ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征

采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2O4 纳米晶，XRD、SEM和TEM结构分析结果表明，喷射共沉淀法制备的ZnGa2O4的纳米晶颗粒细小均匀，形状完整，与化学共沉淀法相比，粒子尺寸明显减小，小于10nm，同时ZnO杂相峰消失，分析了喷射共沉淀法的机理，并对实验结果进行了解释。     

Al/SiO_2/Si表面Al_2O_3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法

采用AFM阳极氧化方法,在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下,在Al/SiO2/Si表面制备了Al2O3纳米图形,图形最小尺寸为70nm.研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理.实验结果表明AFM阳极氧化是制备金属氧化物半导体纳米器件的较好方法     

形状记忆执行材料的研究进展

形状记忆材料是一种重要的智能材料,主要作为执行器件材料,被广泛的用在建筑、航空航天、军事和医学等领域.近年来形状记忆材料的研究和应用受到研究人员的重视.本文综述了近几年形状记忆合金、形状记忆陶瓷和形状记忆聚合物的新的研究成果和研究方向,展望了形状记忆材料未来的发展趋势.     

新型生物膜一体化装置处理草浆中段废水的研究

针对草浆中段废水的特点,集合水解酸化、好氧流化和生物过滤等工艺的优点,同时采用多孔弹性材料设计了一种新型生物膜一体化装置,并利用该装置对碱法草浆中段废水进行处理实验。结果表明:在最佳HRT为16 h条件下,系统出水CODCr为250～350 mg/L,BOD5在50 mg/L左右,浊度6 NTU,CODCr去除率达到72%,BOD5去除率达到80%以上,并有95%以上的除浊率。     

硅纳米晶的制备和电荷储存特性

在Si/SiO2/Si衬底上通过真空热处理生长了硅纳米晶,利用原子力显微镜对硅纳米晶注入电荷,在静电力模式下研究了硅纳米晶的充放电特性.实验结果表明,硅纳米颗粒充电后电荷可以保存10h以上,同时可以在几秒内快速放电.电荷储存于纳米颗粒内部和表面,不会向外扩散.     

纳米二氧化铈化学共沉淀法制备及结构表征

采用化学共沉淀法制备了稀土氧化物CeO2纳米粉末材料,并用XRD、SEM和TEM对其结构特性进行了表征。分析结果表明,化学共沉淀法制备的CeO2纳米粉末颗粒细小均匀,形状完整,CeO2粉末粒子尺寸在20 nm左右。粉末的电子衍射分析发现,CeO2纳米粉末具有完整的晶格。     

硅纳米晶的制备和电荷储存特性

在Si/SiO2/Si衬底上通过真空热处理生长了硅纳米晶,利用原子力显微镜对硅纳米晶注入电荷,在静电力模式下研究了硅纳米晶的充放电特性．实验结果表明,硅纳米颗粒充电后电荷可以保存10h以上,同时可以在几秒内快速放电．电荷储存于纳米颗粒内部和表面,不会向外扩散．     

日本基于MEMS传感器的研究进展

本文综述了近年来日本基于MEMS的传感器在企业和高校的研究进展,简述了各类MEMS传感器的结构特点与微机械加工技术,对我国MEMS传感器的研究与发展将有很大的借鉴作用.     

^60Co辐照对芳基乙炔预聚体热聚合物性能的影响

为了探讨辐照对芳基乙炔预聚体及聚芳基乙炔（PAA）性能的影响,采用^60Co对芳基乙炔预聚体及PAA进行辐照,并运用DSC和TGA对芳基乙炔预聚体热聚合过程和PAA的性能进行了研究。研究结果表明：（1）辐照的芳基乙炔预聚体聚合热减小;（2）经预辐照热聚合的PAA比未经预辐照直接热聚合的PAA的耐热性好;（3）PAA经辐照后处理,耐热性能提高。这些结果表明辐照能有效改善PAA的耐热性能。     

离子源偏压对PIA-EB-Hf法制备的HfO2激光薄膜性能的影响

探究HfO₂薄膜的激光损伤特性以进一步提高激光损伤阈值(Laser Induced Damage Threshold, 简称LIDT), 对其在高功率激光系统中的广泛应用具有重要的意义。在不同的离子源偏压下, 采用等离子体辅助电子束蒸发金属铪(Hf)并充氧(O₂)进行反应沉积法制备了中心波长为1064 nm, 光学厚度为4H的HfO₂薄膜样品。测试了薄膜组分和残余应力; 根据透射谱拟合了薄膜的折射率; 通过XRD谱图和SEM表面形貌图分析了薄膜的微观结构; 对激光损伤阈值、损伤特性和机理进行了论述。结果表明: 偏压100 V时制备的薄膜具有最佳O/Hf配比; 薄膜压应力和折射率均随偏压降低而减小。薄膜内存在结晶, 激光能量在晶界缺陷处被强烈聚集和吸收, 加速了膜层的破坏, 形成由几百纳米的烧灼坑聚集而成的海绵状损伤结构。随着偏压降低, 膜结晶取向由(\stackrel{\text{?}}{1}11)晶面向(002)晶面转变, 界面能降低; 晶粒减小, 结构更均匀, 缓解了激光能量在晶界处的局部聚集与吸收, 表现出较大的激光损伤阈值。