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为提高光刻仿真效率,通过对光刻原理进行研究,提出了2种多边形处理算法,将掩模上的多边形图案进行切分优化,将其划分成若干矩形或三角形。在Linux环境下应用C语言设计出一个完整的光刻仿真系统,设计的具体光学参数为:光源波长为193nm,数值孔径为0.3~0.8,部分相干系数可调范围为0.2~0.8,可一次性仿真1μm×1μm到10μm×10μm范围内的45 nm~0.18μm工艺的复杂版图,并通过多次实验进行验证。实验结果表明:原版图图像的边缘细节得到保留,且该算法有效地减少了光刻模拟的计算复杂度与计算时间,整体效率提升20%以上,为当前智能传感器系统芯片的制造节省了宝贵时间。 相似文献
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集成电路制造技术的不断进步,给缺陷定位带来巨大的挑战。传统的测试芯片和现有的可寻址的方法都无法满足当前缺陷快速准确定位的要求。本文提出了一种改进的可寻址测试芯片的设计方法:每个测试结构采用四端法连接以及单一的NMOS晶体管作为开关电路,以保证电性测量结果精确、电路设计的简洁以及面积利用率的进一步优化;并利用开关电路增加少量测试引脚,以方便物理缺陷定位的进行。该方法在110nm的CMOS工艺中得到应用。经过实际生产验证,实现了金属层断路等缺陷的定位,有效发现了该工艺中失效缺陷的成因,从而帮助实际的成品率实现快速提升。 相似文献
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设计了一种用于射频系统的低功耗、中速中精度差分输入逐次逼近型(SAR)A/D转换器。采样完成后采用下极板对接的逻辑算法,10位SAR A/D转换器只需9位DAC即可满足其精度要求。DAC阵列采用分段电容结构,节省了芯片面积。比较器采用前置运算放大器加锁存器的结构,达到了同时兼顾速度和精度的要求。该A/D转换器芯片采用GSMC 0.13 μm 1P7M CMOS工艺制造,其核心电路尺寸为500 μm×360 μm,采用1.2 V的单电源供电。测试结果表明,当采样频率为10 MS/s,输入信号频率为2 MHz时,该SAR A/D转换器达到8.45位的有效精度,总功耗为2.17 mW;当采样频率为5 MS/s,输入信号频率为1 MHz时,该SAR A/D转换器达到8.75位的有效精度,总功耗为2.07 mW。 相似文献
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针对集成电路制造过程中由扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)产生的灰度图像二值化问题,提出一种利用图像边缘的梯度信息、通过统计重建SEM图像的方法。用Otsu方法分析SEM图像的噪声组成,通过滤波去噪过程,用Kirsch算子分析图像的梯度信息,再利用图像外边缘的梯度大于内边缘的梯度的特性,对每一个区域进行分类统计,根据统计信息进行最后的图像填充。实验结果表明,该算法在高分辨率的图像下显示出了高稳定性和高度自动化;在低分辨率的图像下,该方法有效避免了边缘提取失败带来的影响,能正确、完整地重建图像。 相似文献