紫外透射型液晶光阈用ZnSxSe1—x薄膜的研究

描述了透射型ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理，并从器件的电学模型出发，着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求，采用分子束外延技术在ITO石英导电玻璃上制备了不同组分的三元ZnSxSe1-x多晶薄膜，通过控制反应时的生长参数，制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜，室温下，薄膜的紫外／可见光响应对比度大于10^3，响应波长截止边河可通过控制薄膜中的Se组分，在360－410nm范围内连续可调，薄膜的紫外／可见光吸收系数比大于10^3，在液晶光阀工作的低频段（＜200Hz)，其暗阻抗在10^5-10^6Ωcm^2之间；暗／亮阻抗比满足器件要求。     

紫外透射型液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究

描述了透射型ZnS,Se1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理,并从器件的电学模型出发,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-,光敏层的特殊要求.采用分子束外延技术在ITO石英导电玻璃上制备了不同组分的三元ZnS,Se1-x多晶薄膜,通过控制反应时的生长参数,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜.室温下,薄膜 的紫外/可见光响应对比度大于103,响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分,在360～410nm范围内连续可调;薄膜的紫外/可见光吸收系数比大于103;在液晶光阀工作的低频段(＜200Hz),其暗阻抗在105～106Ωcm2之间;暗/亮阻抗比满足器件要求.     

液晶光阀用ZnSSe薄膜的光电特性研究

用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性.通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜.室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103.薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω@cm的暗电阻率.频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求.     

整体快速擦除式激光选址液晶光阀

本文介绍一种改进的激光选址液晶光阀。它以液晶的光散射态(暗态)为显示背景,减少了对观察者眼睛的刺激;它的整体擦除时间大约0.5～1s.采用以暗态为背景的方案,必须对光阀施加高电压才能进行整体擦除,高电压容易使光阀击穿。本文采用在导电层与吸收层之间镀隔离层,就可避免因加大液晶层厚度使写入光灵敏度降低,又增加了高电压与大电流的承受能力。     

液晶光阀中的α-Si:H光导膜研究

本文对在光学信息处理中应用的液晶光阀的关键性膜层——光电导膜采用新近开发的非晶硅材料作了一些探索。研究表明,响应快速的α-Si:H薄膜用于液晶光阀是很有前途的。     

光寻址液晶光阀的吸收层

光寻址液晶光阀是一种高分辨率空间光调制器，是高亮度，高分辨率大屏幕光寻址液晶光阀投影机的核心部件，为了避免读出光对图像对比度和分辨率的影响，光阀结构中需要一层高光吸收能力的吸收层。本讨论了光寻址液晶光阀对光吸收层的吸收性能要求，吸收层需求在全光谱范围内都有比较强的吸收，碲化镉薄膜对蓝，绿光有较强的吸收，钒氧配套红光具有较强的吸收，它们具有近似互补的吸收光谱。碲化镉和钒氧酞菁复合多层吸收薄膜综合了两种材料的光吸收特性，在全光谱范围内都有良好的吸收，是一种制作光寻址液晶光阀的吸收层的理想方法。     

用于紫外光电导探测器的TiO2薄膜研究

采用直流反应磁控溅射的方法,制备了TiO2薄膜。用X射线衍射,原子力显微镜(AFM)和紫外-可见光分光光度计分别测试了TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱,采用C／TiO2／ITO三层结构制备了TiO2光电导型紫外探测器,研究了它的光响应。初步实验结果表明：TiO2薄膜在4W的紫光灯辐射下,光电流可达2．1mA,10min的辐射时间内,光电流基本保持稳定,可见TiO2薄膜对紫外光有较高的灵敏度和稳定性,可作为一种良好的紫外光探测材料。     

液晶光阀阻光层研究

本文研究了阻光层在液晶光阀中的作用，报导了我们首先提出的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ作为液晶光阀阻光层。ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得。本文研究了不同沉积条件下ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜结构和光电性质。ａ－Ｓｉ：Ｈ和随这沉积的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ形成了ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结。采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结构液昌光阀可改进器件的许多性能。     

掺硼非晶硅薄膜的微结构和电学性能研究

以硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气相反应先驱体，采用等离子体增强化学气相沉积法，(PECVD)制备出能应用于液晶光阀光导层的硼掺杂非晶氢硅薄膜。X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导测试表明，一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率、降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比；硼掺杂促进薄膜晶态率的增加和硅晶粒尺寸的增大，薄膜的结晶状态将逐渐从非晶硅过渡到纳米硅，最后发展为多晶硅。红外吸收谱研究表明了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的复合体，仅有少量硼元素对受主掺杂有贡献。     

快速响应光阀的制备及在真三维立体显示中的应用

固态体积式真三维立体显示系统主要由数据传输,图像处理模块,高速彩色投影光路模块,显示模块(显示体)以及外围控制电路组成。显示模块由多层液晶光阀组成,光线透过显示体后能量衰减严重,造成显示画面黯淡,模糊,此外,由于光阀响应时间慢,系统刷新频率低,屏幕存在严重的闪烁问题。本文通过在液晶中添加少量聚合物和手性物添加剂制备出快速响应的聚合物稳定胆甾相液晶光阀,其开态透过率达到88%,响应时间小于1ms。将其应用于真三维立体显示系统,显示画面清晰稳定,无闪烁。     

Diffusion Bonding between TiAl Based Alloys and Steels

The joint of 40Cr steel and TiAl based alloy has been studied by means of a high frequency induction diffusion welder. The experimental results show that, the higher the temperature and pressure, the higher the strength of the joints. The optimum parameters are: T＝1123～1323 K,t＝10～30 min, P＝5～20 MPa.     

浅析公司服务器虚拟化

随着虚拟化技术不断发展,使用虚拟化技术已经不再神秘。近年来各企业信息化建设再次投入时,也开始注意到虚拟化技术的使用价值,用来帮助升级和管理他们的IT基础架构并提升其安全性。     

UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象

本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显.     

基于MSP430FW42X单片机超声波热量表的设计

目前,供热服务首要关心的是高精度的测量、计费和管理,因此设计出超低功耗、计量准确的热量表成为首要解决的问题。热量属于过程量,传统的测量方法对过程计量的本身就存在较大的难度,而且存在测量误差大、修正因素多等问题,对于小温差、小流速流体,很难完成温度的高精度测量;并且很多热量表的功耗很大,无法满足电池长时期驱动的要求。热量表由流量计、配对温度计和积算仪等部分组成,提出的基于MSP430FW42X的热量表能够实现功耗低、测量准确、数据存储量大的特点,具有性能优越、功能完善、使用范围广、长期使用稳定性高、体积小巧、使用安装便捷的特点。     

磁控溅射制备(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电薄膜的实验研究

钛酸锶铅 ((Pb1 -xSrx)TiO3,PST)固溶体材料是一种性能优良的钙钛矿型铁电材料 ,其形成铁电相的温度较低 ,且易于和半导体工艺结合 ,应用潜力较大。本文采用磁控溅射法制备了PST薄膜 ,并初步研究了其介电和铁电特性。结果表明 ,磁控溅射得到的PST薄膜必须进行一定的热处理 ,才能使之转变为具有铁电性的钙钛矿结构的铁电薄膜。其介电特性与测试频率有关 ,试样的饱和极化强度可达 19μC cm2 ,剩余极化强度可达 6 6 μC cm2 ,矫顽场强达 16kV cm ,热释电系数达10 - 4 C m2 ·K量级 ,表明所制备的PST薄膜具有良好的铁电性。     

基于x86体系结构处理器的VME主控模块设计

在VME标准的阵列信号处理系统中,主控模块作为主设备具有控制、显示和数据存储的重要功能。设计了一种基于x86体系结构处理器的VME主控模块,采用双总线的设计,VME总线用作控制总线,高速LVDS总线用作数据总线,大大提高了系统各模块间的通信速度。上位机软件是利用QT在Visual Studio 2008环境下编写的,用户可以通过图形界面方便地对主控模块进行操作。该主控模块在大量的测试和系统应用中都能高效、稳定、可靠地运行,适应于更加广泛的应用。     

ACRT-B法生长的MnxCd1-xIn2Te4晶体的溶质分凝特性

研究了ACRT－B法生长的Mn0.2Cd0.9In2Te4晶体中界面形状和各组元沿轴向的分布规律及其分凝因数，发现结晶界面为椭球形；采用理想配比生长MnxCd1-xIn2Te4晶体，其4种组元并不按（Mn,Cd):In:Te=1:2:4比例结晶，而是要重新分布；通过数学方法处理实验数据得到Mn,Cd,In的分凝因数在α相区分别为1．286，1．9257和0．7294，在β相区则分别为1．12，1．055和0．985。     

镁含量对MmNi5-x(CoAlMn)x/Mg复合储氢合金吸氢性能的影响

借助扫描电镜、X- ray及吸氢性能测试装置研究了镁含量对机械合金化制备的 Mm Ni5- x ( Co Al Mn) x/Mg纳米晶复合储氢材料的性能的影响。结果表明 ,随着镁含量的增加 ,合金的活化性能表现出差 -好 -差的变化趋势。当镁含量达到50 wt%时 ,材料无法被活化。镁含量对吸氢量也有影响 ,具体表现为 ,随着镁含量的增加 ,材料的吸氢量增加。     

医用感绿X射线胶片的研制

本文扼要报导了一种新型的感绿医用X射线胶片的研制工作。研制过程中重点研究和克服了一系列关键性难题，如：富碘核心的碘溴化银乳剂、抗交迭（交叉）效应技术、防静电技术、涂布技术等。新研制的感绿X射线胶片的照相性能已达到国外同类产品水平。     

反应蒸发制备nmSi-SiOx发光薄膜

报道了用真空反应蒸发制备nmSi/SiOx 薄膜 ,制备出含有不同纳米尺寸硅颗粒的薄膜 ,研究了不同条件下得到的nmSi SiOx 薄膜的结构和组分。实验发现以SiO为蒸发源制备的薄膜能够实现光致发光。初步分析nmSi SiOx 薄膜发光机制可能是由纳米硅量子效应引起的 ,界面效应和缺陷对薄膜PL可能没有贡献 ,解释了有纳米硅颗粒存在但观察不到PL的原因