SSCH3光解离的多参考理论计算

摘要运用多参考微扰理论(Multireference MΦller-Plesset theory)计算了SSCH3垂直激发能及其S-C与S-S两种断键方式的绝热(Adiabatic)与非绝热(Diabatic)的基态和激发态势能曲线, 研究了在193nm激光作用下SSCH3的光解离过程, 理论计算值与实验值相符.     

微波硫灯发射光谱的理论模拟

通过实验观测了微波硫灯的发光光谱. 利用从头计算的多组态准简并微扰理论方法, 采用cc-pVQZ基组计算了S2分子B3Σu--X3Σg-态和B″3Πu-X3Σg-态的跃迁矩及其振动态之间跃迁的弗兰克-康登因子, 导出了S2分子振动分辨发射谱. 同时, 利用含时密度泛函方法计算了Sn(n=2~8)分子的吸收谱. 将计算得到的S2分子振动分辨发射谱与实验所测得的光谱分布进行了比较分析, 解释了微波硫灯的宽谱区发光光谱的特性.     

S3解离中的非绝热过程

采用量子力学从头计算方法研究了硫的三聚物S_３低激发态解离过程.构造了S_３分子的解离极限.对态态间跃迁极矩的计算表明，在势能曲面的交叉区域态态间存在相互转换的非绝热过程，从而确定了在S_３解离为S₂的复杂过程中，非绝热预解离是重要的解离通道. 关键词： ３')" href="#">S_３ 从头算 预解离 非绝热     

溴到铷的类钠离子能级辐射跃迂几率和能级寿命

本文在多组态Dirac-Fock(MCDF)理论框架下计算了水窗波段(λ:23.3～43.8A,相当于Z:34～46)的溴到铷的类钠离子1s~22s~22p~6nlj(n=3～15,l=0～6)各能级能量及各能级n_il_ij_i—n_kl_kj_k(n_i≤6,n_h≤15)间的电偶极辐射跃迁几率,并由此得出可能产生软X射线激光跃迁(4f-5g,4d-5f,4f-6g,4d-6f)的激光上能级的寿命,把计算得到的跃迁波长与实验测量值进行比较,其相对误差小于0.35％。     

CoⅩⅧ离子2s~22p~53l2s2p~63l、2s~22p~54l组态的能级及跃迁波长计算

本文用相对论多组态Dirac-Fock广义平均能级(MCDF-EAL)模型,计算了可能形成超真空紫外区相干辐射的类氖等离子体激光工作物质的CoXVⅢ离子2s~22p~53l、2s2p~63l、2s~22p~54l组态精细结构能级的能量值,以及3l、4l-2p~6(~1S_0)、3l-3l＇、3l-4l＇、4l-4l＇多重态之间的跃迁波长值。3l、4l-2p~6(~1S_0)跃迁波长计算值与已知观测值符合相当好。     

慢电子对氮、氧和氖原子散射的总截面的计算

本文用下列解析原子波函数 1s电子:φ₁(r)=N₁e^-μar, 2s电子:φ₂(r)=N₂[(μr)e^-μr-Ne^-μar], 2p电子:φ3(r)=N₃(μr)cosθe^-μr, φ₄(r)=N₄(μr)sinθe^iφ-μr, φ₅(r)=N₅(μr)sinθe^-iφ-μr,推导出入射电子与氮、氧和氖原子之间相互作用的解析势函数,其中包括了交换作用与极化作用。应用这种势函数并用分波法,文中还算出了慢电子在这三种原子的势场中运动的畸变波函数、相移及散射总截面。计算结果与实验值很符合。     

Electronic Curves Crossing in Methyl Iodide by Spin--Orbit Ab Initio Calculation

An ab initio investigation of electronic curve crossing in a methyl iodide molecule is carried out using spin-orbit multiconfigurational quasidegenerate perturbation theory. The one-dimensional rigid potential curves and optimized effective curves of low-lying states, including spin-orbit coupling and relativistic effects, are calculated. The spin-orbit electronic curve crossing between ^3Qo＋ and ^1Q1, and the shadow minimum in potential energy curve of ^3Qo＋ at large internuclear distance are found in both sets of the curves according to the present calcu- lations. The crossing position is in the range of Re-1 = 0.2370 3：0.0001 nm. Comparisons with other reports are presented.     

硅(100)非重构表面上乙炔吸附反应的理论研究

采用量于力学AM1半经验分子理论轨道方法计算了在Si(100)非重构光滑附氢表面上乙炔化学吸附反应过程中的体系生成热,由此得到各步骤反应的活化焓和反应热数值.结果表明,乙炔分子容易在Si(100)表面上形成稳定的双位σ键吸附.     

NaⅨ离子电子碰撞激发速率系数

本文是在对屏蔽常数的计算作了改正后的Z标度类氢模型下,计算了NaⅠⅩ的电子碰撞激发的速率系数。