金属核的磁共振研究——Ⅲ锡(Ⅳ)有机化合物的~(119)Sn、~(117)Sn-NMR谱及溶剂配位络合物的形成

本文测定了二十个含有烷基、苯基、烯丙基、五元杂环基及其它极性基团的Sn(Ⅳ)化合物的~(119)Sn、~(117)Sn-NMR谱,讨论了各种取代基对Sn核电子云密度及磁屏蔽的影响,考察了~(119)Sn谱峰随溶剂、浓度、温度的变化,研究了Ph_3SnCl化合物与DMSO配位生成配合物的过程,测出了平衡常数和自由能的变化。     

α—卤代桂皮酰哌啶类化合物的NMR及构型研究

本文报道了六对α—卤代桂皮酰哌啶类化合物的~1H—NMR和~(13)C—NMR研究,通过比较不同温度下~1H—NMR谱中派啶环α—H的化学位移和峰形,讨论了构型,构象变化的影响,从而鉴别了各化合物的Z、E构型,并由~(13)C偶合谱中羰基碳与β烯氢的偶合常数~3J_(CCCH)对结果加以论证。     

三环已基羧酸锡的~(13)C和~(119)Sn NMR研究

测定了33个三环己基脂肪族和芳香族羧酸锡在非配位溶剂(CDCl_3)中的~(13)C和~(119)Sn NMR谱。结果表明:化学位移δ(~(119)Sn)值主要由锡原子的配位数决定,结构上微小的变化。都能在δ(~(119)Sn)值上明显地表现出来。讨论了不同类型化合物间NMR参数间的关系。     

1—(3—吡啶甲酰)—4—芳基氨基硫脲类和3—(3—吡啶基)—4—芳基—1,2,4—三唑啉—5—硫酮类化合物~(13)C—NMR谱研究

本文测定了1-(3—吡啶甲酰)—4—苯基氨基硫脲、3—(3—吡啶基)—4—苯基—1,2,4—三唑啉—5—硫酮等8个新化合物的~(13)C NMR谱,运用质子宽带去偶、偏共振去偶,结合信号强度对比、苯基取代基效应的计算,同时与模型化合物对照,一一归属了其谱峰。本文对这两类化合物之间的~(13)C NMR谱差异进行了探讨,并得到了在吡啶环3位取代的甲酰肼基对吡啶环各碳取代基效应的数据。     

ITO/Rubrene表面及界面的AFM和XPS研究

采用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱仪(XPS)研究了氧化铟锡(ITO)/红荧烯(Rubrene)的形貌和表面、界面的电子态。AFM结果显示,ITO上的Rubrene膜有良好的均匀性。XPS结果表明:C1s谱有3个峰,位于282.50,284.70,289.30 eV,对应于C—Si、CO和C—C键。用氩离子束溅射表面,芳香碳对应的峰值逐渐增大,其他两个峰值迅速消失。随着表面O污染的去除,O1s峰先快速减弱然后逐渐增强。界面附近的O原子与C原子结合构成OC、C—O—C和醛基。In3d和Sn3d峰则缓慢增强,在界面附近峰值变得稳定。C1s、In3d、Sn3d谱峰都向低束缚能发生化学位移,表明ITO与Rubrene在界面发生了相互作用,形成一个互扩散层。     

2-三苯基锗基乙基苯基酮、4-三氯锗基-4-甲基-2-戊酮及其类似物Raman及IR光谱

我们合成有机锗化合物的重要中间体 4-三氯锗基 - 4-甲基 - 2 -戊酮 ( A)、3-三氯锗基 -3,5,5-三甲基环己酮 ( B)、2 -三氯锗基 - 2 -苯基乙基苯基酮 ( C)、2 -三苯基锗基乙基苯基酮 ( D) ,测量了他们的 Raman和 IR光谱并进行了讨论。在化合物 A- D的 Raman和 IR光谱 ,苯环中的 C- H伸缩振动 ,饱和 C- H伸缩振动 ,饱和 Ge- C伸缩振动等特征数据基本一致。C=O伸缩振动在 Raman和 IR光谱中位置基本一致 ,但在红外光谱中均为强吸收带 ,而在 Raman光谱中的峰强度差别则非常大 ,化合物 A、D的峰非常弱 ,而 C的峰则很强 ,化合物 A- C的 Ge- Cl振动均在 390 cm- 1附近出现强峰。     

双氢埃托啡的二维核磁共振研究

双氢埃托啡(1)为合成的新型高效镇痛药.其~1H和~(13)C NMR谱较为复杂,本文采用二维~1H—~1H COSY—NO ESY和~(13)C—~1H COSY等技术作了研究,确定了其全部~1H和~(13)C谱峰的归属,推断出C—7的构型,并且发现前人对其类似物的一些谱峰指定有误.本结果有助于此类化合物的结构测定和立体化学的研究.     

TRANILAST ^1H^13CNMR谱分析及其结构的鉴定

本文用COSY,CHCOR等二维核磁共振技术对TRANILAST,2[]3-(3.4-二甲基苯基)1-氧代-2-丙烯基]氨基]苯甲到进行了~1H、~(13)C NMR谱数据分析及归属,并结合~(13)C弛豫时间T_1 及变温实验对合成产品进行了结构鉴定.     

富Sn法制备多芯Nb_(3)Sn超导复合线的研究

采用Nb管和富Sn的铜锡合金之间的内扩散法制备了33和55芯的多芯Nb_3 Sn超导复合线.研究了Nb_3Sn反应扩散热处理(600—850℃,1—250hr)和添加元素In对Nb_3Sn反应扩散层的厚度、晶粒大小和超导性能的影响.结果表明:阶梯升温扩散热处理有利于晶粒细化,添加元素In提高了Nb_3Sn反应扩散层平均生长速率与Nb_3Sn晶粒长大速率之比值.55芯Nb_3(SnIn)复合线全电流密度J_c(4.2K,6T)约为7.3×10~4 Acm~(-2)     

锡(Ⅳ)-磺基水杨酸-溴邻苯三酚红-溴化十六烷基三甲基 铵胶束混配络合物的显色反应

在 p H1.6的氯乙酸缓冲介质中 ,溴化十六烷基三甲基铵存在下 ,Sn( )与溴邻苯三酚红及磺基水杨酸形成 ( 1+2 +1)的胶束混配络合物。络合物的最大吸收波长为 540 nm,表观摩尔吸光系数为 8.9× 10 4 L·mol-1·cm-1。Sn( )浓度在 0— 0 .6mg/ L范围内符合比耳定律。方法的选择性及稳定性都比无磺基水杨酸时好 ,适用于罐头盒中微量锡的测定 ,结果令人满意。     

青铜基体配置对多芯Nb_3Sn导体的影响

采用青铜工艺制备了具有不同青铜基体配置的两种多芯Nb_3Sn复合线,一种复合线具有均匀的青铜配置;另一种是不均匀的,并且,和国内外大多数复合线一样,在其外部有一个厚的青铜壳。研究结果表明,复合线中的青铜配置对芯丝的均匀反应、Nb_3Sn晶粒形貌以及青铜基体中的锡源变化具有明显的影响。所有这些使得两种导体的临界电流密度出现明显的差别。对于青铜基体均匀配置的导体,J_(c芯)(Nb_3Sn + Nb)比非均匀配置的导体高20—50％,     

一种SnO_2导电膜的制备方法

本专利报导了用锡和钛的有机化合物混合物热分解获得的一种SnO_2透明导电膜的方法。其混合物如Sn(OR)_2(或Sn(OOCR)_2)和Ti(OR_4)(或Ti(OOCR)_4),其中的R为烷基,把它溶在醇或醚化合物的有机溶剂中,然后涂在底上,在100—250℃下干燥,然后把衬底连同涂层一起在高于400—500℃温度下热处理。这时所用混合物完全热分解,完成了SnO TiO_2层的再结晶。     

SmCo_(3.66)Fe_(0.13)Sn_(0.06)永磁体Sn处超精细作用的研究

用穆斯堡尔谱学方法研究了SmCO_(3.66)Fe_(0.13)Sn_(0.06)烧结薄片的~(119)Sn谱。发现Sn处磁分裂约为零。得出了Sn近邻区域处于顺磁状态中,添加的大部分Sn及Fe,Sn原子比不小于1:2的Fe均匀地进入了SmCo_5晶格,Fe在Sn近邻形成了主要特征组份相近于FeSn_2的有序排列结构的结论。讨论了这一组态及与之相联系的可能呈现的自旋排布对矫顽力的影响。     

Nb_3Sn掺铜的显微结构

前言 Nb_3Sn是A-15化合物中的一个重要超导材料,有较高的H_(c2)(230kG)、T_c(18K)和J_c(在100kG场强下为2.6×10~(5)A.cm~(-2)),继Nb_(3)Sn掺ZrO_(2)颗粒的方法改善了J_c)性能之后叫,J.S.Caslaw期望加入第三元素引起反应动力学的改变来阻止或加快Nb_3Sn的形成达到影响其结构与性能. 结果发现在含有ZrO_2粒的铌基带上加铜扩散形成Nb_3Sn时,反应速度加快。J_c性能也几乎提高一倍. 形成Nb_3Sn的反应速度与锡的扩散速度成正比,所以,反应速度加快实际上意味着锡在铌三锡中的扩散速度加快.金属与合金中的内吸附研究表明,少量具有内表面活性的元素在合金中能显著改变某种元素的扩散速度,即:如果对B元素(或合金)而言,A元素不是内表面活性的,而C元素是内表面活性的,当加入C元素时,便会大大加速(或     

用^1HNMR芳烃质子鉴定α—卤代桂皮酰胺类化合物的构型

桂皮酰胺类化合物的Z或E—构型,影响其对中枢神经的药理作用(兴奋或抑制),根据NMR测定结果,该类烯氢未取代的化合物,可以用两个烯氢的偶合常数大小来鉴定其构型(J_E>J_Z);α—卤代的桂皮酰胺,可根据β—烯氢的化学位移(δ_(H(z))>δ_(H(E)),差别大于1 ppm)和NH的化学位移(δ_(H(z))>δ_(H(E)))来区分.但对α—卤代的桂皮酰哌啶类化合物,其哌啶环的氮上无氢,两种构型的β—烯氢的化学位移的差别也不大,可以利用(?)C=O与β—烯氢的偶合常数~3J_(CH)来区别.但~3J_(CH)不易测定,干扰因素也多.有些化合物可根据N上取代基的大小,导致(?)C(?)键和芳环自由转动程度不同及优势构象各异、面角改变等来鉴定构型(Z或E).综合和比较这些化合物的~1H谱发现α—卤代桂皮酰胺类化合物,不论酰胺氮上带有何种取代基,苯环上取代基的种类与数目,芳烃质子的化学位移与峰形,Z型和E型有显著的不同,特别是α—位为较大的溴原子取代时,这种差别更明显,可用于鉴定这些化合物的构型.     

乙酰丙酮-5,10,15,20-四取代苯基卟啉稀土铥络合物的吸收光谱

络合物Tm(g)Tppacac(g:H,O—NO_2,P—NO_2,O—Cl,m—Cl,P—Cl,P-CH_3O;HTpp:5,10,15,20-四苯基卟啉;Hacac:乙酰丙酮)在可见和红外区的吸收光谱被讨论。HTpp、H(P—CH_3O)Tpp、H(O—NO_2)Tpp、H(P—NO_2)Tpp、H(P—Cl)Tpp、H(O—Cl)Tpp和H(m-Cl)Tpp的核的N—H伸缩振动分别在3317、3318、3318、3320、3321和3324cm~(-1),取代物与HT_(pp)比较向长波位移1—7cm~(-1)。络合后,由于N—H上的氢被稀土离子取代,此带消失·络合物中的1516—1518cm~(-1)谱带在卟啉和过渡金属卟啉中不存在,它们与乙酰丙酮配位相关,是乙酰丙酮环上的C—C伸缩振动。但对Tm(O—NO_2)Tppacac和Tm(P—NO_2)Tppacac,产生强宽谱带1523和1519cm~(-1),这是由于邻、对位硝基苯基卟啉的反对称N—O伸缩振动1512和1524cm~(-1)与乙酰丙酮的C—C伸缩振动的迭加结果。TmTppacac的M—O伸缩振动在372cm~(-1),取代络合物此带向低波数发生明显位移,其位移次序为: Tm(m—Cl)Tppacac>Tm(O—Cl)Tppacac>Tm(P—Cl)Tppacac> Tm(P>NO_2)Tppacac>Tm(O—NO_2)Tppacac>Tm(P—CH_3O)Tppacac 按此次序,它们的带频率分别为350、355、356、357、360和366,向低波数位移6—27cm~(-1)。还有一些谱带,如吡咯的βC—H摇摆和C—H弯曲振动、吡咯和苯环的—C=C—伸缩振动等也参照文献进行了归属。可见谱带中,取代络合物与TmTppacac比较,大多数谱带都向长波或短波长方向发生位移。     

~(12)C ~(124)Sn系统中大质量转移反应的初始L分布

用α-γ符合测量方法,对72MeV的~(12)C离子轰击近球形靶~(124)Sn的(~(12)C,α×n)和(~(12)C,~8Be×n)反应进行了研究.测定了与前方角20°—50°发射的α粒子相关联的余核级联γ的平均γ多重性〈M_γ〉,据此推算出~(124)Sn核俘获~8Be和α反应的最可几初始轨道角动量分别是35.5((?))和39((?)),与全熔合临界角动量l_(cr)=34.4((?))之比近似等于1,甚至稍大于1.实验支持了大质量转移是发生在高角动量区的周边反应的观点,而与近期出现的初始l布局有赖于靶核形变程度及球形靶核系统的大质量转移是中心碰撞的论点相背悖.     

单态氧(1,0)~1Δ_g→~3∑_g~-近红外磷光的直接光谱观察

从光谱上直接观察了单态氧～1.07μm谱带。血卟啉、原卟啉、卟啉C和四氯四碘荧光素钠等含极性基团的光敏剂与非极性的四苯基卟吩在相同的溶剂中所产生的谱带形状有所不同,测量了β-胡萝卜素对单态氧的猝灭常数,与文献在1.27μm测得的数值一致。     

~(12)C ~(112,124)Sn反应中靶核中子数对出射粒子截面的影响

实验研究了入射能量E_l=70.0 MeV的~(12)C ~(112)Sn和~(12)C ~(124)Sn两个反应。使用△E-E半导体探测器,测量了两反应中出射的α、Li、Be、B各粒子的能谱和角分布。α粒子的角分布可以通过假定存在三种机制的α组份得到定性的解释。Li、Be、B的角分布为擦边角成峰,无前角成峰组份。实验结果给出,~(12)C ~(112)Sn反应比~(12)C ~(124)Sn反应出射α粒子的截面大,而出射Li、Be、B等粒子的截面小,表明靶核中子数,对出射粒子的几率有明显的影响。     

基于发射光谱法锡等离子体特征参数的求解研究

利用调QNd:YAG 1064 nm激光器诱导产生锡等离子体,基于9条锡发射谱线,构建二维玻尔兹曼图,得到锡等离子体电子温度5063 K,利用洛伦兹函数拟合锡发射谱线Sn(I) 228.66 nm,得到锡等离子体电子密度3.8×10¹⁷ cm^-3,结果证实激光诱导的锡等离子体处于热力学平衡状态.