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对电源电压可能超过安全极限的电路和系统,可用图1所示电路实现过压检测和保护。实例之一是使用外部交流适配器的各种低功耗产品,在使用中很容易错误地将这类产品插入有故障的适配器。另一个例子是各种使用可重复充电的后备电池的便携式系统,如 相似文献
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4.
周转性材料是指在工程施工过程中,能多次使用,反复周转的工具性材料、配件和用具等,如钢轨及配件、模板和脚手架等。本文首先对周转性材料的现场管理存在的问题提出原因分析,并以攸县项目的管理办法为例,提出解决的办法,结合实践中的经验来阐述观点。 相似文献
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通过研究新型荧光材料2-(2-溴-5-乙烯-噻吩)-8-羟基喹啉锌(BTHQZn)的电致发光特性,发现BTHQZn具有良好的电致发光特性和空穴传输特性,利用此特性制备了掺杂型有机电致黄光器件,结构为ITO/2T-NATA(30nm)/CBP∶5%Ir(ppy)3∶10%BTHQZn(20nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Al,器件在12V时实现了黄绿光发射,最大发光亮度为4552cd/m2,色坐标为(0.3954,0.4976),在11V电压下的最大发光效率为2.82cd/A。 相似文献
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InGaAs/InP雪崩光电二极管(InGaAs/InP APD)是近红外单光子探测器的核心器件之一,其国产化已成为趋势.InGaAs/InP APD工作于1.25 GHz门控盖革模式下,由于APD本身的电容特性,单光子触发产生的雪崩电信号被尖峰噪声所湮没,采用低通滤波的方法可以将有效雪崩信号从尖峰噪声提取出来.为了探讨国产APD的参数水平,对不同温度不同探测效率下国产InGaAs/InP APD的暗计数及后脉冲概率,时间抖动性等相关性能参数进行了测量,并与国外数据进行了对比.当国产InGaAs/InP APD工作于-25 ℃,探测效率10 %时,暗计数可低至9.9 X10 7/gatc,后脉冲仅为1.5这表明在InGaAs/InP APD这一领域,我国已接近国外水平,但仍有一定的进步空间. 相似文献