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SiC 半导体材料与器件(1) 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了半导体SiC材料的结构和特性、材料制备及器件研制的进展,并与Si、GaAs、金刚石等材料作了比较,强调指出SiC做为一种接近实用的高温、高频、高功率和抗辐射器件材料的优越性,同时亦指出SiC器件进一步实用化所需解决的问题及应用前景。 相似文献
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对以CMOS视频传感器为核心的数字图像设备(电脑眼)与USB接口进行了研究,并利用Anchor公司的EZ-USB 2131Q芯片设计了一种基于外接RAM的单片方案,实现了电脑眼的USB接口。 相似文献
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田敬民 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):284-288
采用静电喷雾高温分解工艺制备SnO2气敏膜,并与Si3N4-SiO2集成多层介质膜,用催化金属Pt作栅电极,制成新型的MSIS结构气敏电容。通过检测平带电压的变化,研究对H2和O2的气敏特性,分析其气敏机理并提出了检测的物理模型. 相似文献
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本文研究了Pt/n-InP肖特基二极管在氢、氧气氛下的I-V、C-V以及复阻抗谱特性.测试结果表明:在氢气氛下势垒高度降低,在氧气氛下势垒高度增加,对二者均有良好的敏感特性. 相似文献
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大功率集成器件的新发展—IGCT 总被引:2,自引:0,他引:2
集成门极换向晶闸管(IGCT)是一种瓣开发的用于功率变换的新型大功率开关器件,由于采用了缓冲结构以及浅层发射极技术,因而使动态损耗降低了约50%,另外,此类器件还在一个芯片上集成了具有良好动态特性的续流二极管,从而以其独特的方式实现了晶闸管的低通态压降、高阻继电压和晶体管稳定的开关特性有机结合。文中介绍了瑞士ABB公司的5SHY35L4502型IGCT器件的主要特性和一些典型值。 相似文献
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本文在分析结势垒控制肖特基整流管工作原理的基础上,详细讨论了器件特性与结构参数的关系;给出了器件优化设计的依据,建立了适用于SPICE电路分析程序的器件等效电路模型。 相似文献