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We reported the influence of interface trap density(Nt) on the electrical properties of amorphous InSnZnO based thin-film transistors,which were fabricated at different direct-current(DC) magnetron sputtering powers.The device with the smallest Nt of 5.68×1011 cm-2 and low resistivity of 1.21×10-3Ω·cm exhibited a turn-on voltage(VON) of-3.60 V,a sub-threshold swing(S.S) of 0.16 V/dec and an on-off ratio(ION/IOFF) of8 x 108.With increasing Nt,the VON,S.S and ION/IOFF were suppressed to-9.40 V,0.24 V/dec and 2.59×108,respectively.The VTH shift under negative gate bias stress has also been estimated to investigate the electrical stability of the devices.The result showed that the reduction in Nt contributes to an improvement in the electrical properties and stability. 相似文献
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以硅作为衬底,以采用不同直流(DC)磁控溅射功率制备的ITZO薄膜作为有源层制备了薄膜晶体管(TFTs)器件.在溅射功率从80 W变化到160 W的过程中,对ITZO TFTs的电气性能和稳定性进行了研究.当溅射功率为80 W时,器件具有最低的有源层载流子浓度(Nd)2.58×1017cm-3以及有源层与栅极绝缘层接触面最小的缺陷阱密度(Nt)5.677×1011cm-2,器件显示出优秀的电气性能.例如:0.156 V/dec的亚阈值摆幅(SS)、-3.596 V的开启电压(VON)、-1.872 V的阈值电压(VTH)和高达7.773×108的电流开关比(ION/IOFF).与此同时,在负向偏置压力下,该器件也显示出最强的电气稳定性.由测试结果看出,较低的溅射功率有助于ITZO TFTs器件性能的提升. 相似文献
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基于FPGA和无线通信的炮口冲击波测试系统设计与实现 总被引:2,自引:0,他引:2
由于炮口冲击波超压测试现场环境比较恶劣,为了提高存储测试系统的可靠性和灵活性,给出了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)和无线通信的炮口冲击波测试系统的设计与实施方案。测试系统的激波管动态校准结果表明,系统符合国军标对炮口冲击波超压测试的基本要求。该系统在多次靶场实爆试验中进行了测试试验,都成功捕获到炮口冲击波超压曲线。试验结果表明所设计的炮口冲击波测试系统具有体积小,微功耗,灵活性高,测试效率高等优点,在炮口冲击波测试中具有良好的应用前景。 相似文献
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毁伤威力场中冲击波超压测试是评估武器或炸药毁伤威力的一个重要手段,在军工国防领域具有重要作用。针对传统引线法与存储法这两种测试方法的优缺点,分析了冲击波的信号特点及国军标的相关测试要求,提出一种结合无线传感网络( WSN)技术和FPGA逻辑控制技术的冲击波无线分布式测试方法。系统经过激波管动态校准及多次靶场实弹试验,验证了系统具有布设简单、触发策略灵活、无线同步触发性能良好及数据准确度高等优点,特别适合适用于毁伤威力场中复杂恶劣环境下多测点冲击波测试任务。 相似文献
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