钙稀土氟碳酸盐矿物中的晶畴结构特征

钙稀土氟碳酸盐矿物中的晶畴结构特征＊孟大维１，２吴秀玲１，２李斗星２孟祥敏２（１．中国地质大学，武汉４３００７４２．中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）用电子衍射和高分辨电子显微像方法研究了钙稀土氟碳酸盐矿物中的晶畴结构特...     

氟碳铈矿／直氟碳钙铈矿混层结构中新规则混层矿物的超微结构研究

用电子衍射和晶格像技术研究了钙稀土氟碳酸盐矿物中的氟碳铈矿（Ｂ）／直氟碳钙铈矿（Ｓ）混层结构，发现并确定了Ｂ＿４Ｓ＿４、Ｂ＿８Ｓ＿６、Ｂ＿１Ｓ＿６、Ｂ＿７Ｓ＿４和Ｂ＿２Ｓ＿１５种新规则混层矿物的对称性、晶胞参数及理论晶体化学式。根据所获得的高分辨晶格像真实而直观地揭示出该类Ｂ＿ｍＳ＿ｎ（ｍ＞ｎ）型新规则混层矿物的长周期有序堆垛结构特征及变化规律。     

B5S4规则混层矿物新多型的高分辨电镜研究

利用高分辨电子显微技术（ＨＲＥＭ）研究了钙稀土氟碳酸盐矿物晶体结构中的混层现象，在ＢｍＳｎ型规则混层矿物中发现了Ｂ５Ｓ４－３Ｒ和６Ｒ两种新多型，确定了它们的晶体结构类型，晶胞参数等，揭示出Ｂ５Ｓ４规则混层矿物不同多型体的超微结构特征，讨论了Ｂ５Ｓ４－６Ｒ多型晶体结构沿Ｃ方向的无序夹层和堆垛层错等晶体缺陷现象。     

钙─铈氟碳酸盐矿物中B＿5S＿4－3R和6R新多型的HREM研究

钙─铈氟碳酸盐矿物中Ｂ＿５Ｓ＿４－３Ｒ和６Ｒ新多型的ＨＲＥＭ研究孟大维，吴秀玲，杨光明，潘兆橹（中国地质大学测试中心，武汉４３００７４）（中国科学院金属研究所固体原子像实验室，沈阳）迄今为止，在钙─铈氟碳酸盐矿物系列中，除已知的四个独立矿物种：氟碳铈...     

2082砂岩型铀矿床中铀矿物的电子探针研究

2082矿床是新发现的可地浸砂岩型铀矿床。该类矿床矿石中铀矿物颗粒细小，多在微米级别，光学显微镜下很难鉴别，电子探针等微束分析手段是研究砂岩型铀矿床物质组分的最有效手段。     

新矿物彭志忠石及其有关矿物的电子探针研究

彭志忠石是一种含锡、铝、镁、铁、锌、钛等多种元素的氧化物类的新矿物,产于我国湖南省安化等地区。已发现有6H、24R两种多型。彭志忠石,6H:(Mg,Fe,Zn,A1)_4(Sn,Fe)_2(Al,□)_(10)O_(22)(OH)_2,24R:(Mg,Zn,Fe,Al)_6(Sn,Ti)_2(Al,□)_(14)O_(30)(OH)_2。彭志忠石不同于尼日利亚石,也不同于黑铝镁铁矿。矿物浅黄褐色、浅黄色、少量无色,呈六方板状晶体,空间群P3ml。电子探针定量分析成分为:SnO_218.73、MgO8.03、Al_2O_356.00、Fe_2O_38.38、SiO_21.48、ZnO4.73、MnO0.4,另外有少量H_2O~+1.88(化分),总计99.63％。     

圆环驻波型多自由度压电马达的研究

首次提出一种新型的多自由度压电马达结构,分析了马达的工作原理。设计并研制了样机,进行了初步的实验,实验证明了理论分析的结果,为进一步的研究工作奠定了理论和实践基础。     

α—PbO2型TiO2纳米晶微结构的HREM研究

TiO2是一种具有广泛应用前景的氧化物材料,其结构及相关的物理化学特性一直是实验和理论研究的焦点.常温常压下TiO2可以以四种形态存在,即锐钛矿、金红石、板钛矿和α-PbO2型.其中属四方晶系的金红石是最稳定的,其它几种形态在高温下都将转变成金红石.板钛矿和α-PbO2型TiO2都属正交晶系,但前者只是以亚稳相的形式存在,而后者则是一种高压淬火相.α-PbO2型TiO2可以在0.8到10.0GPa的压强下形成,其晶格参数为a=4.55、b=5.46、c=4.92[1].     

ESEM研究超声分散对稀土绿色荧光粉体晶型及其发光性能的影响

PDP显示器具有屏幕大、视角宽、清晰度高、重量轻及机体薄等出众优点，目前被广泛应用于显示、显像、光源、X射线增感屏及医学放射学图像摄影技术等领域。PDP的显示性能除了与其显示屏结构、驱动技术有关外，其中一个重要影响因素是作为显示发光主体的荧光粉材料。     

电子背散射衍射系统的研制和改进

电子背散射衍射装置是获取材料的亚微米的范畴晶体学信息扫描电镜附件 ,此装置可在观察材料的形貌及分析成分的同时研究材料的取向关系。本文介绍了两种不同档次的电子背散射衍射接收系统 ,该系统的CCD以快速方式接收的灵敏度为 5mlux,积累方式接收的灵敏度为 1 0 μlux ,分辨率为 51 2dpi,像元数分别为 51 2× 51 2× 8bit、51 2× 51 2× 1 6bit,扫描卡最高的分辨率为 4 0 96× 4 0 96,并成功地安装在北京有色金属研究总院JSM 84 0扫描电镜上。此系统设计合理、结构简单、操作方便安全。同时编写了识别和标定电子背散射衍射花样的软件     

纳米晶Pd─Si薄膜析出相的TEM研究

本文利用ＴＥＭ原位加热手段和选区电子衍射分析方法，对纳米晶Ｐｄ－Ｓｉ薄膜在加热过程中析出的相进行了研究。真空蒸发Ｐｄ＿（８０）Ｓｉ＿（２０）合金而得到的纳米晶Ｐｄ－Ｓｉ薄膜，其晶粒尺寸为１０ｎｍ，结构属ｆｃｃ。随着温度的升高，薄膜中晶粒长大，在局部区域有其它相析出。利用选区电子衍射图确定了这些析出相的结构。     

奥贝球铁组织形貌的电镜研究

本文采用扫描电镜和透射电镜对奥贝球铁组织形貌特征、组成相的分布进行了详细的观察与分析，发现贝氏体呈麦穗状，麦粒沿与麦穗长轴生长方向成６０°角平行生长，贝氏体内部由铁素体亚元组成，残余奥氏体呈条状或小块状相互连接，分布于贝氏体之间。不稳定奥氏体呈大块状，其内部是马氏体的形成源。     

On the Excess Oxygen in Four-Layered Rock-Salt-Type Units of Modulated Thermoelectric Bi-Sr-(Co,Rh)-O Compounds

Excess oxygen exists in four-layered rock-salt (RS)-type units of modulated misfit-layered Bi-Sr-(Co,Rh)-O compounds, which consist of interpenetrating CdI₂-type (Co,Rh)O₂ and distorted four-layered RS-type block subsystems, which have two b-axes, i.e., b ₁ and b ₂, respectively. From carefully determined chemical contents and misfit ratios, p = b ₁/b ₂, two structural characteristics are concluded, namely, intermixing metal ions in the RS-type layers and excess oxygen δ in, or in the vicinity of, them. The chemical formulae are proposed as [(Bi_1−x (Co,Rh) _x )₂(Sr_1−y Bi _y )₂O_4+δ ] _p (Co,Rh)O₂. The valence states of␣cobalt and rhodium ions are close to 3.3+. These valence states are quite reasonable for good thermoelectric oxides, such as γ-Na_0.7CoO₂ and [Ca₂CoO₃]_0.62CoO₂. Excess oxygen would cause the undulated atomic arrangement.     

系统倾转技术在TEM中的新应用

系统倾转样品是透射电子显微镜操作的一种重要实验技术，本文介绍了不依赖菊池花样实现系统倾转样品的方法，并采用该技术，发展了不依赖菊池花样精确测定电子束方向Ｂ和重位点阵持征参数ｌ／θ的两种方法。     

Microstructural characterization of nickel hydroxide films deposited using an ammonia-induced method and subsequently calcined nickel oxide films

Nickel hydroxide films were deposited using a facile ammonia-induced method. The deposited films were composed of stacking structures without using templates or surfactants. The microstructures of the deposited films and subsequently calcined NiO films were characterized using X-ray diffraction, scanning electron microscopy and transmission electron microscopy. The electrical properties were also investigated. The deposited films consisted of triangular stacks of single crystal hexagonal Ni(OH)₂ and their microstructures were highly affected by the substrate type. A preference for orientation along the (001) plane was observed in the Ni(OH)₂ films deposited onto indium tin oxide (ITO) substrates with a high texture coefficient of 4.5. These characteristics were not found in Ni(OH)₂ films deposited onto glass and silicon substrates. Calcined films did not show a strong preference in orientation and were found to be n-type NiO.     

Polytype Stability and Microstructural Characterization of Silicon Carbide Epitaxial Films Grown on [ {\hbox{11}}\overline{{\hbox{2}}} {\hbox{0}} ]- and [0001]-Oriented Silicon Carbide Substrates

The polytype and surface and defect microstructure of epitaxial layers grown on 4H(), 4H(0001) on-axis, 4H(0001) 8° off-axis, and 6H(0001) on-axis substrates have been investigated. High-resolution x-ray diffraction (XRD) revealed the epitaxial layers on 4H() and 4H(0001) 8° off-axis to have the 4H-SiC (silicon carbide) polytype, while the 3C-SiC polytype was identified for epitaxial layers on 4H(0001) and 6H(0001) on-axis substrates. Cathodoluminescence (CL), Raman spectroscopy, and transmission electron microscopy (TEM) confirmed these results. The epitaxial surface of 4H() films was specular with a roughness of 0.16-nm root-mean-square (RMS), in contrast to the surfaces of the other epitaxial layer-substrate orientations, which contained curvilinear boundaries, growth pits (∼3 × 10⁴ cm⁻²), triangular defects >100 μm, and significant step bunching. Molten KOH etching revealed large defect densities within 4H() films that decreased with film thickness to ∼10⁶ cm⁻² at 2.5 μm, while cross-sectional TEM studies showed areas free of defects and an indistinguishable film-substrate interface for 4H() epitaxial layers.     

未知点阵晶体测定系统的实现与应用

随着计算机技术的快速发展，越来越多的仪器采用计算机进行辅助分析。但是由于存在一定的困难，电子衍射谱的数据测量仍然处于手工操作阶段，测量过程十分繁琐，所得数据误差较大，不能适应在线分析的要求。本文针对这一问题，重点研究计算机自动识别电子衍射谱的算法。合理运用图像处理技术对衍射谱图像进行处理，旨在没有人为干预的情况下，实现自动、快速、精确地识别与测量电子衍射谱，为后续的分析软件提供电子衍射数据，并完成衍射谱的标定。