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加速坩埚旋转布里奇曼法碲镉汞晶体生长 总被引:1,自引:0,他引:1
叙述了采用加速坩埚旋转技术(ACRT)Bridgman方法生长碲镉汞晶体的原理和方法。用这种技术生长的碲镉汞晶体的纵向和横向组分均匀性比常规Bridgman生长方法有很大的改善,提高了用于制作平均探测率为8.0×10^10cmHz^1/2W^-1的8元Sprite探测器的晶片可用率。 相似文献
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加速旋转坩涡技术已用于Hg_(1-x)Cd_xTe的THM生长,以在较高速率下生长单晶。扩大界面前的对流搅拌区获得的这种较高的生长速率,可用于解释简单的组分过冷理论的某些结果。研究了几种不同的、可满足简单流体力学和几何学判据的加速坩蜗旋转技术(ACRT)周期。在冶金学均匀性及结构完整性这两方面对生长的晶体作了研究,结果表明,把生长速率从1.5mm/d提高到8.5mm/d时,其性能并无衰变。 相似文献
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布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷及其展望 总被引:2,自引:0,他引:2
简单介绍了布里奇曼法生长碲镉汞晶体的主要缺陷以及缺陷的控制原理,回顾了国内进行磅镉汞晶体生长的布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法(ACRT-B)研究的情况,并提出了进一步研究的问题。 相似文献
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首次研究了一种水平移动加热器法(THM)从未充满的溶区中生长圆柱形晶体。转动安瓿使晶体的整个截面不断地与溶液接触,强迫对流使溶液得到有效的搅拌。这种方法已被用于从富碲溶区中生长Hg_(1-x)Cd_xTe单晶。其结构完整性和冶金学均匀性都与垂直生长的THM材料相当。 相似文献
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本文简要地介绍了布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的组分分布、电学性质、微观结构和红外透射比曲线。这些晶体具有较好的横向组分均匀性、较低的载流子浓度和较长的少数载流子寿命。本文还报道了用此晶体制作的光电导器件的性能。 相似文献
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讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe MIS结构N型反型层电子子能带结构的理论和实验研究结果。描述了采用电容-电压谱,回旋共振谱和磁导振荡谱定量地研究电子子能带结构的模型和方法。推导得到的子能带色散关系,朗道能级和有效g~*因子,与测得的子能带电子的回旋共振和自旋共振结果符合得很好,从而可以定量地研究由于表面电子的自旋轨道相互作用引起的零场分裂效应,朗道能级的移动、交叉,波函数的混合效应以及电致自旋分裂的色散关系。 相似文献
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本文介绍一种经改进的采用加速坩埚旋转技术的Bridgman方法(ACRT-B)及ACRT-B用于生长MCT晶体得到的重要结果。与传统Bridgman方法生长的晶体相比,ACRT-B生长的晶体的径向组份均匀性得到很大改善;有用组份的晶片较多;晶体的结晶度好;主晶粒数目减少。ACRT-B工艺中,影响晶体质量最重要的旋转参数是最大旋转速率,而保持在最大旋转速率的时间和停止时间及反向旋转对结果的影响都很小。 相似文献
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研究了Hg_(1-x)Cd_xTe的稳态光电导响应和瞬态响应的均匀性,用可调谐连续Pb_(1-x)Sn_xTe激光测量稳态光电导,用GaAs/GaAlAs脉冲激光激发瞬态光电导.将两束激光会聚成直径约250μm的光斑,使两光斑恰位于光导型地Hg_(1-x)Cd_xTe样品前表面的同一点上,测量了样品光电导响应分布和相应光生载流子寿命分布.实验表明,稳态光电导响应分布的均匀性大大低于光生载流子寿命分布的均匀性,并对结果进行了讨论. 相似文献
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用开管水平卧式液相外延系统在不同生长条件下生长了不同 x 值的MCT 液相外延薄膜。通过对外延生长工艺的控制,外延薄膜的表面形貌有较大改善,残留母液大为减少;外延薄膜的结构参数、电学参数和光学参数均有较大改善和提高。分析表明外延膜有较高的质量。短波材料和中波材料均已作出性能较高的器件。 相似文献
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介绍了Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长国外新进展和国内研究动态。指出Cd(1-x)Zn_xTe晶体研究正在向大面积单晶,组分和结构高均匀性,低位错密度和定向生长等方面发展 相似文献
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