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LHPG法单晶光纤生长中的熔区控制技术 总被引:1,自引:0,他引:1
采用激光加热基座生长法 (LHPG)生长单晶光纤 ,研究晶体源棒的熔球大小、籽晶点入深度与熔区长度、生长速度、生长质量的关系及控制技术 ,得到了生长优质单晶光纤过程中的各控制参数最佳值 相似文献
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据海外媒体报道,日本住友金属工业综合技术研究所在全球首次开发出从Si(硅) Ti(钛)等金属组成的高温熔液中制备SiC(碳化硅)单晶的熔液生长法,生长速度已接近实用水平。 相似文献