气凝胶薄膜制备的研究进展

气凝胶薄膜作为一种具有独特特性的薄膜材料,在光学、热学、声学、微电子等领域受到广泛关注。概述了气凝胶薄膜的溶胶制备和溶胶镀膜制备工艺,对比了气凝胶溶胶的酸催化、碱催化和酸碱两步催化等制备方法;介绍了浸渍提拉法、旋转镀膜法等溶胶镀膜方法;综述了溶胶制备和镀膜等工艺条件对气凝胶薄膜结构和性能的影响及其研究进展,指出酸碱两步法和金属等杂化是提高气凝胶薄膜性能的有效途径;最后展望了气凝胶薄膜材料的发展和应用前景。     

V2O5常压干燥气凝胶薄膜的制备及性能研究

采用溶胶-凝胶技术制备溶胶,结合提拉镀膜方法,通过溶剂替换工艺在常压下制备出了纳米多孔结构的V2O5气凝胶薄膜.使用XRD、椭偏仪、XPS分别测试薄膜的晶态结构、折射率、表面成分,采用标准三电极法研究了薄膜的电化学伏安循环特性以及充放电性质.结果表明,经过溶剂替换薄膜孔隙率得到增加,比容量得到显著提高,可逆性也得到了改善;热处理使薄膜致密,孔隙率降低,样品在300℃热处理后V5+的含量增加,比容量有所提高.     

溶胶—凝胶薄膜科学与技术的由来和发展

简要地叙述了溶胶-凝胶镀膜技术的由来和进展。概述了溶胶-凝胶镀膜技术的一般原理及其特点。介绍了溶胶-凝胶镀膜的制作方法和工艺过程以及薄膜材料的应用。展望了未来的发展前景。     

纳米掺钯WO3薄膜及气致变色性能研究

以钨粉和双氧水为原料，采用溶胶-凝胶技术结合提拉镀膜法，制备了纳米结构掺钯气致变色WO3薄膜；分析了薄膜的折射率、厚度、结晶度、红外特性和表面形貌随温度变化特性；研究了薄膜的气致变色性能。研究结果表明，纳米掺钯气致变色WO3薄膜有着良好的气致变色特性。重点讨论了薄膜结构、薄膜水含量以及薄膜钯含量对薄膜变色效率的影响。     

V2O5常压干燥气凝胶薄膜的制备及Li+注入研究

采用溶胶-凝胶技术制备溶胶,结合提拉法镀膜,通过溶剂替换工艺在常压下制备出了纳米多孔结构的V2O5气凝胶薄膜.使用TEM、BET、椭偏仪分别观测和测试溶胶的形貌、气凝胶孔径分布以及薄膜的折射率和孔洞率.采用标准三电极法研究了薄膜的电化学伏安循环特性以及恒流充放电性质.研究结果表明,常压干燥制备的薄膜孔隙率达到了56%,比干凝胶薄膜提高了16%,而且比容量达到530mAh/g左右,比干凝胶薄膜提高了33%,可逆性也得到了改善.研究表明,这些性能的提高归因于常压干燥气凝胶薄膜较高的孔隙率以及较大的孔洞直径.     

TMCS/HMDSO混合改性剂对常压制备SiO2气凝胶的影响

以TEOS为硅源,TMCS/HMDSO为混合表面改性剂,采用酸碱两步催化溶胶-凝胶法和常压干燥法制备疏水性SiO2气凝胶,并借助BET、SEM、FT-IR等测试手段对样品进行表征。结果表明:TMCS/HMDSO混合改性剂的改性效果优于单一改性剂,当TMCS体积分数为混合表面改性剂的60%,改性温度为60℃时,制备的SiO2气凝胶具有较佳的综合性能,密度为0.1213g·cm-3,比表面积高达899.8m2·g-1,孔容为2.856cm3·g-1。     

溶胶-凝胶法制备ITO薄膜研究进展

概述了近年来国内外溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备ITO薄膜的研究状况,对Sol-Gel法制备ITO薄膜工艺做了简要介绍,重点讨论了Sol-Gel法制备ITO薄膜的溶胶体系,分析比较了有机醇盐、无机盐以及掺入ITO粉末方法体系的优缺点,最后讨论了甩膜法、提拉法及平铺法在Sol-Gel法制备ITO薄膜中镀膜的应用.指出Sol-Gel法是一种高效可行的制备ITO薄膜的方法,有着广阔的应用前景.     

多孔氧化钛薄膜的制备及结构的探讨

介绍了模板剂法制备多孔氧化钛薄膜的机理、工艺及影响薄膜结构的因素.实验采用溶胶-凝胶工艺,以钛酸丁酯为前驱体,二乙醇胺为络合剂,分别选用聚乙二醇和十六烷基三甲基溴化铵为模板剂配制溶胶,制备多孔薄膜,通过SEM观察薄膜的表面结构.实验表明:随着模板剂分子量、用量,镀膜焙烧工艺的改变,薄膜表面孔的数量、分布、及孔径大小也随之改变.     

常压制备低孔径高比表面积疏水SiO2气凝胶

以正硅酸乙酯为先驱体，丙三醇为干燥控制化学添加刑（DCCA），通过酸碱两步溶胶-凝胶法制备了二氧化硅气凝胶，同时利用六甲基二硅氮皖（HMDZ）和正己烷的混合液对湿凝胶进行表面疏水改性。测试分析了所制备气凝胶的密度、疏水性、比表面积和形貌。结果表明，经过表面改性的SiO2气凝胶具有良好疏水性，与水的接触角约为139．4°...     

超低密度SiO2气凝胶快速制备的新方法

以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,采用酸碱二步催化溶胶-凝胶法,结合超临界干燥技术制备了超低密度SiO2气凝胶.通过采用CH3CN为稀释剂,有效地降低了胶凝温度(室温),缩短了胶凝时间,从而达到了快速制备SiO2气凝胶的目的.利用SEM、BET等方法对干燥不同程度的低密度SiO2气凝胶微结构进行了研究.     

溶胶—凝胶法制备SiO2气凝胶及其特性研究

本文以ＴＥＯＳ为原料，采用溶胶－凝胶法和超临界干燥工艺制备了轻质纳米多孔材料ＳｉＯ２气凝胶。研究了溶剂用量ｐＨ值对溶胶的凝胶化过程和最后制成的气凝胶的特性的影响。并用ＢＥＴ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等实验手段研究了这些气凝胶的结构和一些基本物理现象。     

溶胶-凝胶工艺和氧化物气敏材料

本文简要地综述了溶胶-凝胶工艺、氧化物气敏材料、以及应用溶胶-凝胶工艺制备氧化物气敏材料等方面的最新进展。近年来,人们已发现许多氧化物半导体材料都具有某种气敏特性,材料中杂质的种类及数量、材料的颗粒度及孔隙度分布、以及薄膜样品的厚度等因素都严重地影响着氧化物半导体的气敏特性。应用溶胶-凝胶工艺制备氧化物气敏材料。不仅操作工艺简单、制备过程温度低;而且所制得的产物纯度高,组分均匀,很容易实现均匀的定量掺杂;此外,用溶胶-凝胶工艺所制得的氧化物材料具有很大的比表面积。因此,溶胶-凝胶工艺在制备氧化物气敏材料方面具有很大的优势,近年来已有不少作者采用此工艺制备出氧化气敏材料。     

溶胶—凝胶二氧化硅驻极体薄膜的物理化学改性

实验研究了由溶胶－凝胶法制备二氧化硅驻极体薄膜的工艺。用红外透射谱、扫描电子显微镜以及驻极体等温表面电位测量和热刺激放电等实验考察了热处理和化学表面修正两个关键工艺对溶胶－凝胶二氧化硅样品驻极体性能的影响。结果表明经过高温条件下一定时间的热处理和化学表面修正，可以制备出性能优良的驻极体薄膜。     

纳米多孔SiO2功能薄膜制备方法的研究进展

纳米多孔SiO2薄膜的各种优异性能，使其在众多领域中占有极大的应用潜力。对一些新的制备纳米多孔SiO2薄膜的方法如自组装法、酸碱两步催化法、微波合成法进行了概括和总结，并分析了其原理、方法和特点。     

溶胶-凝胶法制备低折射率SiO2薄膜的过程控制研究

纳米多孔二氧化硅薄膜具有优良的物理化学特性和广阔的应用前景.以溶胶-凝胶法制备低折射率SiO2薄膜为例,对化学法镀膜中的溶胶制备、溶胶保存、薄膜制备等3个阶段进行了研究,利用透射电镜、红外光谱仪、原子力显微镜、椭偏仪等对溶胶和薄膜的特性进行了检测,并对其制备过程进行了控制,这对制备性能良好的薄膜材料及其产业化应用具有一定的指导意义.     

溶胶－凝胶法制备SiO_2气凝胶及其特性研究

本文以ＴＥＯＳ为原料，采用溶胶－凝胶法和超临界干燥工艺制备了轻质纳米多孔材料ＳｉＯ２气凝胶．研究了溶剂用量及ｐＨ值对溶胶的凝胶化过程和最后制成的气凝胶的特性的影响．并用ＢＥＴ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等实验手段研究了这些气凝胶的结构和一些基本物理现象．     

溶胶-凝胶SiO2在变色薄膜中的应用

变色薄膜是一种非常有用的光学产品。用溶胶－凝胶SiO2作为变色薄膜中的介质层（Cr/SiO2/Al）能明显提高产品的质量和生产效率。本文介绍了溶胶－凝胶SiO2薄膜的制作方法，提出了用酸性催化控制SiO2溶胶过程；用网线辊涂布的方法形成薄膜，连同烘烧后处理完成SiO2凝胶过程。文章还对SiO2薄膜的光学特性和在制备变色薄膜中相关条件对整个薄膜性能的影响进行了分析。     

用溶胶—凝胶法制备铁电薄膜

介绍了溶胶－凝胶技术制备铁电薄膜的基本原理，工艺过程及工艺特点，综述了溶胶－凝胶法制备铁电薄膜的最新进展。     

折射率可调SiO_2薄膜及耐环境性宽频增透膜的制备

通过溶胶-凝胶法制备了折射率连续可调的SiO2薄膜,并将其应用于制备双层宽频增透膜。以正硅酸乙酯为前驱体,分别以盐酸和氨水为催化剂制备酸催化SiO2溶胶和碱催化SiO2溶胶;将酸催化和碱催化的SiO2溶胶按不同比例进行混合制得酸碱混合SiO2溶胶,最后通过浸渍-提拉法在K9玻璃上制备SiO2薄膜。椭偏仪测试结果表明SiO2薄膜的折射率在1.18~1.44之间连续可调,折射率随着酸催化SiO2溶胶比例的增加而增加。分别以折射率为1.41和1.18的SiO2薄膜为底层和上层,成功制备出在527和1053nm处同时高增透的双层宽频增透膜。最后,以六甲基二硅氮烷为修饰剂,通过增透膜表面的有机修饰,提高了宽频增透膜的疏水性和耐环境性。     

SiO2胶体的掺杂对纳米TiO2薄膜光催化活性的影响

采用溶胶-凝胶法制备TiO2溶胶，并掺入少量SiO2胶体，用浸渍一提拉法在玻璃表面镀膜，经高温烧结后制得具有一定厚度、均匀平整的锐钛矿型TiO2薄膜。研究了SiO2胶体的加入量、加入SiO2胶体前后陈化温度、时间，光照时间对甲基橙的光催化活性的影响。结果表明陈化温度，时间，光照时间对光催化效果有重要影响，SiO2胶体掺入量为3％时可明显提高TiO2薄膜的光催化活性和超亲水性。借助于XRD、SEM、DTA等测定分析，确定了TiO2薄膜的外观形貌、晶体结构及稳定晶相。