大功率有源滤波器直流侧电容设计与电压控制

针对现阶段高压大容量有源滤波(APF)系统直流侧电容的设计问题,根据实际装置的研制经验,系统阐述了大功率并联混合型有源滤波器直流侧电容的设计过程,并提出了一种简单有效的直流侧电压稳定控制方法.由于目前国内大功率有源滤波系统的工程应用实例很少,因此提出的设计方法与工程经验还可用于对其它有源滤波系统的研究,并起到一定的应用指导借鉴作用.     

基于移动信标的改进DV-Hop算法

针对DV-Hop定位算法在网络节点密度减小时定位误差明显增大,定位精度严重依赖于网络的联通状况,提出一种新的基于移动信标动态选择的改进DV-Hop定位算法,利用一个移动信标在网络中漫游并广播定位分组信息,提出号位切换的思想对移动信标的位置进行优选,从而通过二次定位来提高节点定位精度.仿真显示,此算法有效的降低了定位成本,提高了定位的效率.     

并联混合型有源滤波器在含分布式电源配网中的控制策略研究

随着配电网中分布式发电的发展,研究并联混合型有源滤波器(SHAPF)一类的设备受到的分布电源影响以提高供电质量,已成为当前研究的重点。文章对分布式电源带来的谐波电压注入、并网连接阻抗波动、频率波动问题对配网中的并联混合注入式有源滤波器(SHIAPF)的控制特性的影响进行了分析,并在对比了SHIAPF四种单指标控制策略的优劣后,提出了一种综合考虑负载谐波电流和电网谐波电流的复合控制策略。该控制策略能有效抑制分布式发电带来的各种波动对SHIAPF控制性能的影响,其有效性已被仿真与模拟实验所验证。     

纳米TiO 2填充酚醛树脂基摩擦材料摩擦磨损机制

考察纳米TiO 2填充酚醛树脂基摩擦材料在不同载荷和温度下的摩擦磨损性能,采用电子显微镜分析摩擦表面的微观形貌,采用粗糙度仪考察摩擦表面的粗糙度.结果表明:与添加微米TiO 2的摩擦材料相比,添加纳米TiO后,摩擦材料的韧性提高了22%,摩擦因数更加平稳;在300和350℃高温下磨损率分别降低了32%和22%,且摩擦材料磨损表面更致密平整.     

有源滤波器电流跟踪控制的一种新方法

在采用有源电力滤波器（APF）消除谐波的过程中，由于滤波器的检测精度有限、指令电流计算延时和输出滤波器相移等因素的影响，传统的PI控制滤波效果不够理想。针对APF电流跟踪控制问题，提出了一种基于PI型学习律的迭代学习控制算法，通过实施遗忘因子学习律增强系统鲁棒性的同时，引入了在最优目标选择下模糊参考电流误差的D型学习律前馈环节，提高了系统的跟踪精度。仿真与现场运行结果都证明了该控制方法具有谐波电流跟踪效果好、计算量小、易于工程实现等特点。     

配电网综合信息交互模式及相关规范研究

总结国内配网信息交互发展历程,归纳出3种典型的配网综合信息交互模式:完全一体化模式、基于CORBA中间件模式、面向服务架构的企业信息总线模式。IEC 61968系列标准为智能配电网无缝、友好的信息交互和集成提供了一种参考,文章指出基于该标准的配网综合信息交互总线模式符合智能电网未来的发展方向,并针对这种模式拟定了一些基础规范,最后对该模式下的系统建设重点进行了探索。     

一种新的电力科技多项目后评估体系及其应用

随着电网公司对科技项目管理工作要求的逐步提高,科技项目后评估工作显的日益重要。以某电力公司实际为例,采用专家调研和层次分析相结合的方法,建立了该电网公司的科技项目后评估指标体系;提出了科技单项目、多项目后评估概念及模型,并引入由定量因子和定性因子确定的贡献度因子概念,依此确定多项目后评估结果;应用科技项目后评估软件进行了一类多项目的后评估工作,实际检验了所提评估模型和软件的有效性。     

纳米铜粉粒径对NAO型摩擦材料摩擦磨损性能的影响

考察了纳米铜粉粒径、含量对酚醛树脂基摩擦材料摩擦磨损性能的影响,采用扫描电子显微镜分析磨损面形貌,并探讨其磨损机制。结果表明:与传统微米铜粉相比,纳米铜粉可使材料摩擦因数的稳定性提高一倍。随着铜粉尺寸的减小,摩擦材料的摩擦因数稳定性提高,磨损率也逐渐变小。添加2%铜粉(50 nm)的摩擦材料摩擦因数最稳定且具有较低的磨损率。在高温段(350℃),添加50 nm铜粉的材料磨损率仅为0.199×10-7cm3/(N.m),是添加微米铜粉的70%。SEM分析显示纳米铜粉使摩擦表面更平稳,添加了纳米铜粉的摩擦材料具有更稳定的摩擦因数及较低的磨损率。     

单独注入式有源电力滤波器的研究与应用

针对已有滤波器对大型冶炼企业谐波治理效果不理想的情况,提出一种新颖的有源电力滤波器(APF)--单独注入式APF.该滤波器把串联谐振注入型APF和并联混合型APF结合在一起,在有效滤除谐波的同时还可提供一定容量的基波无功功率补偿.实践表明,所提出的单独注入式APF不仅具有较大容量的无功补偿能力,且APF逆变器容量较小,因而工程应用价值较高.     

NBTI的研究进展和改善途径

本文首先介绍了发生于PMOSFET器件上的NBTI（负偏压温度不稳定性）的基本理论,介绍了NBTI的两种衰退机理（反应-扩散模型和电荷俘获-脱离模型）,指出它们各自的适用范围,并针对新的NBTI测试方法的采用,探讨了对可靠性性能估计的影响。最后总结了遏制NBTI效应的研究成果。