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71.
与传统牙科陶瓷材料相比,以氧化钇(Y2O3)为稳定剂的四方氧4G4ff(t-ZrO2)多晶陶瓷(Y-TZP)由于存在介稳的四方氧化锆向单斜氧化锆(m-ZrO2)的应力诱导相变增韧作用,具有较高的韧性,而受到了普遍关注。主要从材料性能、加工性、美学性能等方面对Y-TZP在牙科领域的研究现状作一综述。 相似文献
73.
介绍了传热学的一些基本概念,原理和传热微分方程,定解条件及连铸坯凝固的特点,连铸坯的凝固过程中可概括为一个内部具有液相流动的热量的传递过程,并把坯壳在连铸机中的冷却看成是“热处理”过程。 相似文献
74.
在传统铝合金阳极氧化电解工艺基础上,添加草酸、酒石酸和柠檬酸等形成硫酸-有机酸混合体系氧化处理液,对Al-Zn-Mn-Si-Mg系压铸铝合金进行阳极氧化处理,探索阳极氧化工艺参数和有机酸种类对氧化膜微观形貌、耐腐蚀和耐磨性能的影响.研究结果表明:在硫酸质量分数为10%、氧化电压为18V、氧化时间为60 min、氧化温度为20℃的条件下,与纯硫酸体系相比,混合酸体系能显著增加Al-Zn-Mn-Si-Mg系压铸铝合金阳极氧化膜厚度,提高氧化膜的耐腐蚀性能和耐磨性能;其中10%硫酸-15%柠檬酸混合体系(百分数均为质量分数,下同)下的氧化膜耐腐蚀性能较强,10%硫酸-10%酒石酸体系下的氧化膜耐磨性能较优. 相似文献
75.
热处理对非掺杂半绝缘GaAs本征缺陷和电特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在950℃和1120℃温度下,对非掺杂(ND)半绝缘(SI)液封直拉(LEC)GaAs单晶进行了不同砷气压条件的热处理,研究了热处理对本征缺陷和电特性的影响。在950℃和低砷压条件下进行14h热处理,可在样品中引入本征受主缺陷并导致体霍尔迁移率大幅度下降和体电阻率明显增加。这些受主缺陷的产生是由于高温和低砷压条件下GaAs晶体中发生砷间隙原子的外扩散,提高热处理过程中的砷气压。可以抑制这些受主缺陷的产生和电参数的变化,真空条件下,在1120℃热处理2-8h并快速冷却后,可使样品中的主要施主缺陷EL2浓度下降近一个数量级,提高热处理过程中的砷气压,可以抑制EL2浓度下降,这种抑制作用是由于高温,高砷压条件下GaAs晶体发生了砷间隙原子的内扩散。 相似文献
76.
对双侧金属接触半绝缘GaAs(MSM)结构的电特性进行了模拟计算,包括不同外加偏压和不同载流子注入接触时的空间电荷分布以及电子和空穴电导率分布,在此基础上分析研究了接触处空间电荷区随外加电压的变化对这种结构的I-V特性的影响。 相似文献
77.
79.
为了解决连续管作业机安装和拆卸耗时较长的问题,研制了LG180/38-2600一体化连续管作业机。该作业机主车由底盘车、控制室、滚筒、软管滚筒、液压传动与控制系统、注入头、导向器和防喷盒等组成,采用双车一体化设计,适合通井、洗井一体化快速作业,具备良好的运移性能和现场作业适应性能。现场应用结果表明,该作业机连续管起下的最低速度稳定在0.1 m/min以内,最大解卡拉力达到300 kN,不仅实现了单车年作业次数第一,而且创造了良好的经济效益,达到了降本增效,降低劳动强度的目的。 相似文献
80.