扩散速度,故能同时生成TiB2和TiB;而高温时由于B在Ti中的扩散速度大于其在TiB中的扩散速度,主要生成TiB2,而TiB的生成受到抑制。     

转子变频技术在矿山提升机中的应用

采用PLC控制的转子变频技术解决继电器和接触器控制的TKD电控技术所产生的故障率高,动作不可靠,能耗高、效率低、噪声大等突出问题。     

La2O3对TA2钛电解渗硼的影响

以无水硼砂为渗硼剂、K₂CO₃为活化剂、B₄C为供硼剂、La₂O₃为添加剂,对TA2金属钛进行电解渗硼,研究La₂O₃对渗硼层形貌的影响。结果表明,硼化层由表面层的TiB2和次外层的TiB晶须组成。在相同渗硼工艺条件下,不添加La₂O₃时,TiB晶须长度为92.61 μm,TiB2厚度为6.38 μm; 添加5%、10%和15%La₂O₃后,TiB晶须长度分别为100.39、121.65和144.83 μm,TiB₂厚度分别为5.83、5.28和5.30 μm,La₂O₃的加入促进了TiB晶须的生长,但降低了TiB₂层厚度。     

Al和Mg共掺杂LiFePO4/C正极材料的电化学性能研究

采用高温固相法合成了LiFePO₄/C和Al、Mg共掺杂的LiFe_0.95Al_0.03Mg_0.02PO₄/C复合材料。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量仪(EDS)、恒流充放电测试、循环伏安法(CV)等手段对材料的结构、形貌及电化学性能进行了表征。XRD结果表明,Al、Mg共掺杂后的样品并没有破坏LiFePO₄的橄榄石结构,同时还增强了LiFePO4结构的稳定性、提高了电子导电性和Li⁺扩散速度;通过SEM和EDS观测到LiFePO₄呈球形颗粒,并在复合样品中检测到有Al和Mg元素存在。分别以0.5C、1C、3C和5C倍率充放电,LiFe_0.95Al_0.03Mg_0.02PO₄/C的放电比容量分别为145.1、142.6、133.2和124.9 mAh/g;1C倍率下循环30次后仍保持99.2％的初始容量,显示出良好的循环寿命。     

5Cu/(10NiO-NiFe2O4)金属陶瓷惰性阳极钠钾混合电解质电解腐蚀研究

采用传统粉末冶金技术制备了铝电解用5Cu/(NiFe2O4-10NiO)金属陶瓷惰性阳极,对其在钠钾冰晶石混合冰晶石中进行电解腐蚀。研究结果表明,从微观来看,阳极存在腐蚀现象。电解过程的槽电压波动剧烈。Fe、Ni和Cu组元的平衡浓度分别为150×10-6、42×10-6及40×10-6,腐蚀速率比常规电解条件下的低。     

NiFe2O4基金属陶瓷惰性阳极腐蚀组元在电解质中的传质研究

通过计算铝电解用NiFe2 O4基金属陶瓷惰性阳极腐蚀组元Fe、Ni和Cu在铝电解质中的传质系数,讨论了不同过热度下不同阳极腐蚀组元在电解质中的传质行为.结果表明,过热度对不同腐蚀组元的影响不明显,Cu的抗腐蚀性能最好,Ni次之,而Fe最差.     

DV双雄会：佳能与索尼的对决

2009年的DV市场相较于前几年有着很多的不同,像素和变焦不再成为重点,高清拍摄也成为了标配。那么,今年的DV流行什么呢？实用的拍摄功能、简单的操控性成为了2009年DV,尤其是高端旗舰级机型的设计重点。在2009年各大厂商所推出的众多新品DV中,MI特意选出了两款在拍摄功能和操控性方面有着杰出表现的机型,下面我们就来看看它们中谁才是2009年的DV拍摄王吧,顺便也能够从它们身上,预见到今年DV的流行趋势。     

贵在哪里 三大制式16款高端手机对决

三大3G制式自从去年放号以来,逐渐地推出了许多高端的手机产品,其中无论是讲究外观的,还是讲究性能的机型都是多不胜数,消费者在面对这样复杂的选择题时,多少会有些迷茫。尤其在众多的智能手机中,哪个手机系统在目前阶段使用起来更方便的问题,对米饭来说更是所知有限。在本文中,MI将详细地对时下热门的16款高端手机进行横向比较,通过对外观和性能方面的打分为拥有不同购买需求的消费者提供最佳的购机方案。     

外星武器 最强便携游戏本戴尔Alienware Mllx

当Alienware与便携邂逅了,到底会擦出什么样的火花呢？2009年,我们惊叹于戴尔（Dell）Alienware M17x近乎无敌的游戏性能时。又对其能否具备出色的便携性产生了非分之想。如今,Alienware出了自己又一把武器——Mllx,号称当今最强便携游戏本的它,是否能够再次让MI为其惊叹呢？