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基片温度对金刚石厚膜生长的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备了ф60 mm的金刚石厚膜,通过对沉积过程和结果的观察发现,由于所用沉积气压较高,基片不同区域温度不均匀,导致不同区域沉积的金刚石厚膜晶型差距较大.通过对不同区域的结果进行比较,发现850℃为较好的沉积温度,并在对沉积工艺进行优化后,采用该温度在ф60mm的基片上制备了厚度为0.6 mm取向性很好的金刚石厚膜. 相似文献
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基片预处理对CVD金刚石薄膜形核的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
微波辅助等离子体化学气相沉积法是目前低压气相合成金刚石薄膜方法中应用最普遍、工艺最成熟的方法,形核是CVD金刚石沉积的第一步.利用微波辅助等离子体化学气相沉积装置,研究了硅基片预处理方式对金刚石薄膜形核密度的影响.在工作气压为5-8kPa,微波功率为2500—5000W,甲烷流量为4-8cm^3/min,氢气流量为200em3/min,沉积温度为500℃-850℃的条件下,在单晶Si基片上沉积金刚石薄膜.通过扫描电子显微镜形貌观察表明,基片预处理能够显著提高金刚石形核密度,同时用拉曼光谱表征了金刚石薄膜的质量, 相似文献
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以CH4和H2为气源,用微波辅助等离子体装置,在10.0 mm×7.0 mm的砷化镓基底上沉积了CVD金刚石薄膜,用扫描电子显微镜观察沉积效果,拉曼光谱表征沉积质量,分析薄膜附着力与砷化镓材料性能的关系。结果表明,当基体温度为600℃,气压为5 kPa,甲烷浓度为2.0%时,在砷化镓片表面上沉积出了CVD金刚石薄膜,晶粒尺寸均匀,晶形完整、规则,晶界非常清晰。 相似文献
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化学气相沉积(CVD))金刚石薄膜优异的光学性能在近几年得到了广泛的重视,关于它的研究也在近几年取得了较大的突破。综述了CVD金刚石薄膜的光学性能,着重从成核、生长和后期处理三个方面对光学级CVD金刚石薄膜的制备进行了讨论,并对今后的研究作了展望。 相似文献
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