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WO3薄膜是一种智能材料,在电致变色、共催化和气敏性方面具有广阔的应用前景。综述了WO3薄膜材料的制备方法及现状,并对其优缺点进行了评价。介绍了气敏性方面的应用和机理,说明了不同掺杂对气敏的影响;并对今后的发展方向提出了一些看法。 相似文献
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采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅片表面制备介孔硅层(meso-PSlayer),然后用对向靶磁控反应溅射法在介孔硅表面沉积WO3纳米颗粒薄膜,在干燥空气中于400℃下保温4h进行退火热处理,制备出介孔硅基WO3纳米颗粒薄膜(WO3-PS)室温气敏元件.利用扫描电子显微镜(SEM)分析介孔硅层及WO3-PS的表面形貌,通过X射线衍射(XRD)研究WO3的结晶状态,测试WO3-PS气敏元件在室温下对NO2、NH3的气敏性能,并探讨了WO3-PS气敏元件的工作机理.实验结果表明,在介孔硅表面沉积WO3纳米颗粒薄膜可使介孔硅的气敏性能显著提高,其中在室温下对10×10^-6NO2的灵敏度由5提高至56,大大提高了介孔硅的灵敏度,并降低了其响应/恢复时间,提高了对NO2的选择性. 相似文献
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WO3纳米薄膜的制备与气致变色特性研究 总被引:10,自引:1,他引:9
报道了以钨粉为原料,采用溶胶一凝胶技术和旋转镀膜方法,制备出了气致变色WO3纳米薄膜。采用椭偏仪、X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、红外光谱仪以及可见光分光光度计等方法分析了薄膜的特性。研究结果表明热处理使得薄膜致密,折射率增大,厚度减小,薄膜结晶;过氧键消失,WO3微结构发生了变化,共角W-O-W键吸收越来越强,且向高波数方向移动。这些变化归因于热处理导致的WO3颗粒形状、团聚状态的变化以及应变键的产生。WO3纳米薄膜具有很好的气致变色特性,致色与退色态透射率变化超过60%,变色起因于H扩散到WO3薄膜中形成的小极化子吸收。 相似文献
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以钨粉为主要原料,采用过氧化法及提拉技术制备WO3薄膜,通过SiO2纳米颗粒复合改性提高了WO3薄膜的气致变色稳定性.测试并研究了SiO2复合掺杂对溶胶颗粒分布、气致变色稳定性等的影响,通过测试薄膜循环中红外振动吸收的演变,深入研究了SiO2纳米复合对WO3薄膜气致变色性能影响的内在机制.研究结果表明,SiO2的掺杂抑制了WO3薄膜内的共角聚合,将薄膜的致/褪色循环次数由20次提高到500次以上,WO3-SiO2复合薄膜的稳定网络结构是提高其气致变色循环稳定性的主要原因. 相似文献
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用溶胶-凝胶法和磁控溅射法相结合制备了催化剂Pt掺杂的WO3纳米薄膜,通过改变氢气的体积分数、催化剂Pt的含量及热处理温度等实验因素,对Pt/WO3薄膜的氢致变色性能进行了测试;并利用X射线光电子能谱仪(XPS)分析了薄膜的氢敏机理。实验结果表明:先用溶胶-凝胶法制得WO3薄膜,然后再用磁控溅射法在该WO3薄膜上溅射掺杂5%的Pt,制得Pt/WO3双层纳米薄膜,经100℃热处理后,可以获得性能稳定且具有良好氢敏特性的优质薄膜;薄膜能检测的氢气浓度低至0.008%;XPS分析表明,W^5+与W^6+之间的转换是引起WO3薄膜氢致变色现象的主要原因。 相似文献
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以W粉为原材料,通过溶胶凝胶法结合提拉镀膜法制备了掺钯的气致变色WO3纳米多孔薄膜,并采用不同温度对该薄膜进行了热处理;最后制作成简易的气致变色窗。分别采用傅立叶红外光谱仪(FT-IR)、原子力显微镜(AFM)表征了薄膜中水的存在和薄膜的表面形貌,采用紫外/可见/近红外分光光度计对薄膜致褪色过程的透射率随时间的变化进行原位动态的测试,分析了不同阶段的水的存在对薄膜气致变色性能的影响。研究结果表明:随着气致变色循环次数的增加,薄膜生成水逐渐增加,破坏了薄膜的表面结构,堵塞了薄膜的孔洞,使薄膜气致变色时间延长,但不影响薄膜的致色深度;环境吸附水对薄膜有毒化作用,既延长了薄膜的气致变色的时间也使气致变色深度降低;而适量的薄膜结构水的存在有利于提高薄膜的气致变色速率。 相似文献
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The physicochemical and electrical properties of Pd-deposited WO3 thin films were investigated as a function of Pd thickness, annealing temperature, and operating temperature for application as a hydrogen gas sensor. WO3 thin films were deposited on an insulating material using a thermal evaporator. X-ray diffractometry (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), atomic force microscopy (AFM), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were used to evaluate the crystal structure, microstructure, surface roughness, and chemical property of the films, respectively. The deposited films grew into polycrystalline WO3 with a rhombohedral structure after annealing at 500 degrees C. Adding Pd had no effect on the crystallinity, but suppressed the growth of WO3 grains. The Pd was scattered as isolated small spherical particles of PdO2 on the WO3 thin film after annealing at 500 degrees C, while it agglomerated as irregular large particles or diffused into the WO3 after annealing at 600 degrees C. PdO2 reduction under H2 and reoxidation under air were dependent on both the Pd deposition thickness and annealing conditions. The WO3 thin film with a 2-nm-thick Pd deposit showed a good response and recovery to H2 gas at a 250 degrees C operating temperature. 相似文献
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采用射频反应溅射制备了纳米晶WO3薄膜.基于Berg理论建立了WO3射频反应溅射模型,并分析工艺参数对滞回曲线的影响,基于研究了抽速、基片温度、馈入功率、靶片间距和溅射靶等离子体溅射面积的影响.提出了一种新的消除滞回曲线的制备纳米晶WO3薄膜的方法和优化的工艺参数.论文制备了性能良好的电致变色纳米晶WO3薄膜.分别用环境扫描电镜(ESEM)、X射线光电子能谱(XPS),X射线衍射(XRD)和分光光度计测试了该薄膜,该薄膜在可见光波段,不变色时的透光率大于95%,变色后为65%.纳米晶WO3薄膜的晶粒尺寸在40纳米左右,其高比表面积和缺陷态为电致变色的例子扩散提供了通道. 相似文献
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采用钨粉和双氧水反应制备了WO3溶胶,考察了双氧水(H2O2)加入量、无水乙醇加入量、陈化温度和时间对溶胶稳定性的影响。研究表明,H2O2和乙醇的加入能增强WO3溶胶的稳定性,当H2O2与钨酸的物质的量比为1∶2、乙醇与WO3溶胶体积比为1∶2时,所制备的WO3溶胶在室温下可稳定存在3个月以上,溶胶成膜质量最佳。WO3溶胶陈化温度越高,溶胶的稳定时间越短。研究了WO3溶胶陈化时间与粘度的关系,并试验得出了最佳的成膜条件,即陈化时间越长,WO3溶胶粘度越大,当WO3溶液粘度为180~300mPa.s时成膜质量较好。 相似文献
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Dinesh Patidar Kuldeep S. Rathore Kananbala Sharma T.P. Sharma 《Journal of Modern Optics》2013,60(18):3041-3047
A thin film of zinc selenide (ZnSe) was deposited onto a clean glass substrate using a vacuum evaporation technique. This thin film was characterized through X-ray diffraction, which indicated that the film was polycrystalline in nature. Absorption and transmission spectra of this thin film were recorded using a spectrophotometer. The energy band gap, refractive index and extinction coefficient were determined using these spectra. It was found that the energy band gap of ZnSe film was 2.55 eV. It was also observed that the refractive index and extinction coefficient of the film decreased with the increase of wavelength. The conductivity of this thin film was determined by current–voltage measurement using an electrometer over the temperature range from room temperature to 413 K. It was observed that conductivity increased with increase in temperature. This is explained on the basis of structural changes occurring due to the change in grain size and the increase in carrier density. 相似文献