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1.
采用有限元方法研究在不同压阻工作温度下压阻掺杂浓度对高gn加速度计动态冲击性能的影响。结果表明:器件动态冲击响应是受迫振动与悬臂梁固有振动叠加的结果,且压阻灵敏度系数与工作温度成正比。当T〈20℃时,悬臂梁固有振动明显,并且,器件动态冲击响应峰值电压随着压阻掺杂浓度升高而降低;当r在20℃附近,峰值电压随掺杂浓度变化不明显;当T〉20℃时,随着温度升高,悬臂梁固有振动频率渐受压制,传感器动态冲击响应渐表现为受加速度冲击受迫振动,且峰值电压随掺杂浓度提高而增大。在1×10”~1×10^21cm^-3。范围内,在0,20,100℃时,峰值电压差值分别为2,0,9mV。  相似文献   
2.
为了探索酸化原油脱水困难的原因,通过回顾近几年开展的酸化原油脱水影响因素实验以及现有的酸化 原油脱水工艺,总结了pH值、温度、固体颗粒影响原油破乳的机理,归纳不同破乳脱水工艺的适用性。热化学沉 降法适合处理黏度、含水率不高的原油。超声波稠油破乳脱水的实际应用效果显著,可以作为热化学沉降工艺 的辅助破乳。水洗法可去除部分固体颗粒和酸化淤渣,适用于重力沉降前预处理。高频脉冲电脱水法对酸化 油、老化油脱水效果都较好,适用于精脱水处理。微波破乳仍处于研究阶段,需进一步研究破乳机理以及验证工 业实用效果。最后对未来原油破乳和脱水工艺的研究提出了建议。  相似文献   
3.
采用热蒸发的方法生长不同形貌的ZnO纳米材料。通过调节反应温度和氧气流量,生长了梳状ZnO ,ZnO纳米针和ZnO纳米柱状。场致发射测试结果表明一维纳米ZnO材料的表明形貌对其开启电场和发射电流有很大的影响。ZnO纳米柱阵列的开启电场最低,电流密度最大。这是由于它与衬底的良好接触以及较弱的场屏蔽效应。实验结果表明ZnO纳米柱阵列是一种优良的场致发射器件的冷阴极材料。  相似文献   
4.
C/C复合材料摩擦性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
对国产C/C复合刹车材料进行了低速度低能载条件下的地面惯性动力试验,结果表明,C/C复合刹车材料在较低能量条件下具有较高的摩擦系数,在摩擦速度-摩擦系数关系图上,最高摩擦系数出现在12 m/s的摩擦初速度前后,同时对摩擦面比压进行调整,发现在低速刹车时,随着比压增加,摩擦系数下降.  相似文献   
5.
房元英  王琦  李艳  许军  杨尊华 《化学试剂》2016,(10):1008-1010
以外型的N-Boc-N-去甲托品醇为原料,经甲磺酰化、S_N2取代反应和水解作用得到内型N-Boc-N-去甲托品硫醇,总收率为49%,结构经~1HNMR和ESI-MS确认。  相似文献   
6.
为了对所开发的电子产品进行保护,采用ASIC的方法设计基于硬加密技术的电子系统认证芯片。在后端物理设计中,为了使最终的芯片实现面积优化且满足功耗、时序等要求,采用预设计的方法对芯片进行功耗预估与布线拥塞分析。根据分析结果提高了芯片利用率,并针对预设计中存在的电压降(IR Drop)违规进行了详细的电源规划.包括全局电源网络的连接、电源环和电源条的设计.最终满足了功耗要求,实现了时序收敛以及面积优化。  相似文献   
7.
把多个侧壁阶梯氧化层应用于分离栅沟槽MOSFET(Split-Gate Trench MOSFET,SGT结构),并把改进的结构称为多阶梯侧壁氧化层分离栅沟槽MOSFET(Multi-Step Sidewall Oxides Split-Gate Trench MOSFET,MSO结构),之后介绍了MSO结构的器件结构和制备工艺,重点借助TCAD仿真软件对MSO结构的外延层掺杂浓度、顶部侧氧厚度与底部侧氧厚度进行优化,最终仿真得到击穿电压为126V,特征导通电阻为30.76mΩ·mm^2和特征栅漏电荷为0.351nC·mm^(-2)的MSO结构.在近似相等的击穿电压下,与传统SGT结构相比,MSO结构的特征导通电阻及特征栅漏电荷均有所降低,这两项参数综合反映器件的优值(FOM=Qgd,sp×RonA)降低了39.6%.  相似文献   
8.
为实现一种高量程加速度传感器的近临界阻尼设计以提高其输出性能,采用有限元方法分别研究了阻尼带隙宽度、阻尼介质特性及温度等对器件冲击性能的影响。结果表明:器件冲击响应是受迫振动与悬梁固有振动叠加;随着阻尼带隙变宽,悬梁固有振动渐突显,峰值电压增加;阻尼介质粘滞系数越大,其峰值电压越低;介质温度对器件输出特性影响不大。在常温空气介质中,过载保护曲面平移距离为0.5μm时,阻尼比为0.24,近临界阻尼,输出电压高达77.9mV。  相似文献   
9.
采用高温气相法生长SnO2纳米线,扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析表明所生长的SnO2纳米线大小均匀,直径约为150 nm,长可达10μm。结合丝网印刷法转移SnO2,制备成阴极阵列。封接阴极板与荧光屏成后栅型场致发射显示(FED)器件,测试其场致发射性能,分析讨论栅极电压和阳极电压对场发射性能的影响。实验表明后栅型SnO2-FED具有良好的栅极调控作用,在1600 V阳极电压和200 V栅极电压下工作实现全屏发光,平均发光亮度为560 cd/m2,具有潜在的应用前景。  相似文献   
10.
通过交流电导法,对经过不同时间N2O快速热处理(RTP)的MOS电容进行界面特性和辐照特性研究。通过电导电压曲线,分析N2O RTP对Si-SiO2界面陷阱电荷和氧化物陷阱电荷造成的影响。结论表明,MOS电容的Si-SiO2界面陷阱密度随N2O快速热处理时间先增加再降低;零偏压总剂量辐照使氧化层陷阱电荷显著增加,而Si-SiO2界面陷阱电荷轻微减少。  相似文献   
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