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友清 《激光与光电子学进展》1999,36(5):13-17
半导体二极管激光器现在已成为我们日常生活最广泛使用和最重要的激光器。1997年全世界的销售已超过2亿支。据说,二极管激光器的应用随处可见(如用于CD唱机、激光打印机、激光视盘机和个人计算机)是由于它的安全性。除了变革通用电子产业外,二极管激光器的进展... 相似文献
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垂直腔环形激光器1.引言大家知道,我们需要一种高功率相干二极管激光源。为实现这一要求,已经使用了许多方法.包括瞬逝耦合边缘发射激光器一维阵列[1],光栅耦合分布是布拉格反射器表面发射激光器二维阵列[2],垂直腔法布里-珀罗激光器二维阵列[3,4]。本... 相似文献
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1 引 言 光电子技术在网络、存储器等方面的应用与多媒体信息社会的发展息息相关 ,对信息社会的发展始终起着至关重要的作用。在世界范围内的信息基础设施配置中 ,人们对以光纤通信为代表的光电子技术寄予厚望。瞬间传送处理图像等大规模信息技术愈益重要 ,在并行传递空间信息的超并行光传输系统、连接多台计算机或LSI芯片的并行光互连及光并行信息处理系统中 ,新兴的并行光电子技术起主导作用。要实现充分利用光的并行性的系统 ,大规模地进行二维集成化的并行光器件十分重要。为适应这种需求 ,人们开始探索一种新型结构的半导体激… 相似文献
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高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器 总被引:2,自引:2,他引:2
报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器.研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0.82mW/mA和2.59mA,激光器在23mA时输出16mW最大光功率.氧化直径为5μm的激光器25℃时的最小阈值电流为570μA,其最大饱和光功率为5.5mW. 相似文献
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氮化镓(GaN)垂直腔面发射激光器(VCSEL)在近20年来获得了飞速发展,已成为下一代半导体激光器的研究热点。GaN是制造从紫外波段到绿色波段光电子器件的绝佳材料,而VCSEL具有阈值和发散角小、调制速率高,以及输出光束呈圆对称等特点。首先回顾了基于GaN的VCSEL的发展历史,简要介绍了它的主要应用方向;然后讨论了反射镜与谐振腔设计与制造中的关键问题;接着分析了三种不同结构的GaN VCSEL的散热机理,并分析讨论了优化散热的策略;最后介绍了基于GaN的蓝色、绿色和紫外VCSEL的研究进展及最新思路。 相似文献
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垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为理想的激光光源,具有广阔的发展前景.在光纤通信、光互连以及激光打印等应用领域中,大多要求VCSEL工作在基横模状态,而由于VCSEL自身的结构特点,易于激射出多横模,因此对VCSEL横向模式的限制成为了研究热点.本文综述了 VCSEL横模控制方法的研究报道,分类分析了光子晶体、表面浮... 相似文献
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多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析 总被引:8,自引:0,他引:8
依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELS)的结构特点,并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应,建立了多量子阱VCSELS的速率方程,并给出了其方程的严格解析解,在此基础之上,讨论了VCSELS的稳态特性,并与普通开腔和三维封闭腔中的结果进行了比较,给出了V 相似文献
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大功率体光栅外腔半导体激光器的输出特性 总被引:2,自引:4,他引:2
宽条形大功率半导体激光器(LD)存在光谱温漂系数大、光谱宽度宽的缺点,为了改善宽条形大功率半导体激光器的光谱特性,采用一种体光栅(VBG)离轴外腔方法实现了宽条形大功率半导体激光器光谱特性的明显改善和高效率工作.宽条形半导体激光器的外腔结构主要包括激光器输出光束的快、慢轴准直光学透镜和离轴放置的体光栅.宽条形半导体激光器的激射条宽为100μm,当激光器工作电流为4.0 A时,外腔激光器的输出功率高达3.4 W,斜率效率为1.0 W/A,光谱宽度由自由出射条件下的2~3 nm减少为0.2 nm,峰值波长的温漂系数小于0.015 nm/℃. 相似文献
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适用于现场喇曼谱仪的光栅外腔半导体激光器 总被引:3,自引:1,他引:2
本文介绍了适用于现场喇曼谱仪的光栅外腔半导体激光器,其中心波长为792.5nm,谱线宽度小于0.08nm,输出功率为222mW。 相似文献
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