LEM电压传感器在直接驱动型风力发电系统中的应用

风能作为一种可再生能源，具有蕴藏量大、能量密度高、无污染等优点。文中介绍了几种常见的风力发电拓扑结构，详细阐述了在直接驱动型风力发电系统中应用LEM公司LV25-P电压传感器实现直接驱动型风力发电机的并网试验方法。试验结果表明：直接驱动型风力发电系统的逆变输出电压与电网电压同相位。     

低活性粉煤灰处理桥头跳车问题的研究

目的为粉煤灰在沈阳地区公路工程中的推广应用提供理论依据和实践经验.方法在对低活性粉煤灰进行物理力学参数室内试验的基础上,运用弹塑性理论和有限元分析方法,对粉煤灰路堤自重作用下软土地基表面的沉降变形,以及交通重复荷载作用下粉煤灰路堤自身的累计塑性变形问题进行理论分析,同时将分析结果与相同工况条件下正常填土路堤的力学行为进行比较分析.结果在自重荷载作用下以粉煤灰作为路堤填筑材料,地基表面的最大沉降量以及坡角的最大拱起量明显小于正常土填筑路堤的沉降量;在交通重复荷载作用下,其累计塑性变形量明显小于正常路堤填土的量值.结论以粉煤灰作为填料解决桥头跳车的方法是可行的,可以减少桥梁台背处的沉降差异,进而解决桥头跳车问题.     

卫浴行业机器人打磨系统的设计

为满足企业生产的需求,开发了一套卫浴修胚机器人系统。简述了该机器人打磨系统的应用前景;设计了机器人打磨胚体系统工作站,介绍其系统硬件选型、机器人系统轨迹路径规划以及工艺调试。通过实际应用证明了该机器人系统的性能。     

UMTS网络中KJAVA业务的OPNET仿真

本文介绍了基于OPNET Modeler10．0平台的UMTS网络建模方法．给出了OPNET进行KJAVA业务网络仿真的具体步骤,并利用OPNET对承载KJAVA业务的UMTS网络进行仿真和对相关网络节点的CPU负荷性能进行测量．为优化网络设计提供了重要的依据。     

夏热冬冷地区客运站候车室夏季热舒适性

通过测试夏热冬冷地区典型城市（长沙和上海）火车站候车室夏季的环境参数,结合问卷调查,统计分析了旅客的实际热感觉投票值（TSV）,并对其热中性温度值和旅客可接受的温度范围进行探讨。结果表明：旅客对不同热环境反应不同;候车室的热中性温度为27℃,旅客可接受的温度范围为23．8～30．2℃;旅客进入候车室后的热感觉投票值并不是稳定在初始值,而是随着候车时间的推移而逐渐增大,增长幅度由室内外温差决定。     

淀粉/EVA复合发泡鞋底材料的配方设计及表征

采用L9(34)正交实验方法,研究了弹性体乙烯-辛烯共聚物(8003树脂)、增容剂乙烯-丙烯酸共聚物(EAA)、滑石粉及增塑剂甘油对淀粉/乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)复合发泡鞋底材料力学性能的影响,并通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了共混物的结构。结果表明,滑石粉和8003树脂对共混物的拉伸强度、延伸率及回弹性有显著的影响,当8003树脂为20phr、EAA为30phr、滑石粉为0phr、甘油为8phr时,共混物的综合力学性能最好。XRD和SEM分析表明,EAA的加入能大大增加淀粉和EVA的相容性,达到增容的效果。     

基于信息融合和神经网络的变压器内部故障快速诊断方法

变压器内部故障诊断通常需要利用油中溶解气体进行分析,但这些信息提取、检测分析过程繁琐,实时性较差。因此文章中提出了一种仅需要电气量的变压器内部故障快速诊断方法,采用小波包分析提取短路电流和差动电流的频域故障特征,采用最大值体现零序电流的故障特征,采用信息融合技术将所得到的所有故障特征进行融合,并利用BP神经网络算法对变压器内部电气故障类型进行诊断。在MATLAB/Simulink平台建立来仿真模型并进行了算例分析,结果表明文章中所提出的变压器内部电气故障诊断方法具有高准确性和高可靠性的优点。     

就地冷再生技术在营大线柔性基层上的应用

介绍了冷再生技术作为柔性基层在辽宁省营大线的实施情况，对冷再生技术做了简单描述，并就原路面的路况调查、室内试验研究、试验路方案的确定及试验路的完成情况做了全面的阐述。     

Cache Profiling技术

如何减少和隐藏cache失效的延迟,是人们关注的热点。编译器为了得到cache访问命中的情况,往往使用模拟器去跑一遍来得到结果,这样的速度很慢。为了克服以上缺点,提出了在编译器中作cache profiling来获取cache访问的信息。类似于value profiling和stride profiling,cache profiling对访存指令作插装,可以有效地提高速度,并且只需要编译器的支持即可。Cache profiling获得的信息可以用来改进指令调度、软件预取、生成cache hint和辅助线程等。     

基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长技术

针对源漏诱生应变Ge沟道p-MOSFET的发展趋势,开发了一种基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长新技术,并进行了二次离子质谱、X射线衍射、透射电子显微镜和方块电阻等测试.结果表明,采用快速热退火,可将单晶Ge衬底中的Sn原子激发至替位式位置,形成GeSn合金.当退火温度为400℃时,Sn原子激活率为100％,其峰值浓度固定为1×1021 cm-3,与Sn的初始注入剂量无关.该技术与现有CMOS工艺兼容,附加成本低,适用于单轴压应变Ge沟道MOSFET的大规模生产.