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磁控溅射低温沉积ITO薄膜及其光电特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流反应磁控溅射法低温沉积ITO薄膜,用XRD、SEM和UV—Vis分别表征ITO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱,研究了氧分压、溅射功率及薄膜厚度等工艺参数对薄膜光电性能的影响,结果表明,氧分压过大时,ITO薄膜中有大量的位错和缺陷,使薄膜的电阻率变大,导电性变差;氧分压过小时,薄膜中将有大量氧空位产生,导致晶格变形,使电阻率增加。随着溅射功率增大,在相同时间内薄膜厚度增加,方块电阻减小,薄膜电阻率降低。随着薄膜厚度增加,制备的薄膜晶体结构相对完整,载流子浓度和迁移率逐渐增大,薄膜电阻率变小,进而对样品的光电性能产生明显影响。 相似文献
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在线紫外辐照辅助沉积柔性ITO薄膜的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
显示技术正朝着柔性化、超薄化方向发展,低温制备柔性ITO薄膜已经成为一大趋势.本文在射频磁控溅射过程中,引入在线紫外辐照,室温条件下在有机衬底上制备柔性ITO薄膜的工艺,其最低方块电阻为5Ω,电阻率为2.5×10 -4Ω·cm,透光率为92%,远远优于未采用紫外辐照制备的柔性ITO薄膜.我们用四探针测试仪、分光光度计、原子力显微镜、X射线衍射仪等测试仪器,对未采用和采用在线紫外辐照制备的薄膜进行测试,分析探讨了紫外线辐照对薄膜的光电性能、表面形貌和生长取向的影响.研究结果表明:在紫外线的照射下,ITO薄膜表面形貌得到改善,晶界缺陷减少,生长更均匀,致密度更好,在降低薄膜电阻率的同时,提高了薄膜在可见光区的透射率,在紫外辐照下,ITO薄膜更趋于〈222〉的择优取向,且平均晶粒尺寸变大,结晶度提高,宏观表现为薄膜的电阻率降低. 相似文献
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钟志有 《真空科学与技术学报》2008,28(2):138-142
采用正交实验方法研究了氧气等离子体表面改性中各工艺因素对ITO薄膜表面性质的影响,获得了IID表面改性的最佳工艺条件,并且通过XPS,AFM,透射光谱的分析以及薄膜表面接触角和方块电阻的测量,表征了优化工艺条件下氧气等离子体处理前后ITO薄膜的表面性质.结果表明,氧气等离子体处理降低了ITO表面的粗糙度和方块电阻,改善了ITO表面的化学组分和浸润性能.另外,以表面处理前后的ITO基片作为空穴注入电极,采用真空热蒸镀技术制备了有机薄膜电致发光(OTFEL)器件,并对器件的电流.电压.亮度特性以及电流效率进行了测试和分析,实验结果显示,氧气等离子体处理降低了启亮电压和驱动电压,提高了发光亮度和电流效率,有效地改善了OTFEL器件的光电性能. 相似文献
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溅射功率和氧分压对ITO薄膜光电性能的影响研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过四探针、紫外可见分光光度计、X射线衍射(XRD)、霍尔效应仪、扫描电镜(SEM)等对薄膜样品进行了表征,研究了溅射功率和氧分压对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响,结果表明:溅射功率对ITO的光电性能影响较小,沉积速率随着溅射功率的增大而加快;随着氧分压的升高,载流子浓度降低,霍尔迁移率先增大后减小,电阻率逐渐增大。在优化的工艺条件下,制备了在可见光区平均透过率达85%、电阻率为1×10-4Ω.cm的光电性能优良的ITO薄膜。 相似文献
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针对ITO薄膜方块电阻测试方法,文章探讨了常规的四探针法与双电测四探针法在实际生产中的适应性、准确性。根据玻璃基板上的ITO薄膜和聚脂薄膜上的ITO薄膜的结构、物理特性不同特点,测试方块电阻时应注意的细节作出了必要的阐述。并对生产中有关方块电阻测试的注意事项作出详细说明。 相似文献
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柔性衬底ITO薄膜的制备及其光电性能研究 总被引:5,自引:3,他引:2
在室温下,采用直流反应磁控溅射法,在聚酯薄膜(PEP)衬底上镀制了高性能的ITO薄膜。为了提高薄膜与基底的结合力,溅射前采用多弧离子源对PEP表面进行了等离子体清洗。研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电性能和红外发射率的影响规律,探讨了ITO膜的透光和导电机理,并分析了方块电阻与红外发射率的相互关系。实验结果表明,通过等离子体清洗,ITO薄膜的结合力和光电性能都得到了改善。ITO薄膜的红外发射率和方块电阻受制备条件的影响规律具有相似之处,红外发射率随薄膜方块电阻的增大而呈增加的趋势。 相似文献
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气溶胶辅助化学气相沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜 总被引:2,自引:0,他引:2
采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)法在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜. 研究了Al掺杂(2at%~8at%)对ZnO薄膜结构及光电性能的影响. 利用XRD、SEM、EDAX、紫外可见分光光度计等手段对样品进行测试. 结果表明, 制备的所有AZO薄膜均具有纤锌矿结构, 不具有沿c轴方向的择优取向, XRD图谱中未观察出Al的相关分相. 在可见光范围内, AZO薄膜的平均透过率大于72%, 光学禁带宽度随Al掺杂量的增加而变窄. 同时根据四探针技术所得的数据得知: Al的掺杂导致薄膜方块电阻的变化, 随着Al掺杂量的增加, 方块电阻有明显变小的现象, 掺杂6at%Al的AZO薄膜具有最低方块电阻(18Ω/□). 相似文献