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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 19 毫秒
1.
目前在桥式电路中上桥臂的驱动电路常采用自举驱动,由于各桥臂使用的是同一组电源因此相互之间存在着干扰,当参数选取不够合理时还会出现较高的电压尖峰损坏驱动芯片和开关管,在对驱动电路要求严格的场合通常需要为每个桥臂提供独立电源。目前市场上隔离DC/DC的产品较多,但专门为隔离驱动而设计的隔离DC/DC产品还比较少。通过对功率MOSFET和IGBT开通特性和关断特性的研究,得出了功率MOSFET和IGBT对驱动电路的要求。设计了一种带隔离DC/DC,适用于功率MOSFET和IGBT隔离驱动电路。并通过实验测试了该驱动电路的性能。  相似文献   

2.
针对连续波腔衰荡技术的激光关断问题,本文提出通过调制激光器的驱动电流,即激光去谐方法,使连续波激光与衰荡腔离开谐振状态,实现对入射光的快速关断.该方法根据电流调制特点实现以往系统中声光或电光开关的功能,不需用外部光开关来切断光源,系统更加简便,节省成本.设计了基于激光去谐的连续波腔衰荡技术系统,分析了各器件的性能和工作原理,分析了去谐过程的特性,比较了激光去谐与激光关断的区别.结果表明,调制电流的关断时间比传统的光开关更短,衰荡曲线的单指数线形更加明显.  相似文献   

3.
付彬彬 《硅谷》2012,(9):72-73,192
IGBT目前应用于很多领域,逐渐取代双极性晶体管BJT,MOSFET功率器件的许多应用领域。首次展现利用势垒调制结构作为电子抽出开关的新型高速横向BM-IGBT器件,和IGBT相比,它耐压特性更好,关断时间更短,主要讨论对于不同N-场阻区浓度和宽度和氧化层长度的BM-IGBT击穿电压。比较在不同参数下BM-IGBT的最大耐压,从而得到大于600V的耐压特性时的主要参数。  相似文献   

4.
介绍一种GaAs单片超高速模拟开关IC的设计和制备。电路设计采用了独特的开关管导通时栅-源电压跟随和开关管关断时栅-源电压箝位的电路,使开关获得良好的线性和3ns的开启和关断超高速特性,满足了毫微秒脉冲相关信号的处理要求。  相似文献   

5.
马柏平 《硅谷》2014,(18):20-21
本文提出了一种新型的DC/DC升压变换器的电路。该电路有一个缓冲电路吸收的电感能量,实现开关管的零电压导通,减少开关管的开关损耗。同时减小二极管关断时反向恢复电流,减小二极管反向恢复的影响。通过Saber仿真和实验验证了所提出电路的可行性。结果表明,本文所提出的电路比传统的DC/DC升压变换器效率高。  相似文献   

6.
变压器自动有载调压是稳定负载电压的最有效方式之一。本文介绍了应用门极可关断晶闸管(GTO)作为无触点分接开关的自动有载调压配电变压器的构成,自动有载调压原理。经过理论分析和实验验证,该变压器运行稳定,可靠性高,自动稳压效果好,完全满足系统运行要求,电力电子元件完全可以应用于有载调压中。  相似文献   

7.
在金刚石膜的化学气相沉积过程中,使用脉冲电源激励的微波等离子体可以提高金刚石膜的沉积速率或金刚石膜的质量。本文使用Langmuir探针研究了在工频脉冲电源激励条件下形成的线形微波H2等离子体的状态和开关特性。实验测量了在使用一支磁控管单独激励和两支磁控管共同激励情况下的H2等离子体的状态参量,包括等离子体的空间电位‰、探针悬浮电位Vf、电子温度Te和电子密度ne随时间的变化,特别是讨论了H2等离子体参量在激励电源开启与关断瞬间的过渡特征。  相似文献   

8.
功率MOSFET单粒子烧毁测试技术研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
总结了2种单粒子烧毁测试方法.在非破坏性测试原理基础上,研制成功针对星用功率MOSFET的单粒子烧毁动态测试系统.系统在锎源单粒子效应实验装置调试通过.利用该系统,在HI-13串列加速器上初步完成了星用MOSFET单粒子烧毁验证实验.  相似文献   

9.
本文提出一种新型软开关BUCK变换器。所提出的变换器具有如下的优点,零电压、零电流导通,零电压关断;不增加开关管的电压电流应力;输出电感电流工作在连续电流模式,其纹波很小;变换器可以工作在固定的频率,采用PWM控制。由于软开关的使用,变换器可以工作在很高的频率,同时其效率也很高。Pspice软件仿真验证了该电路的理论设计和分析。  相似文献   

10.
内部爆炸载荷下薄壁柱壳膨胀断裂的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
以大载流体超高速关断装置爆炸桥为研究对象,提出一种破坏损伤度函数,讨论了其薄壁柱壳在爆炸载荷下的动态断裂准则.计算结果与实验结果一致,为同系列不同型号关断装置爆炸桥的设计提供了理论依据.  相似文献   

11.
田声洋  张林  薛红喜 《硅谷》2011,(16):173-174
对于磁谐振耦合电能传输系统,逆变电路是必不可少的。并联MOSFET可以降低其导通损耗,同时会降低其开关速度,在频率较高时并不适用。提出一种全新的多路开关器件复用导通的技术,降低单管损耗。设计一种可行的系统方案,并用Cadence SPB 16.3中的Pspice工具进行仿真,验证方案有效性。  相似文献   

12.
本文从节能减排的角度出发,设计了一款基于SPWM(Sinusoidal Pulse Width Modulation)技术的光伏并网发电模拟装置。设计中正弦逆变器主回路的前级结构采用BUCK降压,MOSFET作为开关元件,具有驱动功率小、开关速率高的特点。后级采用工频全桥逆变,IGBT作为开关元件,IR2110作为开关元件的驱动IC,单片机STC125A32AD产生SPWM信号,实现频率相位跟踪、输入欠压保护以及输出过流保护功能。另外,光伏电池的最大功率点跟踪控制由单片机编程来调节占空比的方法实现。  相似文献   

13.
SPWM波的产生比较常用的方式是模拟电路和数字电路.模拟电路是用振荡器产生正旋波和三角波,通过比较器给出信号,来控制逆变电路中上下开关元件的导通与关断.  相似文献   

14.
为减少人工开关场灯这一放映程序,笔者自行设计了一种电路,能在开映后声光打开的同时场灯同步关断,映完后场灯自动开启,经过多年的使用,效果良好.此电路非常简单,易维修,工作安全可靠,深得放映员们的喜欢.  相似文献   

15.
所谓的无触点开关是指由微控制器和电子器件组成的新型开关器件,无触点开关的设计理念就是通过微控制器改变电路阻抗值,从而改变负荷电流,最终完成电路的通或断。无触点开关的主要优势是在电磁兼容性、可靠性、安全性。这三方面的优势是触点开关无法比拟的。无触点开关在导通和关断电源的时候不会出现火花,可靠性高。无触点开关适合应用在防火、防潮等要求特殊的环境中使用。无触点开关的耐高压性也比较好,主要应用在一些大型电机在起动时,由于转子由静止变为转动的惯性非常大,造成起动电流超大(基本相当短路电流),停机时由于惯性继续运转,会造成非常高的电压,无触点开关便可应用于此。  相似文献   

16.
论述了气隙式热开关的原理,结构形式及参数特性,讨论了它的结构尺寸对性能参数的影响。给出了导热管的直径,长度,壁厚与导通热导之间的关系曲线以及气体压强,外壳厚度与关断热导之间的关系曲线。建立了气隙式热开关的数学模型,求出了导通热流的瞬态响应特性,并给出了特性曲线有压力调节系统图。  相似文献   

17.
IGBT不仅具有电压控制输入特性、低阻通态输出特性,还具有高输入阻抗、电压驱动、无二次击穿和安全工作区宽等优点,可以在众多领域替代GTR和功率MOSFET等器件。同时,由于它的结构特性,决定了它具有高速开关的能力,可以满足PWM技术的要求。  相似文献   

18.
哈量2221型轮廓计经常出现积分电路逻辑失控的现象,本文提出一种修正电路供厂家参考、改进。 D 2221-3型轮廓计常有积分表头不回零、不积分或指针超量程指示的现象。经分析认为是积分器的逻辑失控。积分器电路如图所示,模拟开关IC_1 CD4066控制着运放IC_3 F357的复位回零、信号积分并使示值保持三个不同的工作状态。 CD4066是一块四双向模拟开关集成电路,其中控制端第13脚和第5脚分别控制开关Ⅰ和开关Ⅱ。仪器正常时,当控制脚为高电平时开关接通,而低电平时开关关断。出现故障后  相似文献   

19.
转矩脉动是造成电机振动和噪声的主要原因。为降低开关磁阻电机转矩脉动,研究了一种新型转子齿形,即在传统平行转子齿形的两侧添加半椭圆形辅助铁芯。利用有限元法,对一台12/8极开关磁阻电机建模,通过参数化仿真,得到最优改进模型。同时,为了进一步降低转矩脉动,优化功率变换器开关角,缓解换相时引起的转矩跃变。通过仿真计算得到最佳开通角和关断角组合方案,不仅可以显著降低开关磁阻电机的转矩脉动,而且还缓解了双凸极造成的局部饱和。该方法从根源上减小双凸极结构造成的局部饱和和换相时引起的转矩较大跃变,对于其它的双凸极电机都有借鉴意义。  相似文献   

20.
提出了用MOSFET实现的静止型有源无功功率补偿器(电压型),简述了补偿器的结构,控制方式及硬件电路的工作原理.给出了实验结果,表明其对谐波电流的补偿效果良好.  相似文献   

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