利用FePt/Au多层膜结构制备垂直磁记录L10-FePt薄膜

利用磁控溅射方法在100℃的MgO单晶基片上制备了[FePt/Au]10多层膜,并研究了采用FePt/Au多层膜结构对FePt薄膜的有序化温度、矫顽力(HC)、垂直磁各向异性、晶粒尺寸以及颗粒间磁交换耦合作用的影响.磁性测试结果表明:FePt/Au多层膜在退火后具有较高的HC、良好的垂直磁各向异性、较小的晶粒尺寸且无磁交换耦合作用.截面高分辨电镜分析表明:Au可以缓解MgO和FePt之间较大的晶格错配,从而促进薄膜的垂直磁各向异性;同时,采用FePt/Au多层膜结构增加了FePt/Au界面能、应力能以及Au原子在薄膜中的扩散作用,促进了薄膜的有序化,从而有效降低了有序化温度,并且大幅度提高其HC.此外,Au原子部分扩散到FePt相的边界处,起到抑制FePt晶粒生长、隔离FePt颗粒的作用,从而显著降低了FePt晶粒的尺寸和颗粒间磁交换耦合作用.     

垂直取向FePt/Ag纳米颗粒薄膜的结构和磁性

用磁控溅射法在单晶MgO(100)基片上制备了［FePt 2 nm/Ag dnm］₁₀多层膜， 经真空热处理后，得到具有高矫顽力的垂直取向L1₀-FePt/Ag颗粒膜.x射线衍射结 果表明，在250 ℃的热基片上溅射，当Ag层厚度d=3—11 nm时，FePt颗粒具有很好的［001］取向，随着Ag层厚度的增加，FePt颗粒尺寸减小.［FePt 2 nm/Ag 9 nm］₁₀经过6 00 ℃真空热处理15 min后，颗粒大小仅约8 nm，垂直矫顽力达到692 kA/m.这种无磁耦合作用的颗粒膜，适合用作超高密度的垂直磁记录介质. 关键词： 磁控溅射 垂直磁记录 纳米颗粒膜 0-FePt/Ag')" href="#">L1₀-FePt/Ag     

Bi底层对FePt薄膜的影响

利用磁控溅射的方法，在玻璃基片上制备了以Bi为底层的FePt薄膜，经不同温度真空热处理得到L1₀-FePt薄膜.研究了Bi做底层对FePt薄膜的有序化温度及矫顽力H_c的影响.实验结果表明：以Bi做底层的FePt薄膜在350℃实现低温有序，同时其H_c也有大幅度提高，并且可以在更大成分范围内获得H_c较高的L1₀-FePt薄膜.利用X射线光电子能谱研究了薄膜中Bi原子的分布情况，利用X射线衍射研究了薄膜的晶体学结构变化.结果表明,Bi底层在退火过程中的扩散促进了FePt薄膜有序度的升高. 关键词： 0-FePt薄膜')" href="#">L1₀-FePt薄膜 有序化温度 底层 扩散     

利用［Fe/Pt］n多层膜降低L10-FePt有序化温度

采用直流磁控溅射方法制备了Fe/Pt多层膜和FePt单层薄膜，再经不同温度真空热处理得到 了有序相L10₀-FePt薄膜.通过x射线衍射谱和磁性研究表明，FePt单层薄膜需 要在500℃ 以上热处理，才能开始有序化转变，而Fe/Pt多层膜可以降低FePt薄膜有序化温度.［Fe(1 5nm)/Pt(15nm)］13₁₃薄膜在350℃热处理后，有序度已经增加到 06，相应矫 顽力达到了501kA/m.多层膜化促进有序化在较低的温度下进行，这是由于热处理过程中多 关键词： 0-FePt有序相')" href="#">L10₀-FePt有序相 磁控溅射 有序度 Fe/Pt多层膜     

磁控溅射方法制备垂直取向FePt/BN颗粒膜

用磁控溅射在热单晶MgO(100)基片上制备了［FePt/BN］多层膜，经真空热处理后，得到具有垂直取向L1₀-FePt/BN颗粒膜.X射线衍射结果和磁性测量的结果表明，［FePt(2nm)/BN(0.5nm)］₁₀和［FePt(1nm)/BN(0.25nm)］₂₀多层膜经700℃热处理1h后，均具有较好的(001)取向.［FePt(1nm)/BN(0.25nm)］₂₀垂直矫顽力达到522kA/m，剩磁比达到0.99，开关场分布S达到0.94，FePt晶粒平均尺寸约15—20nm，适合用于将来超高密度的垂直磁记录介质. 关键词： 磁控溅射 垂直磁记录 0-FePt/BN纳米颗粒膜')" href="#">L1₀-FePt/BN纳米颗粒膜     

Ag和Ti底层对[Fe/Pt]n多层膜有序化的影响

利用磁控溅射的方法，在热玻璃基片上制备了以Ag，Ti，Cu，Cr，Pt和Ta为底层的［Fe/Pt］_n多层膜，后经不同温度真空热处理，得到L1₀有序结构的FePt 薄膜（L1₀-FePt）.实验结果表明，以Ag和Ti为底层，通过采用基片加温，同时 利用［Fe/Pt］_n多层膜结构，可以促进FePt薄膜的有序化过程，使FePt-L1_０有序化温度从500℃降低到350℃.在较高的温度下退火，以Ag为底层对薄膜的磁性 能影响较小，而以Ti为底层在高于500℃退火后，矫顽力明显下降.在400℃退火20min后，以 Ag和Ti为底层的样品平行膜面的矫顽力分别达到597kA/m和645kA/m，剩磁比分别达到0.81和 0.94，为将来FePt-L1_０有序相合金薄膜用于未来超高密度磁记录介质打下基础. 关键词： ０-FePt薄膜')" href="#">L1_０-FePt薄膜 有序化温度 底层 多层膜结构     

多层膜［Co85Cr15/Pt］20的磁性、垂直磁记录特性和微结构的关系

采用磁控溅射法制备了性能优良的以Pt为缓冲层的［Co85₈₅Cr15_{15/Pt］2020 多层膜，研究了溅射气压对［Co8585Cr1515/Pt］2020多层膜微结构和磁性的 影响.研究结果表明，Ar溅射气压对［Co8585Cr1515/Pt］2020多层膜的微结构 、垂直磁各向异性和矫顽力有重要的影响 关键词： 溅射气压 多层膜 垂直磁各向异性 有效磁各向异性常数}     

FePt薄膜中磁相互作用

采用磁控溅射方法在自然氧化的单晶Si(100)衬底上制备了纳米结构的Fe₅₃Pt₄₇薄膜，并研究热处理后薄膜中的磁相互作用、晶粒尺寸与热处理温度的关系.经400℃热处理后，FePt薄膜中有明显的面心四方相形成，薄膜表现出硬磁性，晶粒尺度在20 nm，薄膜内部存在软硬磁交换耦合作用；随着热处理温度升高，硬磁相含量增加.同时由于FePt薄膜的晶粒长大，部分软硬磁晶粒之间的交换耦合作用失效；600℃热处理后，FePt的面心立方相已经完全转变为面心四方相，薄膜矫顽力由硬磁相之间的静磁作用贡献. 关键词： 磁性薄膜 纳米晶 磁性能 热处理     

Cu掺杂对FexPt1－x薄膜有序化的影响

利用磁控溅射制备了薄膜厚度为50nm的系列(Fe_xPt_1-x)_100-yCu_y(x=0.46—0.56,y=0,0.04,0.12) 样品.利用直流共溅射方法精确控制Fe和Pt的原子比.实验结果表明，当x>0.52时，样品中添加Cu不能促进FePt的有序化，但是对于FePt化学原子定比或富Pt的样品，添加Cu可以促进FePt有序化，而且随着Fe含量的减少，需要更多的Cu添加才能实现较低温度下FePt薄膜的有序化.实验结果表明，原子比(FeCu)/Pt达到1.1—1.2的范围时，即可实现较低温度的有序化. 关键词： 0-FePt有序相')" href="#">L1₀-FePt有序相 磁控溅射 有序度 Cu掺杂     

c轴垂直取向FePt薄膜的磁和磁光性能研究

采用直流磁控溅射的方法在氧化镁(100)单晶基板上生长了一系列c轴垂直取向的FePt薄膜，通过改变沉积时的基板温度，薄膜从Fe，Pt原子无序排列的面心立方结构逐渐变化到有序排列的L1₀相面心四方结构.在此基础上，系统研究了FePt薄膜的化学有序度对磁和磁光性能的影响.随着有序度的增加，FePt薄膜的磁晶各向异性能，以及沿垂直方向的矫顽力、剩磁比均增加，在基板温度高于530 ℃时制备的薄膜中的磁晶各向异性能超过1 J/cm³.同时，还观察到有序FePt合金薄膜的磁光克尔光谱(克尔转角的大小和极值所对应的跃迁光子能量)随化学有序度的显著变化. 关键词： FePt薄膜 化学有序度参数 磁光克尔光谱     

室温生长MgO底层诱导(001)取向FePt薄膜的有序化过程对FePt成分的依赖

室温下通过磁控溅射在表面热氧化的Si基片上生长了MgO/Fe_xPt_100-x双层膜和Fe_xPt_100-x单层膜系列样品，Fe_xPt_100-x的原子成分x=48—68.研究了热处理前后不同成分FePt薄膜的晶体结构和磁性的变化，尤其是MgO底层的引入对FePt的晶体结构和磁性的影响 关键词： FePt(001)薄膜 0相')" href="#">L1₀相     

L10-ordered high coercivity (FePt)Ag-C granular thin films for perpendicular recording

We report (FePt)Ag-C granular thin films for potential applications to ultrahigh density perpendicular recording media, that were processed by co-sputtering FePt, Ag, and C targets on MgO underlayer deposited on thermally oxidized Si substrates. (FePt)_1−xAg_x-yvol%C (0<x<0.2, 0<y<50) films were fabricated on oxidized silicon substrates with a 10 nm MgO interlayer at 450^oC. We found that the Ag additions improved the L1₀ ordering and the granular structure of the FePt-C films with the perpendicular coercivity ranging from 26 to 37 kOe for the particle size of 5-8 nm. The (FePt)_0.9Ag_0.1-50vol%C film showed the optimal magnetic properties as well as an appropriate granular morphology for recording media, i.e., average grain size of D_av=6.1 nm with the standard deviation of 1.8 nm.     

Influence of Fe cap layer on the structural and magnetic properties of Fe49Pt51/Fe bi-layers

The influences of an Fe cap layer on the structural and magnetic properties of FePt/Fe bi-layers are investigated. Compared with single FePt alloy films, a thin Fe layer can affect the crystalline orientation and improve the chemical ordering of L10 FePt films. Moreover, the coercivity increases when a thin Fe layer covers the FePt layer.Beyond a critical thickness, however, the Fe cover layer quickens the magnetization reversal of Fe49Pt51/Fe bi-layers by their exchange coupling.     

择优取向MgO缓冲层上制备的硅基Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的结构和性能研究

分别采用sol-gel法和磁控溅射法在Si（001）单晶衬底上制备出（111）和（001）取向的MgO缓冲层薄膜,随后在其上生长Ba_0.7Sr_0.3TiO₃（BST30）铁电薄膜.通过X射线衍射,扫描电子显微镜,原子力显微镜等方法研究了薄膜的微结构.实验结果发现,在较厚的MgO（001）缓冲层上可长出（101）取向的BST30薄膜,而在较薄的MgO（111） 缓冲层上则表现出（101）和（111）取向相互竞争的现象,随着MgO（111）缓冲 关键词： 0.7Sr_0.3TiO₃')" href="#">Ba_0.7Sr_0.3TiO₃ 铁电薄膜 择优取向 sol-gel     

Magnetic properties and microstructure study of high coercivity Au/FePt/Au trilayer thin films

High-coercivity Au(60 nm)/FePt(δ nm)/Au(60 nm) trilayer samples were prepared by sputtering at room temperature, followed by post annealing at different temperatures. For the sample with δ=60 nm, L1₀ ordering transformation occurs at 500 °C. Coercivity (H_c) is increased with the annealing temperature in the studied range 400–800 °C. The H_c value of the trilayer films is also varied with thickness of FePt intermediate layer (δ), from 27 kOe for δ=60 nm to a maximum value of 33.5 kOe for δ=20 nm. X-ray diffraction data indicate that the diffusion of Au atoms into the FePt L1₀ lattice is negligible even after a high-temperature (800 °C) annealing process. Furthermore, ordering parameter is almost unchanged as δ is reduced from 60 to 15 nm. Transmission electron microscope (TEM) photos indicate that small FePt Ll₀ particles are dispersed amid the large-grained Au. We believe that the high coercivity of the trilayer sample is attributed to the small and uniform grain sizes of the highly ordered FePt particles which have perfect phase separation with Au matrix.     

用耦合簇理论及相关一致五重基研究SiH$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;($lt;i$gt;X$lt;/i$gt;$lt;sup$gt;1$lt;/sup$gt;$lt;i$gt;A$lt;/i$gt;$lt;sub$gt;1$lt;/sub$gt;)自由基的解析势能函数

运用单双迭代三重激发耦合簇理论和相关一致五重基对SiH₂的基态结构进行了优化, 并在优化结构的基础上进行了离解能和振动频率的计算. 结果表明: SiH₂的基态为C_2v结构, 平衡核间距R_Si—H= 0.15163 nm, H—Si—H键的键角α=92.363°, 离解能D_e（HSi—H）=3.2735 eV, 频率ν₁（a₁）=1020.0095 cm^-1, ν₂（a₁）=2074.8742 cm^-1, ν₃（a₁）=2076.4762 cm^-1. 这些结果与实验值均较为相符. 对H₂的基态使用优选出的cc-pV6Z基组、对SiH的基态使用优选出的aug-cc-pV5Z基组进行几何构型与谐振频率的计算并进行单点能扫描, 且将扫描结果拟合成了解析的Murrell-Sorbie函数. 与实验结果及其他理论计算结果的比较表明, 本文关于SiH自由基光谱常数（D_e,R_e, ω_e, B_e, α_e和ω_eχ_e）的计算结果达到了很高的精度. 采用多体项展式理论导出了SiH₂（C_2v, X¹A₁）自由基的解析势能函数, 其等值势能图准确再现了它的离解能和平衡结构特征. 同时还给出了SiH₂（C_2v, X¹A₁）自由基对称伸缩振动等值势能图中存在的两个对称鞍点, 对应于SiH+H→SiH₂反应, 势垒高度为0.5084 eV. 关键词： 2')" href="#">SiH₂ Murrell-Sorbie函数 多体项展式理论 解析势能函数     

Pr0.7(Sr1-xCax)0.3MnO3多晶体系中的小极化子性质

采用基于柠檬酸体系的溶胶-凝胶法制备了Pr_0.7（Sr_1-xCa_x）_0.3MnO₃系列的多晶块材, 同时还用脉冲激光沉积技术（PLD）在SrTiO₃（100）衬底上外延生长了同一系列的薄膜, 系统研究了它们的晶格结构和电输运行为. 多晶和薄膜样品都具有正交晶格结构, 电输运行为在居里温度T_Ｃ以上的高温顺磁相都很好 关键词： 0.7（Sr_1-xCa_x）_0.3MnO₃')" href="#">Pr_0.7（Sr_1-xCa_x）_0.3MnO₃ 绝热小极化子模型 双交换作用 Jahn-Teller晶格畸变     

晶粒尺寸对Ba$lt;sub$gt;0.70$lt;/sub$gt;Sr$lt;sub$gt;0.30$lt;/sub$gt;TiO$lt;sub$gt;3$lt;/sub$gt;陶瓷介电性能的影响规律及机理研究

通过制备晶粒尺寸处于0.1—10 μm之间的致密Ba_0.70Sr_0.30TiO₃陶瓷,系统研究了晶粒尺寸对居里温度T_C、铁电相介电常数ε_F、峰值介电常数ε_M的影响规律,并深入分析了其内在的影响机理.研究表明：晶粒尺寸减小时,T_C刚开始基本不变,直到晶粒尺寸小到一定程度时才开始降低,此变化规律可由Buesseum的内应力模型解释;随晶粒尺寸的增加,ε_F先增加后减小,此变化规律可由Shaikh的串并联模型来解释,主要影响因素有内应力、畴、晶界;ε_M随晶粒尺寸的增加,在晶粒尺寸较小时先增加后减小,晶粒尺寸较大时略有增加,此变化规律可由弥散相变理论和串并联模型共同解释,在晶粒尺寸较小时主要影响因素为内应力、微畴和晶界,晶粒尺寸较大时主要影响因素为晶界. 关键词： 0.70Sr_0.30TiO₃陶瓷')" href="#">Ba_0.70Sr_0.30TiO₃陶瓷 介电常数 居里温度 晶粒尺寸