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利用Ar^+束溅射沉积技术实现了CdTe薄膜的低温生长,利用电化学方法进行了HgCdTe表面自身阳极氧化膜的生长,利用生工的CdTe介质膜和HgCdTe表在身阳极氧化膜对n-HgCdTe光导器件进行了表面钝化。对两种器件的电阻、各项性能指标进行了测量分析,实验表明得到的CdTe/HgCdTe同质量已达到器件实用化水平。 相似文献
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研究了结构为ITO/m-MTDATA:x%4F-TCNQ/NPB/TBADN:EBDP:DCJTB/Bphen:Liq/LiF/Al的有机白光电致发光器件(WOLED)。分别在ITO与NPB间加入高迁移率的m-MTDATA:4F-TCNQ来增强器件的空穴注入,在阴极和发光层间加入高迁移率的Bphen:Liq层增强器件的电子注入,降低驱动电压,提高器件效率。同时,由于注入的电子和空穴数量偏离平衡,器件的效率也会受到影响。实验中,通过调节4F-TCNQ的掺杂浓度来调控空穴的注入和传输,使载流子达到高度平衡。器件的最大电流效率和流明效率分别达到了9.3cd/A和4.6 lm/W。 相似文献
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通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar^ 束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTe MIS器件;通过对器件的C-V特性实验分析,获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数。实验表明:溅射沉积介质膜CdTe ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦麦面器件表面钝化的各项要求。 相似文献
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分别在ITO与NPB间加入高迁移率的m-MTDATA:x%4F-TCNQ来增强器件的空穴注入,在阴极和发光层之间加入高迁移率的Bphen:Liq层增强器件的电子注入,制备了结构为ITO/m-MTDATA:x%4F-TCNQ/NPB/Alq_3/Bphen:Liq/LiF/Al的有机发光器件.研究了传输层的单载流子器件行为,同时,由于注入的电子和空穴数量偏离平衡,器件的整体效率也会受到影响,在实验中通过调节4F-TCNQ的质量百分比,来调控空穴的注入和传输,使载流子达到了较好的平衡.器件的最大电流效率和流明效率分别达到了6.1 cd/A和5.2 lm/W. 相似文献
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CdTe/ZnS复合钝化膜的界面电学特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用MIS结构研究了长、中、短波碲镉汞材料,新型热蒸发CdTe/ZnS钝化膜界面电学特性及其与工艺条件的关系.结果表明,CdTe/ZnS双层膜界面电学参数依赖于界面预处理条件,在适当的工艺条件下,平带电压几乎为0,固定电荷密度为-4×1010cm-2,慢态密度为5.1×1010cm-2,界面态密度为2.7×10-11eV-1.cm-2. 相似文献
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利用 Ar 束溅射沉积技术实现了 Cd Te薄膜的低温生长 ,利用电化学方法进行了 Hg Cd Te表面自身阳极氧化膜的生长 ,利用生长的 Cd Te介质膜和 Hg Cd Te表面自身阳极氧化膜对 n- Hg Cd Te光导器件进行了表面钝化 .对两种器件的电阻、各项性能指标进行了测量分析 ,实验表明得到的 Cd Te/ Hg Cd Te界面质量已达到器件实用化水平 . 相似文献
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本文介绍采用石英晶体测厚仪测得铬靶不同方位上的溅射沉积速率,试验结果表明不同方位上的沉积速率为正态分布,其表达式为 y=66exp-(X-74.18)~2/2×2×33.93~2 当溅射入射角为45°时,其分布峰值在74.18°,不在45°的反射方向上。而溅射沉积速率与接收距离平方成反比,其表达式为 y=-45.8+19686.3(1/X)-249430(1/X~2) 相似文献
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研究了HgCdTe液相外延薄膜表面两类宏观缺陷的形成原因.研究表明,大部分表面凹陷点(void)缺陷的形成是由衬底的蜡沾污所引入的,而表面凸起点(hill-like)是由衬底边缘脱落的CdZnTe微颗粒造成的,通过控制外延生长前的衬底处理过程,可以抑制这两类缺陷,从而生长出零(宏观)缺陷密度的优质HgCdTe外延薄膜. 相似文献
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Rajni Kiran Shubhrangshu Mallick Suk-Ryong Hahn T. S. Lee Sivalingam Sivananthan Siddhartha Ghosh P. S. Wijewarnasuriya 《Journal of Electronic Materials》2006,35(6):1379-1384
The effects of passivation with two different passivants, ZnS and CdTe, and two different passivation techniques, physical vapor deposition (PVD) and molecular beam epitaxy (MBE), were quantified in terms of the minority carrier lifetime and extracted surface recombination velocity on both MBE-grown medium-wavelength ir (MWIR) and long-wavelength ir HgCdTe samples. A gradual increment of the minority carrier lifetime was reported as the passivation technique was changed from PVD ZnS to PVD CdTe, and finally to MBE CdTe, especially at low temperatures. A corresponding reduction in the extracted surface recombination velocity in the same order was also reported for the first time. Initial data on the 1/f noise values of as-grown MWIR samples showed a reduction of two orders of noise power after 1200-Å ZnS deposition. 相似文献
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根据粗糙面基尔霍夫小斜率近似研究了脉冲波入射时实际海谱分布的一维分形海面的电磁散射。分析了毫米波入射时不同分维、入射角和入射中心频率下双频散射截面的散射角分布。结果表明分形海面的双频散射截面在镜反射方向有最大的相关带宽,随着海面分维的减小、入射中心频率和入射角的增加,该相关带宽是增大的。对于入射功率为δ函数时的散射波功率是一个具有一定脉冲展宽的散射脉冲,且脉冲展宽与相关带宽成反比关系。 相似文献