共查询到19条相似文献,搜索用时 422 毫秒
1.
建立了调制激光诱发硅太阳能电池的少数载流子密度波数学模型,并利用光致载流子辐射检测掺杂浓度、阻抗及载流子输运参数. 对频域响应曲线中的双弯曲效应进行了研究,构建了小交流信号作用的太阳能电池等效电路拓扑结构,仿真分析了不同掺杂浓度、阻抗电阻和载流子传输参数对频响曲线拐点的影响. 通过光致载流子辐射频域扫描实验与多参数拟合检测了单晶硅太阳电池的施/受主浓度、并联电阻和载流子输运参数. 结果表明:光致载流子辐射技术检测大面积太阳能电池频响曲线的双弯曲是由电容效应所引起的,建立的数学模型可定量描述和预测检测结果,并用于测量太阳能电池的掺杂浓度、电阻和载流子输运参数.
关键词:
调制自由载流子辐射
扫频检测
PN结电容
参数测量 相似文献
2.
推导出用于测量半导体载流子输运特性(载流子寿命、载流子扩散系数和前表面复合速度)的调制自由载流子吸收(modulated free carrier absorption, MFCA)检测技术的三维理论模型,给出了调制自由载流子吸收检测信号与调制频率和抽运-探测光相对距离的关系.定性分析了在不同调制频率时各个载流子输运参数对径向位置扫描曲线(信号与两束光相对距离的关系)的影响,结果表明调制自由载流子吸收检测信号对各个参数的灵敏度随抽运-探测光相对距离的增加而增加.仿真和实验结果表明,通过拟合不同调制频率时调
关键词:
调制自由载流子吸收
载流子输运特性
径向位置扫描 相似文献
3.
建立了调制激光诱发硅晶圆少数载流子密度波一维模型, 仿真分析了少数载流子输运参数对调制激光诱发载流子辐射信号频域响应的影响. 利用调制激光诱发载流子辐射扫描成像系统对含有表面划痕的硅晶圆进行了扫描成像试验研究. 通过少数载流子密度波模型与多参数拟合方法反求得到了扫描区域的输运参数二维分布图. 该方法得到的少数载流子寿命与利用传统光电导方法测量的少数载流子寿命结果相符; 分析了划痕对载流子输运参数造成的影响, 与光电导方法比较, 该方法可以测量不同位置的全部载流子输运参数且分辨率高. 相似文献
4.
5.
Q有机聚合物材料中光生载流子传输的跳跃输运 总被引:3,自引:3,他引:0
本文描述了跳跃模型在有机聚合物光折变材料中空间电荷场理论上的应用.在Feinberg针对无机光折变晶体提出的电荷传输过程模型-跳跃模型(Hopping Model)基础上,根据有机聚合物光折变材料的特点,考虑了光生载流子产生过程中的电子空穴对的复合过程(对复合和双分子复合过程)和激发光场的频率(即激发光子的能量)对光生载流子产生的影响,给出了有机聚合物材料中光生载流子产生的量子效率和光生载流子的分布密度及其跳跃率的新表示,完成外加调制光场和静电场同时作用下有机聚合物材料中光生载流子传输的跳跃方程,得到空间电荷场建立的动态过程和稳态时的解析表达式及其数值计算结果. 相似文献
6.
提出了采用双波长自由载流子吸收技术同时测量半导体材料载流子体寿命和前表面复合速率的方法.通过数值模拟,定性分析了不同载流子体寿命和前表面复合速率对信号的影响,同时对测量参数的可接受范围和不确定度进行计算并与传统频率扫描自由载流子吸收方法测量结果进行比较.结果表明:提出的双波长自由载流子吸收方法可明显减小载流子体寿命和前表面复合速率的测量不确定度,提高参数测量精度;表面杂质和缺陷越多的样品,其前表面复合速率测量不确定度越小.进一步分析表明,此现象与不同波长激光抽运产生的过剩载流子浓度分布不同有关. 相似文献
7.
通过地面模拟辐照试验获得不同能量电子辐照下GaAs/Ge太阳电池电学参数退化的基本规律, 在此基础上使用PC1 D模拟程序分析太阳电池内部的载流子输运机理, 建立不同能量的电子辐照下GaAs/Ge太阳电池中多数载流子浓度和少数载流子扩散长度随辐照粒子注量变化的基本规律. 研究结果表明: 多数载流子浓度和少数载流子扩散长度均随入射电子注量的增大而减小, 多数载流子去除率和少数载流子扩散长度损伤系数均随电子能量的增高而增大, 多数载流子去除效应和少数载流子扩散长度缩短分别是电池开路电压和短路电流退化的主要原因. 相似文献
8.
9.
复杂半导体材料结构中的载流子分布特性对器件性能有重要影响. 本文针对一种新型的波长上转换红外探测器, 研究了载流子阻挡结构对载流子分布和器件特性的影响. 论文通过自洽求解薛定谔方程、泊松方程、电流连续性方程和载流子速率方程分析了不同器件结构中的空穴分布. 同时, 生长了相应结构的外延材料, 并通过电致荧光谱分析了载流子阻挡结构对器件特性的影响. 结果表明, 2 nm厚的AlAs势垒层既能有效阻挡空穴又不影响电子输运, 有利于制作波长上转换红外探测器. 此外, 论文分析了阻挡势垒层的厚度和高度以及工作温度对载流子分布的影响. 本文研究结果亦可应用于其他载流子非均匀分布的半导体器件. 相似文献
10.
11.
12.
Performance of dual-band short-or mid-wavelength infrared photodetectors based on InGaAsSb bulk materials and InAs/GaSb superlattices 下载免费PDF全文
In this paper,we demonstrate bias-selectable dual-band short-or mid-wavelength infrared photodetectors based on In_(0.24)Ga_(0.76)As_(0.21)Sb_(0.79)bulk materials and InAs/GaSb type-II superlattices with cutoff wavelengths of 2.2μm and 3.6μm,respectively.At 200 K,the short-wave channel exhibits a peak quantum efficiency of 42%and a dark current density of5.93×10~(-5)A/cm~2at 500 mV,thereby providing a detectivity of 1.55×10~(11)cm·Hz~(1/2)/W.The mid-wave channel exhibits a peak quantum efficiency of 31%and a dark current density of 1.22×10~(-3)A/cm~2at-300 mV,thereby resulting in a detectivity of 2.71×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W.Moreover,we discuss the band alignment and spectral cross-talk of the dual-band n-i-p-p-i-n structure. 相似文献
13.
通过坩埚下降法生长了系列共掺Nd,Gd:CaF2和Nd,Y:CaF2晶体, 研究了Gd3+/Y3+共掺对Nd3+光谱性能以及Nd:CaF2晶体晶胞参数的影响规律. 对于0.5 at.%Nd, x at.%Gd(x=2,5,8,10):CaF2系列晶体, 当调控Gd3+掺杂浓度为2 at.%时, 具有最大的荧光寿命499 μs; 当Gd3+掺杂浓度为5 at.%时, 具有最大的吸收截面1.47×10-20 cm2, 最大的发射截面1.9×10-20 cm2; 当Gd3+掺杂浓度为8 at.%时, 具有最佳的发射带宽29.03 nm. 对于0.6 at.%Nd, xat.%Y(x=2, 5, 8, 10):CaF2系列晶体, Y3+掺杂浓度为5 at.%时, 有最大的吸收截面2.41×10-20 cm2, 最大的发射截面3.17×10-20 cm2; 当Y3+掺杂浓度为10 at.%时, 具有最长的荧光寿命359.4 μs,并且具有最大发射带宽26 nm. 相似文献
14.
15.
采用坩埚下降法成功地生长了Er~(3+)离子掺杂的Na_5Lu_9F_(32)(NLF)单晶体。测定了单晶体在400~2 500nm波段的吸收光谱与2.5~25μm红外波段的透过光谱。Na_5Lu_9F_(32)单晶体在400~7 150 nm宽波段范围具有好的光学透过性,在该波段的透过率达到90%。在透过光谱中几乎观察不到2.7μm中红外波段的吸收,说明单晶体中OH~-离子的含量极低。根据测定的吸收光谱,通过Judd-Ofelt理论计算了Er~(3+)在单晶体中的光学强度参数Ω_t(Ω_2=2.08,Ω_4=2.07,Ω_6=0.75),以及相应的辐射跃迁速率、荧光分支比和荧光寿命。根据Futchbauer-Ladenburg公式估算了样品的发射截面大约分别为1.42×10~(-20)cm~2(~4I_(13/2)→~4I_(15/2))和1.66×10~(-20)cm~2(~4I_(11/2)→~4I_(13/2))。在980 nm半导体激光器(LD)激发下,研究了单晶体的近红外1.5μm与中红外2.7μm的发射光谱特性。 相似文献
16.
Kowalewicz R. Eberl E. 《IEEE transactions on plasma science. IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society》1996,24(1):43-44
The interaction of a pulsed TE-CO2-laser (10.6 μm wavelength, 7 μs pulse length, 0.7 J pulse energy, 107 W/cm2 power density, 100 kW mean power) with metals in air was investigated. Laser-supported absorption phenomena and material ablation processes are compared to those of conventional pulsed TEA-CO 2-lasers. Of interest were the time-dependent plasma formation and the evolution of the shock waves. To achieve a time resolution better than 10 ns, a pulsed dye laser was used as a light source for the shadow photography 相似文献
17.
Guangyong Zhou Xiaomei Wang Dong Wang Chun Wang Zongshu Shao Qi Fang Minhua Jiang 《Optics Communications》2001,190(1-6):345-349
Trans-4-[p-(pyrrolidinyl)styryl]-N-methylpyridinium iodide (abbreviated as PSPI thereafter) is a two-photon absorption (TPA) dye newly synthesized by our research group. It possesses much larger TPA cross-section and much stronger upconversion fluorescence emission than those of common organic dye (such as rhodamine) when excited with near infrared (IR) radiation. TPA spectrum and upconversion efficiency spectrum of HEASPI solution at various wavelengths were measured. There is 34 nm blue shift for the central wavelength of the TPA induced absorption peak compared with two times of the linear absorption peak. The biggest molecular TPA cross-section σ2′ is 2.85×10−47 cm4 s/photon at 930 nm. At 1064 nm, σ2′ is 3.12×10−48 cm4 s/photon. The highest efficiency is 3.9% at 1010 nm, whereas 2.9% at 1064 nm. Its optical power limiting properties at 930 nm have also been illustrated. 相似文献
18.
TEM has been used to study the origin of the surface microroughness that formed in both 29Si as-implanted and rapid thermal annealed LEC undoped GaAs wafers after DSL photoetching. The degree of microroughness increased as the implant dose increased from 3 × 1012 to 3 × 1014 atoms/cm2. It has been found that such a microroughness is due to the fine-scale damage induced by the implantation in the as-implanted wafers and to interstitial dislocation loops in the implanted and then annealed wafers. Microroughness appears during DSL etching because such defects are effective recombination centres for the holes involved in the dissolution of the GaAs surface so that the wafers etch slower at the point-defect clusters and dislocation loops. 相似文献
19.
研究水化硅酸钙(C-S-H)中受限水动态的一种重要手段是准弹性中子散射(quasi-elastic neutron scattering, QENS)实验. C-S-H样品的QENS谱数据可通过跳跃扩散和转动扩散模型进行分析拟合, 进而导出C-S-H样品微纳孔中水动态的相关物理参数: 不动水指数C、转动扩散系数Dr、均方位移< u2 >、自扩散系数Dt及平均停留时间τ0. 本文对水与水泥质量比为30%的C-S-H样品, 测量温度为230-280 K的QENS谱进行了分析, 得到的拟合参数可定量描述C-S-H样品内不同尺度的微纳孔中受限水随温度变化的动态过程. 转动扩散系数Dr随散射矢量Q的变化可知, Q值较大时, 水分子的转动对QENS谱影响较大. 均方位移 < u2 > 随Q值的不同而变化, 其拟合值可区分C-S-H样品中的不动水、强受限水和受限水. 在Q较小时, Dt 和τ0 的拟合值随温度而变化, 并分别在230和240 K突然增大, 由此揭示温度为230-240 K 时, C-S-H 样品中受限水分子的动态特性发生了转变. 相似文献