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使用飞秒时间分辨抽运-探测磁光克尔光谱技术,研究了激光加热GdFeCo磁光薄膜跨越铁磁补偿温度时稀土-过渡金属(RE-TM)反铁磁交换耦合行为和超快磁化翻转动力学. 实验观察到由于跨越铁磁补偿温度、净磁矩携带者交换而引起的磁化翻转反常克尔磁滞回线以及在同向外磁场下,反常回线上大于和小于矫顽力部分的饱和磁化强度不同,显示出GdFeCo中RE与TM之间的非完全刚性反铁磁耦合. 在含有Al导热底层的GdFeCo薄膜上观测到饱和磁场下激光感应磁化态翻转及再恢复的完整超快动力学过程. 与剩磁态的激光感应超快退磁化过关键词：补偿温度磁化翻转反铁磁耦合GdFeCo 相似文献
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采用微磁学理论研究了铁磁/反铁磁双层膜中的铁磁共振现象.本模型将铁磁薄层抽象为一个单晶,具有立方磁晶各向异性和单轴磁晶各向异性,而反铁磁层视为厚度趋近于半无穷,且只有单轴磁晶各向异性.推导出了该系统的铁磁共振频率和频率谱宽度的解析式.数值计算表明,铁磁共振模式分两支,取决于立方磁晶各向异性.而界面的交换耦合,是磁易轴具有单向性的起因. 相似文献
3.
使用微波辅助聚合方法制备了单分散单畴Ni纳米球,由MFM发现,尺度分布在100～180 nm的Ni球的一个相关特征是条型磁畴结构。用XRD、TEM、XPS以及EDAX测量了由Ni球进一步制备的NicoreNiOshell高度球型纳米结构。用VSM 和SQUID进一步讨论了其铁磁/反铁磁界面耦合效应,估算了交换耦合场与粒子尺寸的关系。 相似文献
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研究铁磁/反铁磁/铁磁三层膜中界面存在二次以及双二次交换耦合下反铁磁磁矩转动及其交换各向异性.结果表明,其反铁磁膜中的磁矩转动存在可逆\"恢复行为\"、不可逆\"连续倒转行为\"以及不可逆\"中断倒转行为\"三种情形,三种情形的出现强烈地依赖于两界面处的线性耦合和双二次耦合.钉扎界面的交换耦合与旋转界面的交换耦合相互竞争,当钉扎界面耦合占主导时,反铁磁磁矩发生可逆\"恢复行为\",系统出现交换偏置.在旋转界面耦合占主导情形下,其线性耦合与双二次耦合也相互竞争,分别导致反铁磁磁矩发生不可逆\"连续倒转行为\"和不可逆\"中断倒转行为\",系统都不出现交换偏置,但矫顽场都得以增强.相关结论为实验上观测的磁滞能耗以及界面垂直耦合提供了可能的解释. 相似文献
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采用自由能极小的方法研究了铁磁/反铁磁双层膜系统在外应力场下的一致进动自旋波性质,即铁磁共振现象. 本模型中铁磁层很薄可看成单畴结构,但具有单轴磁晶各向异性和立方磁晶各向异性;而反铁磁层仅具有单轴磁晶各向异性,但其厚度趋于半无穷. 推导出了该系统的铁磁共振频率和频谱宽度的解析式. 结果表明,外应力场和界面交换耦合或反铁磁磁强度仅在弱磁场下对系统的铁磁共振有影响,且系统的铁磁共振行为按磁场强度可分为两支,其区分弱磁场和强磁场的临界场依赖于外应力场的方向. 另一方面,应力场方向的改变可借助于反铁磁层磁畴变化对铁磁层磁晶各向异性轴有影响.关键词：铁磁/反铁磁双层膜界面耦合强度铁磁共振应力场 相似文献
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电流驱动的面内交换偏置场翻转具有无需外磁场辅助、抗磁场干扰以及强磁各向异性等优势,受到广泛关注.然而,在纳米级厚度薄膜系统中,反铁磁/铁磁异质结的阻塞温度较低,同时电流脉冲会产生大量的焦耳热,理论上电流热效应对于交换偏置场翻转有着显著作用,但是其作用机制缺乏相关研究和验证.我们制备了一系列反铁磁IrMn厚度不同的Pt/IrMn/Py异质结,系统性地研究了热效应在电流翻转交换偏置场中的作用机制.结果表明,在毫秒级电流脉冲下,焦耳热能够使得器件升温至阻塞温度以上,解除反铁磁/铁磁界面的交换耦合,同时电流产生的奥斯特场和自旋轨道矩能够翻转铁磁磁矩,在降温过程中完成交换偏置场的翻转.并且,在翻转过程中,反铁磁/铁磁异质结的各向异性磁阻曲线呈现与温度相关的两步磁化翻转现象,分析表明该现象起源于交换偏置耦合与铁磁直接交换作用之间的竞争关系.本文的研究结果厘清了热效应在电流驱动交换偏置场翻转过程中的重要作用,有助于推动基于电控交换偏置场的自旋电子器件发展. 相似文献
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采用一维原子链模型研究了反铁磁耦合的硬磁/软磁/硬磁三层膜体系的反磁化过程. 研究结果表明,当考虑了软磁层的磁晶各向异性能后,软磁层厚度和界面交换耦合强度的改变都有可能导致软磁层的交换弹性反磁化过程由可逆过程转变为不可逆过程. 对软磁层很薄的体系,其反磁化过程是典型的可逆交换弹性反磁化过程. 然而,当软磁层厚度超过某一临界厚度tc时,反磁化过程转变为不可逆的交换弹性反磁化过程. 软磁-硬磁界面交换耦合强度Ash对反磁化行为也有很大的影响. 对于软磁层厚度小于临界厚度tc的体系,也存在一个临界界面交换耦合强度Ashc. 当Ash大于Ashc时,软磁层的反磁化过程是可逆的交换弹性反磁化过程;而当Ash小于Ashc时,这一过程变为不可逆. 给出了体系的可逆与不可逆交换弹性反磁化过程随软磁层厚度和界面交换耦合强度变化的磁相图. 同时还研究了偏转场随软磁层厚度的变化关系.关键词：反铁磁耦合三层膜交换弹性反磁化过程反磁化机理磁相图 相似文献
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研究了氧空位对La0.5Ca0.5MnO3 (LCMO)多晶块材的电输运和磁性质的影响. 随着氧空位的增加, 样品在高温段的电阻率一直增加, 并满足绝热小极化子模型, 而低温段的电阻率先下降后上升, 并出现明显的dR/dT>0的行为, 直至最后变为绝缘的. 氧空位的增加抑止了反铁磁相的出现, 使得脱氧的LCMO样品不发生反铁磁转变, 进一步增加氧空位则会抑制铁磁相. 相似文献
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基于微磁学基本方程Landau-Lifshitz-Gilbert(LLG)方程,我们建立了软磁薄膜体系顺磁-铁磁转变过程中涡旋数目随时间的变化关系模型.磁化强度运动方程采用了传统的Runge-Kutta数值方法求解.计算结果发现:不同的交换场下,涡旋数变化可以分为两个阶段:第一阶段涡旋数目随时间急剧减少;第二阶段涡旋数目缓慢减少,直至不再变化,交换系数越小剩余的涡旋数会越多.退磁能对相变过程影响甚微,只有在交换系数(1.3E-12)较小时有可观察到的效应:有退磁场涡旋数目稍小. 相似文献
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采用线性自旋波理论,利用数值计算的方法计算自旋s=1的零温磁矩 。 相似文献
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This work describes multilayers of Co90Fe10 tF/Ru tRu/Co90Fe10 tF and Ni81Fe19 tF/Ru tRu/Ni81Fe19 tF (20 ÅtF200 Å) prepared at ambient temperature by ion beam deposition on Si/SiO2 3 kÅ substrates. The samples exhibited a maximum antiferromagnetic coupling with tRu=3.2 Å and M–H curves characterized by zero remanent magnetic moment and enhanced saturation field. Antiferromagnetic peaks were present with tRu17 and 30 Å. 相似文献
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CoFe_2O_4 ferrite nanowire arrays are fabricated in porous silicon templates. The porous silicon templates are prepared via metal-assisted chemical etching with gold(Au) nanoparticles as the catalyst. Subsequently, CoFe_2O_4 ferrite nanowires are successfully synthesized into porous silicon templates by the sol–gel method. The magnetic hysteresis loop of nanowire array shows an isotropic feature of magnetic properties. The coercivity and squareness ratio(M_r/M_s) of ensemble nanowires are found to be 630 Oe(1 Oe = 79.5775 A·m~(-1) and 0.4 respectively. However, the first-order reversal curve(FORC) is adopted to reveal the probability density function of local magnetostatic properties(i.e., interwire interaction field and coercivity). The FORC diagram shows an obvious distribution feature for interaction field and coercivity. The local coercivity with a value of about 1000 Oe is found to have the highest probability. 相似文献
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基于微磁学模拟方法研究末端形状对NiFe纳米薄膜的磁反转和自旋波本征动力学特性的调制及磁反转与自旋波模式软化间的内在联系.纳米薄膜微磁结构的相变总是伴随着某种自旋波模式的软化,软化自旋波模式空间分布预示微磁结构相变的路径.存在一临界裁剪度（h0）.当裁剪度h<h0时,磁振荡局域于末端边缘的EM自旋波软化诱导磁反转从磁体末端边缘磁矩失稳开始,边缘失稳区域向中央扩展形成反转畴,最后反转畴逐渐移出膜面外而实现反转.当h≥h0时,形状各向异性导致边缘局域化模式自旋波被抑制,反转场附近一致模式自旋波的软化诱导磁体一致反转. 相似文献
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采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波方法,计算了 SrFeAsF 和 Co 掺杂超导体 SrFe0875 Co0.125AsF 的电子能带结构和磁性.结果表明,SrFeAsF 的基态构型为条状反铁磁结构,而 SrFe0.875Co0.125AsF 的条状反铁磁构型与棋盘形能量相差非常小,体系处于两种构型转变的临界值附近.由电子能带结构计算表明,Co掺杂引起FeAs杂化能带增宽,增强了d电子的平面巡游性,同时掺杂后关键词：铁基超导体反铁磁序掺杂交换相互作用 相似文献
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《Current Applied Physics》2020,20(4):477-483
A systematic study of the magnetization reversal behavior in the regular arrangement of L10-FePt based exchange-spring nanomagnets with different thicknesses of the Co soft magnetic layer is presented. The magnetic property of the hard magnet is compared to two tuned exchange-spring magnets: its systems of 20 nm L10-FePt/3 nm, and 7 nm Co. In particular, we focus on the switching field distribution. The exchange coupling showed narrower SFD, in spite of the decoupled part switches earlier. The magnetization switching mechanism of exchange-spring nanomagnets patterns has been revealed with a first-order reversal curves technique and the switching field distribution. Further, the microscopic results using magnetic force microscopy show that the spin rotation of the non-interacting part in the thicker soft layered exchange-spring magnet. The part influences the magnetization reversal process. According to the experimental results, exchange coupling strength can be tuned by the thickness of the soft magnetic layer. 相似文献
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矩形磁性纳米点动力学反磁化过程的微磁学研究 总被引：1，自引：0，他引：1
采用微磁学模拟方法研究了初始态为C形磁结构的矩形CoFe纳米点在方波脉冲场作用下的动力学反磁化过程.研究发现,随着脉冲场强的增强,磁体的反磁化模式发生了改变.当场强较弱时反磁化过程通过畴壁移动-单涡旋的形成和移动来完成;当场强较大时反磁化过程模式转变为畴壁移动-双涡旋的形成与移动;在更强的场强下反磁化过程通过畴壁的移动-多涡旋的形成与湮没来实现.由于反磁化模式随场强的变化而改变,反磁化时间随场强的增大出现振荡变化现象.关键词：动力学反磁化过程反磁化时间微磁学模拟 相似文献
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针对基于磁性隧道结的赝自旋阀磁随机存储器, 使用带斜面切口环形结构自由层, 抛弃采用厚度改变矫顽力的方式, 降低了磁性隧道结的面积电阻, 改进了垂直电流磁随机存储器. 通过集成工艺中淀积的二次效应生成磁环的切口, 利用微磁学方法计算分析了自由层的磁化反转特性, 结果表明该模型具有低串扰、低面积电阻、高磁阻率以及较强的抗干扰性能.关键词：自由层结构磁化翻转微磁VMRAM 相似文献
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The effects of the number and the location of notches on the formation of flux-closure states in bi-rings with fields applied in the x direction (i.e., along the short axis direction of bi-rings) and y direction (i.e., along the long axis direction of bi-rings) are investigated using micromagnetic simulation. For the bi-rings with one notch and the bi-rings with two notches symmetric about y axis, the order of flux-closure state formation in each ring can be controlled. But the flux-closure state forms simultaneously in each ring for the bi-rings with two notches symmetric about x axis. For the bi-rings with two notches that are symmetric neither about x axis nor about y axis, only one ring can form a flux-closure state in the y-direction field and no flux-closure state can be found in rings in the x-direction field. Therefore, logic states can be defined by controlling the order of flux-closure state formation, which can be utilized in future logic devices. 相似文献
