GaAs在高压下的金属相变

为探究GaAs的晶体结构随压力的变化,在高压下对GaAs进行了原位电阻率测量,结果显示GaAs在12.0 GPa左右发生zb相到Cmcm相的相变.为探究Cmcm相的状态类别,在高压下对GaAs的变温电阻率进行了测量,结果显示GaAs的Cmcm相为金属相.在6.0 GPa和20.0 GPa下分别对GaAs进行了第一性原理计算,结果显示Cmcm相的能带可穿过费米能级,该结果进一步证实了GaAs能够发生金属相变.     

GaAs半导体脉冲激光器的激励源

本文阐述了GaAs半导体脉冲激光器的电气特性及对激励源的要求。给出了较成熟的GaAs半导体脉冲激光器的激励源,并介绍了该激励源的工作原理。     

基于共振隧穿压阻薄膜的GaAs基微加速度计研究

主要研究一种应用共振隧穿压阻薄膜的GaAs基4梁式微加速度计,设计出共振隧穿薄膜以及GaAs基微加速度计的结构.利用有限元软件Ansys对加速度计进行了模态仿真.讨论了加速度计的加工工艺,并完成了基于加速度计共振隧穿压阻薄膜的压阻特性研究.首次采用控制孔技术制造了GaAs基微加速度计.     

GaAs中碳的补偿率对红外吸收方法测定其浓度的影响

通过直接测量GaAs中碳(C)的局域振动模(LVM)红外吸收带随其荷电态的变化,研究了GaAs中碳的LVM红外吸收与其荷电态的关系。结果表明,该吸收带对C的荷电态是不敏感的,红外吸收测定GaAs中碳浓度的方法对不同C补偿率的样品都是适用的。     

GaAs外延层蒸镀Cr和Au膜制作欧姆接触及分析

本文介绍了在GaAs激光器的P型GaAs外延层上蒸镀Cr和Au的工艺过程以及去除Cr的新工艺，代替原来的镀Zn和An工艺。这项工艺改善了镀Au层的延展性、耐腐蚀性和抗磨损性，大大地提高了膜层在外延层上的附着力，为进一步提高GaAs激光器性能提供了有利条件。     

1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱垂直腔面发射激光器的仿真研究

设计了用于提高1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱激光器光反馈的分布布拉格反射镜。基于PICS3D软件建立了单量子阱垂直腔面发射激光器仿真模型,并对有源区量子阱的材料组分和阱宽进行了优化分析。结果表明,量子阱组分为GaAs0.64Sb0.36/GaAs、阱宽为7nm时,器件的阈值电流为0.8m A,斜率效率为0.017W/A。当输入电流为8m A时,输出功率达到0.12m W。     

GalnAsP/GaAs半导体激光器远场特性研究

对用液相外延生长的GalnAsP/GaAs分别限制异质结单量子阱半导体激光器的远场分布特性进行了理论和实验分析。通过对三层平板波导、缓变波导及亥姆霍兹方程严格远场解三种理论的分析比较 ,得出了描述GalnAsP/GaAs半导体激光器远场分布的最佳模型     

基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术

提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱结构转移到了GaAs基底上。X射线衍射及荧光谱显示,键合后的多量子阱晶体质量未变。二次离子质谱(SIMS)和Raman光谱图显示,GaAs/InP键合晶片的中间层厚度约为17 nm,界面处B元素有较高的浓度,键合晶片的中间层很薄,因此可以得到较好的电学、光学特性。     

GaAs∶SiCu光导开关的计算机模拟

对掺Si补偿Cu的GaAs(GaAs∶Si∶Cu)材料的光控开关特性进行了计算机模拟,结果表明Cu与Si的浓度比和激光通量是影响开关特性的两个重要因素,越大,电导淬灭时间越短;光通量越大,导通态电导率越大,开关闭合、断开时间越短.并分析了上述现象的产生机理.     

GaAs太阳能电池的研究进展

GaAs太阳能电池具有光电转换效率高、抗辐照性能好、高温性能好等优点,广泛应用于太空电源。本文阐述了单结、双结以及多结GaAs太阳能电池的结构、性能、研究现状以及其空间应用情况。着重介绍了GaAs基量子点太阳能电池的许多重要特性,如可调节的带隙和光谱吸收性等,并对其技术发展前景进行了展望。最后介绍了本实验室在InGaAs量子点太阳能电池方面开展的相关研究情况,表明通过改变量子点的尺寸可以拓展材料的光谱范围,进而提高太阳能电池的光点转换效率。     

砷化镓开管锌扩散及其扩散模型

本文利用特殊设计的石墨舟,作了GaAs开管Zn扩散实验,获得了质量较好的扩散片,取得了一系列实验结果,从而确定出最佳扩散条件.对不同扩散条件下的扩散片进行了SIMS测试,得到了Zn浓度反常分布曲线,提出一种新的扩散模型,对反常分布曲线给予了合理的解释.     

化学方法实现GaAs表面Cu的沉积

用一种简单的化学方法在ＬＥＣ ＧａＡｓ晶体表面实现了Ｃｕ的沉积，沉积的Ｃｕ层均匀性、牢固性良好，厚度达到无限源扩散的要求。本文介绍了化学镀铜液的配制及镀铜工艺，并对化学镀铜的机理进行了讨论。     

GaAs MESFETs欧姆接触的快速评估和改进

提出了金属-半导体欧姆接触退化的快速评估方法-温度斜坡快速评价法,并建立了自动评估系统,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能,和传统方法相比,耗时少,所需样品少,所得结果和传统方法一致．同时,针对传统AuGeNi／Au欧姆接触系统的缺点,提出了加TiN扩散阻挡层的新型欧姆接触系统．实验表明,新型欧姆接触系统的可靠性远远优于传统AuGeNi／Au欧姆接触系统．     

技术扩散场技术扩散状态模型的理论研究

为研究技术扩散和吸收的运行机制,借用场的概念,提出技术扩散场的技术扩散思想,试图为研究技术扩散提供一种理论和方法。在系统地分析国内外有关技术扩散研究成果及发展趋势的基础上,对技术扩散场系统进行定义,建立了技术扩散场理论,在此基础上,详细分析了技术扩散的动力和影响技术扩散的因素。将影响技术扩散的主要因素加以抽象,建立了技术扩散场的三维空间坐标,为技术扩散设定了扩散的空间。建立了技术扩散场的技术扩散状态模型,该模型描述了技术扩散场处于静态场状态时技术扩散的扩散状态过程。在技术扩散场中,随影响因素的变化,技术扩散的规律遵循技术扩散状态模型。     

半刚性基层内水气扩散影响因素

为从水气角度量化沥青路面水损害提供理论依据,探究半刚性基层内水气扩散的影响因素,通过理论推导确定材料厚度和温度条件这两个主要影响因素,设计试验装置和试验方案,探究材料厚度和温度条件对半刚性基层内水气扩散的影响规律。研究结果表明：半刚性基层内水气扩散与其两侧相对湿度差无关,与温度因素和厚度条件相关;水气扩散通量随着材料厚度增大而逐渐减小,且减小趋势逐渐减缓,而水气扩散系数随着材料厚度增大而增大,且增大趋势逐渐减缓,这说明材料厚度增大会在一定程度上阻碍半刚性基层内的水气扩散;水气扩散通量随着温度增大而增大,且增大趋势逐渐加剧,而水气扩散系数随着温度增大而增大,且增大趋势逐渐加剧,这说明温度增大会为水气扩散提供更多的能量,加剧水气在半刚性基层内的扩散。     

技术创新扩散场——技术创新空间扩散研究的一种新方法

在继承以往空间扩散研究成果的基础上,将系统论、场论的研究思路与方法,引入技术创新扩散领域,提出了研究技术创新空间扩散的一种新方法。同时,在定义技术创新扩散场的基础上,探讨技术创新空间扩散的梯度、散度及吸引力的规律性,得出了有益的结论。     

染色过程染液流动对染料扩散速率的影响

针对染料在染浴中的扩散过程,建立了染料在染液中的对流扩散动力学模型,并采用相关数值方法分别对染液静止和流动时的扩散方程进行求解,通过对两个动力学方程的数值求解得到了在静止和流动状态下染料在染浴中的扩散速度.从两种情况下扩散速度的比较中可以得到染液流动对染料扩散速率的影响.结果表明,染料在流动染液中扩散速度比在静止染液中要快得多.因此,在实际染色过程中染料在染液中的扩散速率主要取决于流速.     

Effect of temperature on microstructure ofmolybdenum diffusion coating on titanium substrate

The halide-activated pack cementation process was used to form molybdenum diffusion coating on titanium substrate. The morphology, structure, elements diffusion distribution and microhardness of the coatings formed at different diffusion temperatures were studied. The results indicate that the coating is made up of deposition layer and diffusion layer, and the surface roughness of specimens is increased after diffusion. In the diffusion layer, the major phases are Mo and β-Ti phase with addition of α′-Ti phase and α″-Ti phase. And the phase composition of Mo →β→α″→α′ is formed for different Mo contents in the diffusion layer from outside to inside. The diffusion of Ti element is very obvious as well as Mo element. With increasing the diffusion temperature, the thickness of diffusion layer is increased rapidly, and the microhardness is changed more smoothly with diffusion depth, which shows the same distribution rules as the Mo content.     

Diffusion welding of SiCp/2014Al composites using Ni as interlayer

SiCp/2014Al composites were bonded with the vacuum diffusion welding technique using Ni as the interlayer metal. Ni and Al were interdiffused and there were intermetallic compounds formed in the inter transition layer, which was composed of Ni3Al//NiAl//NiAl3. The relation between the diffusion distance and the element concentration was calculated according to Fick＇s second law. The relations of the diffusion concentration and the diffusion welding technique parameters were calculated.