激光调阻钌酸盐厚膜电阻浆料研究

介绍一种新的钌酸盐电阻改进体系，该体系中用Ｐｂ２Ｒｕ２Ｏ６代替钽钌酸铅（Ｐｂ２Ｒｕ２Ｏ６和Ｐｂ２Ｔａ２Ｏ７）作导电相，用硼硅酸铅玻璃代替硼硅酸铅锌锆玻璃，完全不用ＢａＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ３作为高阻ＴＣＲ改性的掺杂剂，该体系制作的１００ＫΩ／□以上了电阻激光调阻稳定，电阻漂移小于±１％。     

LTCC钌系厚膜电阻电性能影响因素研究综述

钌系厚膜电阻具有阻值精度高、稳定可靠性高、工艺重复性好等优点,在厚膜混成电路制造中占据重要的地位。综述了钌系厚膜电阻电性能的影响因素,阐述导电相、粘接相、改性剂及有机载体与共烧电阻体电性能的关系,并针对国内高品质钌系厚膜电阻浆料面临的主要问题,提出原料粉体性能可控性制备,浆料制备工艺的优化设计与表征,浆料与生瓷带共烧匹配以及浆料无铅化等研究方向。     

含钌高阻高压电阻器材料

钌系厚膜电阻浆料的阻值在50/(?)～1MΩ/(?)范围内,其性能基本满足各种线路的需要。国内外厚膜电阻可认为是向高精密、低阻、高阻和高频大功率方面发展。能做高阻高压电阻器的材料主要有两种:一是 SnO_2,其耐压性好,电阻率高,适用于高阻高压电路。但此类电阻器在烧成中,SnO_2易在玻璃中扩散,导致电阻体失效或变成绝缘体。但 SnO_2电阻原材料价格便宜,国内已有研究及生产。另一种是钌系电阻器,     

氧化钌的比表面积与电阻器特性之关系

1.前言影响钌电阻器特性的因素很多,其中掺杂往往是必不可少的。中、高阻掺CuO,低阻掺MnO_2,这对改善电阻的TCR很有效。MnO_2不但适宜掺入低阻粉料而且也适宜掺入到中、高阻粉料中。厚膜电阻除了导电相氧化钌外,还有玻璃。玻璃本身的成份,玻璃的粒径大小,对阻值的高低起着重要的作用。工艺条件对电阻器特性的影响更不能忽视。作为导电相的氧化钌是厚膜电阻的核心和关键材料,电阻特性的好坏,取决于氧化钌原料的制备方法与处理途径。本文研究不同比表面积的氧化钌与电阻器特性的关系。     

溶胶-凝胶法制备钌系薄膜电阻

利用醋酸铅、氯化钌、正硅酸乙酯为主要原料,采用溶胶-凝胶工艺制备了以钌酸铅为主晶相的钌系薄膜电阻材料,运用DTA、XRD和IR等手段对样品的结构和晶化规律进行了研究.薄膜在热处理过程中析出钉酸铅晶相,薄膜电阻方阻值随热处理峰值温度升高先减少再增加.     

不锈钢基厚膜PTC热敏电阻浆料的制备与性能研究

以二氧化钌和氧化铜的混合物为功能相制备出不锈钢基厚膜PTC热敏电阻浆料.研究了功能相与玻璃相的配比、功能相的粒度对厚膜电阻方阻及电阻温度系数(TCR)的影响规律.结果表明:固定浆料中玻璃相的成分与含量(30wt%),控制功能相中RuO2的比例(45.4wt%～88.9wt%)或功能相的粒度(0.30～1.0μm),可制得具有不同方阻(1.5～12.8Ω/□)和TCR(2100～2900×10-6/℃)的厚膜PTC热敏电阻.     

钌系厚膜电阻重烧变化特性的研究

采用高温熔融-水淬法制备玻璃相,固相法制备导电相Bi2Ru2O7、CaRuO3和BaRuO3,水浴溶解法制备有机载体,配制成电阻浆料后印制成电阻,经烘干、烧结后测算其重烧变化率。研究了玻璃组成中硼硅比例B2O3/SiO2、混合玻璃粉比例以及导电相对重烧变化率的影响。提出了改善电阻重烧变化率的几种办法。制备出的几种电阻浆料重烧变化率较小,可满足使用要求。     

厚膜高阻电阻浆料的发展概况

1.高阻高压厚膜电阻浆料直到本世纪七十年代初期,国内外使用的高阻高压玻璃釉电阻,仍多为二氧化锡玻璃釉电阻。其中二氧化锡(SnO_2)是由 SnCl_2热分解而生成的氧化物半导体,它具有较高的比电阻,若加进氧化锑(Sb_2O_3)等三价氧化物半导体,则能大幅度地控制比电阻。这类材料的电阻高、成本低、价格便宜、适用于高压。然而,作为厚膜材料,SnO_2会与玻璃激烈反应,故对与之相适应的玻璃和烧结条件目前仍在继续研究中。此外,由该材料制作的电阻器 TCR 值过大(-1000～1500ppm/℃),对潮湿敏感,因而不能满足多种电路的应用。     

电阻降低了12％的铜配线材料

日本电气公司（NEC）新近开发成功一种能抑制铜配线电阻增大的新型配线材料，它是采用了钌（Ru）从而控制了在与铜交界面上形成的保护膜结晶排列。这样提高铜结晶的品位，较之使用钽的传统方法可成功地使铜界面附近的电阻降低12％，解决了随着铜配线的微细化而带来的铜配线电阻问题。NEC在铜界面保护膜上采用了钌，实现了比常用的钽更低的电阻率而且耐氧化性也更加优越。并且采取了高真空溅射技术在铜线上形成保护膜保证了钉原子的高密度排列，还降低了生产成本。     

化学法制备超细玻璃粉及其在LTCC用厚膜电阻浆料中的应用(英文)

用正硅酸乙酯、硝酸铝、硝酸钙、硝酸镁经化学反应,添加燃烧剂烧结后研磨制成了超细玻璃粉原料;用水合三氯化钌高温脱水法制备了氧化钌粉原料;采用低温共烧(LTCC)制成了混有这两种原料的钌厚膜电阻。采用差热分析仪、激光粒度仪和扫描电子显微镜进行了分析表征。结果表明,制备的电阻浆料与LTCC生瓷烧结性能相匹配,稳定性好,温度系数在±200×10-6/℃以内,制备的电阻器平均方阻为88.5Ω/□。     

Li2CO3掺杂BaTiO3无铅压电陶瓷的低温烧结

以Li2CO3作为烧结助剂,采用传统固相烧结法制备BaTiO3陶瓷。研究了烧结温度(1000~1150℃)和Li2CO3添加质量分数(0%~5%)对BaTiO3陶瓷结构和电学性能的影响。结果表明:Li2CO3的掺入有效地促进了陶瓷的烧结,使BaTiO3的烧结温度从1300℃以上降低到1050℃。X射线衍射结果表明:未掺Li2CO3的BaTiO3陶瓷样品为四方相结构,掺Li2CO3的BaTiO3陶瓷样品为正交相结构。Li2CO3掺量为1%的陶瓷样品具有较高的致密度,且在1050℃时获得最大值,其相对密度可达94%。当烧结温度为1100℃时,BaTiO3陶瓷的压电常数d33获得最大值,且d33随着Li2CO3掺量的增加而降低。其中Li2CO3掺量为1%时陶瓷具有较好的电性能:d33=200pC/N,εr=1322,TC=115℃。     

Structural characteristics of BaTiO3 films prepared by microarc oxidation

1 Introduction BaTiO3, with a relatively large dielectric constant and unusual electro-optical coefficient, has been widely used in the electronics industry. BaTiO3 ferroelectric films have been proposed for applications such as thin film capacitors, pyro…     

Structure and electrical properties of (1-x)BaTiO_3+(x)La_(2/3)-Sr_(1/3)MnO_3 composites

Liquid-phase sintering method was used to prepare BaTiO 3 powders and the structure and electrical properties of (1-x)BaTiO 3 +(x)La 2/3 Sr 1/3 MnO 3 (LSMO) composites were investigated. The results of X-ray diffraction showed that the prepared BaTiO 3 powders were pure and fine, indicating that sintering temperature was effectively lowered when the NaCl sintering aid was added. X-ray diffraction patterns of (1-x)BaTiO 3 +(x)La 2/3 Sr 1/3 MnO 3 (LSMO) composites showed that LSMO and BaTiO 3 phases were coex...     

多铁性陶瓷BiFeO_3-PbTiO_3-BaTiO_3的介电、压电及其老化性能研究

采用高温固相法制备了钙钛矿结构的0.7BiFeO_3-0.2PbTiO_3-0.1BaTiO_3陶瓷,研究了该陶瓷的介电性能、压电性能及其老化性能。结果表明,该陶瓷是一种非常有潜力的高温压电陶瓷,其介电常数和介电损耗分别为390和0.015,铁电居里温度TC约为600℃,压电常数d_(33)约为100 pC/N,压电常数的时间稳定性和热稳定性好,热退极化温度Td约为500℃。压电常数热退极化机理主要为内在的剩余极化老化,辅以低浓度氧空位等外在缺陷对畴壁的钉扎作用。     

热挤压制备BaTiO_3/Al复合材料的阻尼性能(英文)

为了开发新型高阻尼金属基复合材料,以高温烧结后的大晶粒钛酸钡(BaTiO3)陶瓷作为增强体,通过粉末冶金和热挤压方法制备钛酸钡颗粒增强铝基复合材料,并研究其阻尼特性和力学特性。动态力学分析结果表明,大晶粒钛酸钡陶瓷本身具有很好的阻尼性能,阻尼值可达0.12。但在纯铝基体中加入质量分数为10%BaTiO3制备的BaTiO3/Al复合材料的室温阻尼性能和铝基体相比并无明显改善,而450K以上的阻尼性能由于界面附近的位错运动而大幅度提高。钛酸钡增强体的本征阻尼性能未能充分发挥的原因在于钛酸钡颗粒与铝基体之间的界面结合不良,导致钛酸钡颗粒内部的能量耗散机制无法触动。复合材料的拉伸性能比相应纯铝基体的提高了42%,这意味通过改善界面结合和加入高含量的碳酸钡阻尼增强颗粒,有望获得高强度高阻尼金属基复合材料。     

导电聚合物复合材料的产热特性及电阻焊接工艺

以丙烯腈-丁二烯-苯乙烯塑料(ABS)为基体,导电聚苯胺(PANI)和导电炭黑(CB)作为填充剂制备了导电聚合物基复合材料,测试分析了聚合物复合材料在不同焊接电压下焊接界面处温度随焊接时间的变化规律,并以其作为加热电阻研究了聚碳酸酯(PC)的电阻焊接工艺.结果表明,焊接电压和焊接时间对焊接效果的影响很大.选定较为合适的功率,在一定焊接时间内可以达到适合的焊接温度,接头的焊接界面处聚合物电阻片与母材有互融出现,形成了很好的接合,其接头强度达到了25.4MPa.探索了采用导电聚合物为产热器件进行塑料电阻焊接的新方法.     

Synthesis of tetragonal BaTiO3 film on Ti substrate by micro-arc oxidation

BaTiO3 films on Ti substrate were fabricated by alternative current（AC） and direct current（DC） micro arc oxidation （MAO）. Microstructures of films were investigated by means of SEM, XRD and TEM. The results show that the amorphous phase and primitive cubic phase are the main phases in the films prepared by AC MAO. Even after being annealed at 1 200 ℃ for 8 h, only a few tetragonal phases can be observed in films prepared by AC MAO. However, tetragonal BaTiO3 phase can be produced by DC MAO directly. In the films prepared by DC MAO, a mixture of cubic phase and tetragonal phase is formed. After sparking spacious distribution, sparking duration and temperature gradient near sparking sites were taken into account, and a mechanism of synthesis of tetragonal BaTiO3 phase by DC MAO was proposed.     

Growth of BaTiO3-Ag hybrid composite films at room temperature by aerosol deposition

Barium titanate (BaTiO3) and silver (Ag) composite film with high dielectric constant was grown at room temperature by an aerosol deposition method.The dielectric constant increases by 0.5 times after adding Ag to the BaTiO3 matrix,compared with pure BaTiO3.The high dielectric constant can be attributed to the percolation effect of Ag inclusions in the BaTiO3 matrix.The Ag was present in the form of discrete layer in the BaTiO3 film.The dielectric properties of BaTiO3 Ag were discussed in detail taking into account the changes in microstructures.     

钛酸钡电子陶瓷粉体材料制备方法

钛酸钡陶瓷材料是目前国内外应用最广泛的电子陶瓷原料之一,获得优秀钛酸钡电子陶瓷的关键是陶瓷粉体的制备.本文对钛酸钡电子陶瓷粉体的制备方法做了简单介绍,以便给钛酸钡电子陶瓷的生产提供一些工艺参考.     

钛酸钡中的硼间隙及其对PTCR效应的影响

通过B2O3蒸汽掺杂，钛酸钡晶胞膨胀，表明硼离子可以进入钛酸钡晶格中形成硼间隙。B2O3蒸汽掺杂使含Y钛酸钡陶瓷室温电阻率下降，升阻比提高。同样的烧结条件下，钛酸钡陶瓷的PTCR效应随B2O3蒸汽掺杂源的浓度升高而升高。硼间隙和／或相关缺陷络合物可以形成电子捕获中心，从而提高PTCR效应。