排序方式: 共有47条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
研究了在富铬酵母的制备过程中加入稀土化合物La_2O_3提高有机铬含量的方法。实验结果表明:La_2O_3对酵母同化无机铬为有机铬有明显的促进作用,La_2O_3能显著提高富铬酵母中总铬和有机铬的含量而降低6价无机铬的含量。当培养基中添加100μg·g~(-1)La_2O_3时,富铬酵母中总铬的含量可达到708.33μg·g~(-1),有机铬的含量可达到639.0μg·g(-1),约为未加La_2O_3的富铬酵母样品的3倍;而6价无机铬占总铬的质量分数却由1.60%降至0.72%。首次报道了富铬酵母中有机铬的紫外光谱和红外光谱特征吸收峰,富铬酵母在260 nm和478 cm~(-1)处有特征吸收峰,而加La_2O_3,的富铬酵母样品在此两处的吸收峰值均显著增强,表明La_2O_3的加入有利于富铬酵母中有机铬含量和葡萄糖耐量因子含量的增加。 相似文献
2.
通过对钛酸铅陶瓷气相扩渗稀土元素,制备了导电陶瓷材料。通过X射线衍射、电子探针X射线能谱和扫描电镜测试分析,表明稀土元素La,Ce,Gd,Sm等均已渗入到PbTiO3陶瓷体相中,并生成了新的化合物La5O7NO3,La2C2O2,Gd2O3,La2Ti6O15,SmO和CeTi21O38,并使扩渗后的PbTiO3基陶瓷的导电性能发生了十分显著的变化,其室温电阻率从纯PbTiO3陶瓷的2.0×1010?·m下降为0.2?·m,而且随着温度的变化,晶粒电阻呈现明显的PTCR效应,而晶界电阻随着温度的升高,呈急剧连续降低状态,总电阻的变化规律与晶界电阻的变化相类似,试样总电阻的PTCR效应已不存在,已表现出导电体特征。 相似文献
3.
Pr, Mn多元渗对 BaTiO3陶瓷结构与电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶-凝胶法制备了纯BaTiO3、Pr,Mn液相掺杂及气相多元扩渗改性的BaTiO3陶瓷.研究结果表明,Pr掺杂能使纯BaTiO3陶瓷的室温电阻率下降为1.01×10^5Ω·m;而Mn掺杂使室温电阻率升高为1.50×10^13Ω·m.但Pr和Mn的气相扩渗都能降低BaTiO3陶瓷的室温电阻率至1.08×10^3Ω·m和1.29×10^5Ω·m.Pr-Mn共渗BaTiO3陶瓷出现了典型的NTC效应.XRD分析表明,Pr或Mn掺杂并不能改变BaTiOa陶瓷的物相结构,但经Pr-Mn共渗后,出现了新化合物BaMn0.12Al1.88O4和Al8Mn4Pr的特征峰.XPS分析表明,气相多元渗使Pr,Mn,C元素都扩渗到陶瓷体内,并使各化学元素之间的结合更加牢固.SEM测试结果表明,Pr,Mn气相扩渗使陶瓷表面明显改观,晶粒生长完整,粒度分布均匀,气孔率下降. 相似文献
4.
为改善Na0.5Bi0.5TiO3材料的电性能,采用溶胶-凝胶法制备了Na0.5Bi0.5TiO3粉体.通过液相Ce掺杂和气相Ce扩渗两种方法,对Na0.5Bi0.5TiO3粉体进行了改性,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、阻抗分析仪和电阻仪对改性前后Na0.5Bi0.5TiO3粉体的组成、结构和电性能的变化进行了研究.结果表明:Ce元素的添加有助于Na0.5Bi0.5TiO3粉体电阻率的降低,而扩渗改性使电阻率的降低更为显著,经600℃扩渗的Na0.5Bi0.5TiO3粉体的电阻率由3.71×106Ω.m降至2.39×101Ω.m;稀土Ce掺杂使Na0.5Bi0.5TiO3的介电常数减小,而Ce扩渗使Na0.5Bi0.5TiO3的介电常数显著增大;Ce掺杂使粒径更加均匀,而随着气相扩渗温度的提高,晶粒粒径逐渐变大;Ce掺杂没有改变Na0.5Bi0.5TiO3的主晶相结构,但Na0.5Bi0.5TiO3粉体经Ce扩渗后,出现了单质Bi及Bi2Ti2O7、Na2Ti9O19、Na2Ti6O13的特征峰. 相似文献
5.
6.
采用溶胶凝胶法制备了掺杂不同量Dy2O3(掺杂摩尔分数分别为0.001,0.002,0.003,0.005,0.007)的BaTiO3陶瓷,并对其介电性能的变化进行了研究.结果表明Dy2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的电阻率明显降低,当添加量为0.005mol时,电阻率最小,为4.19×108Ω·m.Dy2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的介电性能在不同掺杂量和不同频率下发生了明显变化,掺杂量为0.001mol、0.002mol时,BaTiO3陶瓷的介电特性和频率特性得到明显改善,在频率为1000Hz时介电性能相对较好.Dy2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的介电温谱有所展宽,且Curie温度有所降低,交流电导随着温度的升高而增大,并在Curie点附近达到最高. 相似文献
7.
采用气相法对 PbTiO3陶瓷扩渗 Gd元素,经扫描电镜和 X射线能谱分析,证实 Gd元素已渗入到 PbTiO3陶瓷中,并使 PbTiO3陶瓷的导电性能和介电性能发生了十分显著的变化.经Gd扩渗,PbTiO3陶瓷的室温电阻率从 2.0× 1010Ω@ m下降为 0.25Ω@ m,已趋近导体.随着温度升高,晶粒电阻和晶界电阻逐渐降低,导电性更强. Gd扩渗使 PbTiO3陶瓷的介电常数较纯PbTiO3陶瓷明显增大. 相似文献
8.
9.