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1.
在常规型有机发光二极管的基础上, 通过改变发光层tri-(8-hydroxyquinoline) aluminum (III) (Alq3)厚度, 研究了激子复合区厚度对有机发光二极管磁效应的影响.测量了器件在不同温度及偏压下电致发光及注入电流在外加磁场作用下的变化, 着重研究了低温下的有机磁电导效应和有机磁电致发光效应.实验发现, 低温(50 K)高磁场 (500 mT)下, 器件表现出随Alq3厚度的减薄, 磁电导值由正到负再到正的非单调变化.利用磁场调控的超精细相互作用、 磁场抑制的三重态激子-电荷反应以及激子在界面的淬灭效应, 对有机磁电导在低温下表现出的现象进行了定性的解释.实验结果表明, 通过改变激子复合区的厚度, 可以实现对激子浓度的有效调节, 进而实现对有机磁电导和磁电致发光效应的调节. 该研究进一步丰富了有机磁效应的实验现象, 同时提供了一种调控有机磁效应的手段.
关键词:
激子复合区
激子浓度
有机磁电导
有机磁电致发光 相似文献
2.
制备了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/LiF/Al的常规有机发光二极管, 之后对器件采用波长为442 nm和325 nm的激光线进行照射产生激子, 并在小偏压下(保证器件没有开启)对激子的演化过程进行控制, 同时测量器件的光致磁电导(photo-induced magneto-conductance, PIMC). 实验发现, 不同于电注入产生激子的磁电导效应, PIMC在正、反小偏压下表现出明显不同的磁响应结果. 当给器件加上正向小偏压时, 器件的PIMC在0-40 mT范围内迅速上升; 随着磁场的进一步增大, 该PIMC增加缓慢, 并逐渐趋于饱和. 反向小偏压时, 器件的PIMC随着磁场也是先迅速增大(0-40 mT), 但达到最大值后却又逐渐减小. 通过分析外加磁场对器件光生载流子微观过程的影响, 采用'电子-空穴对'模型和超精细相互作用理论对正向偏压下的PIMC进行了解释; 反向偏压下因各有机层的能级关系, 为激子与电荷相互作用提供了必要条件, 运用三重态激子与电荷的反应机制可以解释PIMC出现高场下降的实验现象. 相似文献
3.
制备了有LiF插层的有机发光二极管,以八羟基喹啉铝(Alq3)作为电子传输层,N, N′-二苯基-N, N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)作为空穴传输层.通过改变Alq3与NPB间LiF插层的厚度,研究了不同温度下器件的光电特性及电致发光的磁场效应.测量结果表明:LiF插层可以影响器件内部载流子的输运和激发态的形成.较厚的插层阻碍了空穴的传输,使器件的电流效率变低.但实验中发现,
关键词:
LiF插层结构
磁场效应
三重态激子 相似文献
4.
5.
报道了硅基有机微腔的电致发光(EL).该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜(PS DBR)组成.半透明金属膜由Ag(20nm)构成,充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜.有源多层膜由Al (1 nm) / LiF(05 nm) /Alq3/Alq3:DCJTB/NPB/CuPc/ITO/SiO2组成,其中的Al/LiF为电子注入层,ITO为正电极,SiO2为使正、负电极电隔离的介质层.该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的;该PS
关键词:
电化学腐蚀
电致发光
窄峰发射
硅基有机微腔 相似文献
6.
制备了基于三(8-羟基喹啉)铝(tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (III), Alq3) 的有机发光二极管, 并在不同偏压下测量了器件的室温磁电导效应.在小偏压下, 发光器件展示出明显的负磁电导效应.偏压增加后, 磁电导由负值变为正值, 出现了正负转变的现象. N, N'-二苯基-N, N'-(1-萘基)-1, 1'-联苯-4, 4'-二胺(N, N′-Di(naphthalen-1-yl)-N, N′ diphenyl-benzidine, NPB) 与铜酞菁 (Copper phthalocyanine, CuPc) 单极器件磁电导的测量结果表明, 发光器件在小偏压下的负磁电导效应来源于器件中的CuPc层. 双极电流的磁电导效应可用电子-空穴对模型进行解释, 而单极电流的磁电导效应可归因于器件中的极化子-双极化子转变. 在注入电流的变化过程中, 发光器件的正负磁电导转变是两种机理共同作用的结果. 相似文献
7.
文章作者制备了以多种π-共轭有机半导体(orgnanic semincondutor,简称OSEC)为中间层,La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)和另一铁磁或非磁性金属为电极的有机二极管,测量了器件的磁致电阻和磁电致发光效应.器件显示了与LSMO电极类似的负磁电阻效应,但是它的电阻变化比LSMO电极本身的变化大3个数量级,而且器件还有正的磁电致发光效应.文章作者认为,这些磁场效应源于磁场作用下LSMO费米能级的异常移动,导致载流子在LSMO-OSEC界面注入的增强。 相似文献
8.
9.
制备了常规有机发光二极管ITO/NPD/Alq3/LiF/Al,测量了该器件发光的磁场效应.发现尽管在1T范围内的磁场对发光层Alq3的光致发光没有影响,但磁场作用下器件的电致发光(MEL)却呈现出明显的磁效应,且MEL与器件的偏压有很强的依赖关系:在小偏压时,随着磁场的增加MEL是单调递增,且在大小约为40kA/m的磁场下达到饱和,之后即使磁场增大到约1T 的情况下也没有变化;但当偏压变大时,MEL则呈现先增加,在40kA/m处达到峰值后却又减弱,而且偏压越大该MEL的减弱则越明显.对所观察到的实验结果进行了定形解释,即三线态激子相互淬灭产生单线态激子和三线态激子与器件中的非平衡载流子相互作用是此效应的物理机理.
关键词:
有机发光
磁场效应
激子淬灭 相似文献
10.
制备了结构为 ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Ca/Al的聚合物光电池器件,并在不同偏压下,分别测量了器件的光电流和暗电流随外加磁场的变化. 发现随外加磁场增加,光电流增强,暗电流减弱. 从聚合物光电池中光电流和暗电流的产生机制出发,对该现象进行了解释,认为外加磁场可以有效改变单重态极化子对和三重态极化子对之间的相对比例,进而使自由载流子浓度增加. 光生自由载流子浓度增加是光生电流增强的原因,而自由载流子与三重态激子的相互作用导致了暗电流减弱. 开路电压附近,光电流随磁场增加而增强可以近似
关键词:
聚合物光电池
磁场效应
光生电流
极化子对 相似文献