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Pechini法制备的CeO2纳米晶的晶化动力学 总被引:3,自引:1,他引:3
通过Pechini法制备CeO2粉末.XRD分析表明,该粉末在300℃下煅烧1 h后成为纳米晶体.用DT-40热分析仪研究其晶化过程,在热分析过程中,CeO2的晶化过程符合Kissinger方程,计算得到其相变激活能为86.42 kJ/mol,且其晶化过程所需能量比固相法的晶化过程所需能量显著降低.根据Qzawa方程得到,在250℃下Avrami指数n为1.5,频率因子为1.75×108.并由此推断该反应机理的形核过程为长程扩散控制型生长(初期阶段),从小尺寸开始的各种形状的生长形核率随时间下降. 相似文献
2.
采用热分解法在270℃制备钛基RuO_2-TiO_2氧化物涂层电极材料。利用循环伏安、电化学阻抗谱等方法研究Ti/RuO_2-TiO_2电极分别在0.5 mol/L H_2SO_4、0.5 mol/L Na_2SO_4和1.0 mol/L NaOH电解液中的超电容行为。结果表明:在酸性溶液和碱性溶液中Ti/RuO_2-TiO_2电极有较低的电荷转移电阻和优异的赝电容特性,比电容分别达到550 F/g和578 F/g;而在Na_2SO_4溶液中,该电极的电荷转移电阻较高,表现为典型的双电层电容特征,比电容仅为335 F/g;经历2000次循环充放电测试后,该电极在中性Na_2SO_4溶液中的稳定性最高,荷电能力仅下降3%;在酸性H_2SO_4溶液和碱性NaOH溶液中,该电极的荷电能力分别下降17%和29%。结合SEM和能谱分析可知:RuO_2-TiO_2在Na_2SO_4溶液中几乎不发生腐蚀,表现出良好的循环稳定性;RuO_2-TiO_2涂层在NaOH溶液中发生严重的面腐蚀,而在H_2SO_4溶液中则发生严重的点蚀,导致活性氧化物减少,荷电能力下降。 相似文献
3.
采用热分解法在Ti基上被覆了IrO_2+ZrO_2氧化物涂层。通过XRD、SEM、EDX、XPS和循环伏安法等分析了退火温度对IrO_2-ZrO_2二元氧化物涂层的物相、表面形貌和电容性能的影响,引用非线性方程q~*(v)=A_1exp~(-v/t_1)+A_2exp~(-v/t_2)+y_0计算了涂层的内外活性点。结果表明:IrO_2-ZrO_2涂层的临界晶化温度为340~360℃,340℃退火的涂层物相为非晶结构,360℃退火,含有晶态和非晶态2种结构组织,其离子价态为Ir~(3+)、Ir~(4+)以及过饱和IrO_(2+x)(x0)。电容性能随着温度的升高呈先增大后减小变化,360℃退火的电极有最大的电容值,与其"非晶态/晶态"两相共存组织结构有关。涂层中质子迁移能力比电子导电能力对电容的影响要大,扫描速度对质子迁移的影响大于对电子导电的影响。 相似文献
5.
通过宏观拍照、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、热重(TG)分析和扫描电子显微镜(SEM)等方法详细分析了福建省沿海某区域雷击烧蚀的部分失效样品,使用有限元分析方法分析了绝缘子负荷侧的受力情况。结果表明,失效样品主要表现出断链,氧化老化较少。炭黑量过多会使绝缘层过早失效。绝缘子负荷侧存在最大的应力和应力变形,使得设计上"先天不足"架空绝缘导线在电弧电流产生的堆积热量和应力作用下力学性能降低,产生大量裂纹。绝缘材料本身避免"绝缘薄弱处"是从根本上真正提高架空绝缘导线寿命的关键。 相似文献
6.
纳米级二氧化钛的表面包覆技术 总被引:9,自引:0,他引:9
表面包覆技术是继成功制备出纳米TiO2 后,为获得特异性能及适应多种应用场合而发展起来的新研究项目。本文综述了近年来纳米级TiO2 表面包覆技术的研究成果及进展,并提出当前和今后的研究方向。 相似文献
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TiCl3氧化烧结制备了纳米晶金结石TiO2。通过X射线衍射(XRD)分析其物相,采用透射电镜(TEM)详细观察和分析了不同温度烧结的金红石TiO2纳米晶的形态结构。研究表明,纳米晶金红石与常规金红石有很大的区别,前者为{110}面组成的单形,后者却为聚形。 相似文献
8.
通过热分解法在Ti基体上制备了不同Sn含量的IrO2-SnO2涂层。采用循环伏安(CV),恒流充放电和透射电镜(TEM)等测试方法分析了涂层的电容性能和组织结构的关系。结果表明,所制备的IrO2-SnO2涂层电极的比电容随Sn含量的增加呈先增后减的变化,电极材料的可逆性和快速充放电性能逐渐得到改善。在Sn含量为70mol%时,有最大的比电容值485.07F/g。该涂层以非晶态结构为主,其中含有尺寸分布均匀,大小约1nm的微晶,增大了活性点的面积,比纯IrO2电极的比电容提高了7.5倍。 相似文献
9.
采用不同疏松度的工业纯钛TA2为基材制作RuO2-TiO2阳极涂层. 对不同疏松度基材进行了金相、物相、密度、硬度和电阻率分析,并对所制钛阳极的组织结构、形貌特征、电催化活性和耐腐蚀性进行了比较. 结果表明,疏松度大(疏松)的纯钛TA2硬度比疏松度小(密实)的高60 Hv,电阻率高将近0.2 W×mm;不同基材对阳极涂层的晶体结构影响不大,采用疏松纯钛TA2所制电极的涂层由于刻蚀程度难以控制,涂层表面结构较粗糙,电极的电催化活性差,电化学性能略差,析氯电位提高了约10 mV,强化寿命比密实基体短100 min左右,且容易剥落失效. 相似文献
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