埋地管道泄漏内封堵装置设计与研究

针对流体输送埋地管道泄漏问题,设计了一种利用管道机器人携带封堵气囊进行快速应急封堵修复的埋地管道泄漏内封堵装置。采用矩阵变换方法建立了牵引系统驱动轮过弯方程,利用MATLAB软件对过弯方程进行了验证,同时利用ADAMS软件仿真分析过弯路径与驱动轮转角对牵引系统行走速度的影响。研究结果表明:由两个串联封堵器组成的应急封堵系统可满足复杂工况下的管道泄漏封堵要求;牵引系统驱动轮在弯管内部行走时,单轮速度呈周期性变化,但三个驱动轮整体周期运动特性一致;驱动轮转角在25°~40°时,牵引系统行走速度与驱动轮转角成正比,且转角为30°时驱动效果最好。该内封堵装置的结构设计可为管道泄漏应急封堵领域装备的研发提供重要参考。     

一种可替代漂珠的低密度材料

漂珠低密度水泥浆由于密度低、强度高、体系稳定而在油田低压易漏层及低压油气层长封固段固井作业中获得了广泛的应用。但近年来,由于漂珠的产量越来越少,油田低成本要求急需开发代替漂珠的新型减轻材料,以满足配制低密度水泥浆的需求。开发了BCL-10S低密度混合减轻材料,其物化性能与漂珠相当,用它作减轻剂配制的低密度水泥浆性能与用漂珠作减轻剂配制的低密度水泥浆性能相媲美,并已经在长庆油田获得了应用。     

贴片机脱机编程的快捷方法

SMT生产线中的大多数加工设备均为数控设备。它们编程所需要的大多数特征数据均可从CAD设计系统中得到。文章介绍了如何从CAD设计系统中导出X、Y坐标数据,并转换成贴片数据的方法和思路,以期引起更多的同行加入到这方面的研究中。     

CPU芯片封装技术的发展演变

本文主要介绍了CPU芯片封装技术的发展演变,以及未来的芯片封装技术。同时,从中可以看出芯片技术与封装技术相互促进,协调发展密不可分的关系。     

金属/Al2O3基纳米复合材料研究最新进展

金属／Al2O3纳米复合材料在保持原有金属的功能特性时，还可以获得 很好的力学性能，是有良好发展前景的一种纳米复合材料。本文回顾了近年来金属／Al2O3基纳米复合材料在制备工艺，微观结构和力学性能，增韧强化机理方面的最新进展，并指出了今后的研究方向。     

实体造型中的几何约束

实体造型是一个基于约束的过程，完成从功能约束到几何约束、再到代数约束的转化而得到实体模型。本文讨论了几何约束的层次性及其表示，并且对几何约束同设计意图的关系进行了研究，提出了基于ＣＳＧ／ＧＣＧ／Ｂ－ｒｅｐ的模型表示。     

合成直链烷基苯的锆磷铝固体酸催化剂 I.催化剂合成及其影响因素

合成了一系列用于苯与直链烯烃烷基化反应的含有杂原子的磷铝分子筛固体酸催化剂 (MeZrAPO 5 ) ,同晶取代磷铝分子筛骨架中磷和铝的杂原子包括锆和至少一种选自硅、硼、镓、锗、铁、镁、锡等的元素。考察了晶化温度、晶化时间、杂原子种类、铝源等因素对催化剂合成的影响 ,探索了合成样品中模板剂脱除的最佳条件。结果表明 ,晶化温度高于 15 0℃、n(TEA) /n(Al2 O3 )≥ 1 5以及加入Zr原子都有利于直接生成MeZrAPO 5晶相 ;用小晶粒和高结晶度的铝源合成时 ,分子筛的结晶度高。     

宝钢研制的全氢罩式炉控制系统分析

对宝钢研制的全氢罩式炉计算机控制系统的逻辑结构、工作原理及硬件配置进行了分析.该系统与引进的系统相比,在通讯方式、程序结构、操作分析、报警和开放性等方面都有所改进.     

电算法在液压支架受力分析中的应用

建立支架受力分析的电算设计数学模型并给出程序框图     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively