中国船舶远程识别与跟踪系统（LRIT）

本文介绍了中国船舶远程识别和跟踪系统（LRIT）建设的相关背景，重点介绍中国LRIT系统的建设内容．系统组成和典型应用．并说明系统完成情况．提醒船东为满足LRIT相关要求应该注意的事项。     

一个新型的大检测电容结构的MEMS惯性传感器研究

A novel MEMS inertial sensor with enhanced sensing capacitors is developed. The designed fabricated process of the sensor is a deep RIE process, which can increase the mass of the seismic to reduce the mechanical noise, and the designed capacitance sensing method is changing the capacitance area, which can reduce the air damping between the sensing capacitor plates and reduce the requirement for the DRIE process precision, and reduce the electronic noise by increasing the sensing voltage to improve the resolution. The design and simulation are also verified by using the FEM tool ANSYS. The simulated results show that the transverse sensitivity of the sensor is approximately equal to zero. Finally, the fabricated process based on silicon-glass bonding and the preliminary test results of the device for testing grid capacitors and the novel inertial sensor are presented. The testing quality factor of the testing device based on the slide-film damping effect is 514, which shows that the enhanced capacitors can reduce mechanical noise. The preliminary testing result of the sensitivity is 0.492pf/g.     

一种多极点开环交指缺陷地结构

在一根50Ω微带线的地平面上蚀刻开环槽,且在槽内部添加了交指状的慢波结构,构成了一种新型的开环交指缺陷地结构(DGS)。和传统的哑铃形DGS相比较,这种DGS具有更小的体积和更高的Q值,第三阻带Q值可达53,而且该结构具有多个衰减极点。将三个开环交指DGS级联设计制作了多阻带的带阻滤波器,测试结果与仿真特性基本一致。     

2.45 GHz高线性功率放大器设计

基于SMIC 0.18 μm RF-CMOS工艺,实现了一种工作于2.45 GHz的功率放大器,给出了电路仿真结果和电路版图.电路采用两级放大的结构,分别采用自偏置技术和电阻并联负反馈网络来缓解CMOS器件低击穿电压的限制,同时保证了稳定性的要求.为了提高线性度,采用一种集成的二极管线性化电路对有源器件的输入电容变化提供一种补偿机制,漏端的LC谐振网络和优化的栅偏置用来消除由跨导产生的非线性谐波.在3 V电源电压下,放大器功率增益为23 dB,输出1 dB压缩点约为25 dBm,对应的功率附加效率PAE可达35%.     

PCM编解码器中高性能开关电容滤波器设计

基于PCM(Pulse-Code-Modulation, 脉冲编码调制)语音编解码器设计了其中的发送端开关电容滤波器,包括高通滤波器和低通滤波器.对高通滤波器和低通滤波器的设计分别采用两种不同的方法--级联法和梯形法,然后把这两部分级联起来就实现了带通滤波器.仿真结果表明开关电容带通滤波器通带波纹0.24 dB,阻带衰减37 dB,对60 Hz以下频率的衰减大于32 dB,动态范围达到90 dB,满足D4信道处理单元发送滤波器的技术要求[1].设计的开关电容滤波器在一款PCM语音编解码芯片中成功实现.     

一种采用砷化镓pHEMT工艺的超宽带DC-40GHz 4位单片数字衰减器

介绍了一种超宽带DC-40GHz的4位单片数字衰减器。该衰减器采用0.25μm砷化镓pHEMT工艺制造。据我所知,这种衰减器是至今国内文献报道中带宽最宽的。它通过采用适当的结构来得到超宽的带宽、低插入损耗以及高衰减精度。该衰减器具有1 dB的衰减步进和15 dB的衰减动态范围,插入损耗在40 GHz时小于5 dB,全衰减态及全频带内的输入输出回波损耗大于12 dB。     

射频CMOS建模：不同栅指数目的RF-MOSFET可缩放模型

本文提出了一个新颖的不同指头数目的RF-MOSFET可缩放模型。所有的寄生参量包含栅极电阻,衬底电阻,寄生电容等的计算都直接可以从实际器件版图当中获取。该模型通过典型 0.13μm RF-CMOS工艺制造的不同栅指数的NMOSFET,其中栅长为固定值2.5μm,栅宽为固定值0.13μm,对模型在100MHz~20.05GHz频率范围内小信号S参数进行了验证和比较。测试与仿真数据得到了很好的吻合,这表明我们的模型是精确而且有效的。     

一种简化的VBIC模型和InGaP/GaAs HBT宽带放大器设计

采用一种新的简化VBIC模型对单、多指InGaP/GaAs HBT器件进行建模.测量和模型仿真FV特性及其在多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明,DC～9GHz频率范围内,简化后的模型可对InGaP/GaAs HBT交流小信号特性进行较好的表征.利用建立的模型设计出DC～9GHz两级直接耦合宽带放大器,该放大器增益达到19dB,输入、输出回波损耗分别低于-10dB和-8dB.     

基于功率流的隔振控制研究

针对工程中弹性基础引起动力设备的振动和噪声控制问题，建立了多支承弹性隔振系统的动力学模型，推导了机器、隔振器和弹性基础之间的动态传递方程，以能量传输观点来评价系统隔振效果，揭示机组、隔振器刚度，以及基础刚度等的不同参数对功率流的影响，为工业设计时参数的选择提供参考。     

III-V族化合物HBT模型参数提取

对III-V族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进，加强了模型的拟合能力. 给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型，为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容，开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法，该方法同时允许本征集电极电阻（Rci) 的解析提取. 运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAs HBT器件参数，验证结果表明，算法精度可达40GHz.